反射式高能电子衍射论文_毛张文

导读:本文包含了反射式高能电子衍射论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译,主要关键词:电子,反射式,外延,反射,超导,氧化物,晶格。

反射式高能电子衍射论文文献综述

毛张文[1](2017)在《反射高能电子衍射机理及氧化物界面的精确控制》一文中研究指出界面即器件,过渡金属氧化物界面因其具有众多新奇的量子效应,有望成为新一代电子器件。而对氧化物界面的精确控制是保证器件性质的前提。目前,随着原位分析技术反射式高能电子衍射(RHEED)的应用,人们利用RHEED强度振荡已经可以生长出非常高质量且厚度可控的氧化物薄膜,但是在精确控制界面截止面方面依然存在很大挑战。本论文中,我们在使用氧化物分子束外延逐层生长SrTiO3薄膜的过程中,观察到RHEED振荡曲线的相位移以及倍频现象,也发现RHEED振荡曲线的最高点和最低点并不对应于一个完整原子层的结束,这与目前人们的认知相矛盾。在本论文中,我们提出了一个新的机理来解释复杂的RHEED振荡曲线,同时提出一种精确控制外延薄膜截止面,从而精确控制氧化物界面的方法。利用这一方法,解决了在较厚同质外延SrTiO3薄膜和LaAlO3薄膜的界面很难出现二维电子气这一难题。同时,利用这一方法,可以在Si等半导体基底上实现各种氧化物界面的生长,进一步推进氧化物界面在电子器件应用方面的发展。具体成果和结论如下:(1)在SrTiO3薄膜的生长过程中,观察到RHEED振荡曲线与电子束入射角具有强烈的依赖关系:当电子束入射角不同时,RHEED强度振荡曲线会出现180°相位移和频率倍增现象;(2)通过原位分析RHEED衍射图中的菊池线,发现在SrTiO3薄膜的生长过程中,薄膜表面平均内势能会发生周期性振荡;(3)通过考虑薄膜表面内势能和表面粗糙度的作用,利用基本的衍射定律,成功的解释了 SrTiO3薄膜逐层生长过程中RHEED振荡曲线的相位移和频率倍增现象:(4)提出了精确控制外延薄膜截止面的方法,并利用这一方法,在同质外延SrTiO3薄膜厚度60u.c.的LaAlO3/同质外延SrTiO3/SrTiO3界面上观察到了二维电子气。另外,本论文中初步探索了强关联Mott绝缘体LaTiO3的金属绝缘体相变。目前人们认为是二维压缩应力的作用导致Mott绝缘体LaTiO3的相变,但是无法排除氧缺陷的作用。在本论文的实验中,我们利用晶格常数更小且不易产生氧缺陷的LSAT单晶作为衬底,在不同氧气压下生长LaTiO3薄膜,探究应力和氧含量对LaTiO3导电性的影响。我们发现可以通过调控氧化物薄膜中氧的含量来调控过渡金属元素的价态,从而调控薄膜的导电性,这为调控氧化物薄膜的导电性提供了一个新的思路。具体的实验现象和结论如下:(1)随着生长氧气压的升高,LaTiOx薄膜的导电性发生导体-绝缘体-导体的转变;(2)二维压缩应力并不是LaTiO3薄膜发生绝缘体-金属相变的主要原因。根据理论计算,在压缩应力大于-2%的LSAT衬底上LaTiO3薄膜应该具有导电性,但是在实验中观察到具有绝缘性的高质量LaTiO3薄膜;(3)LaTiOx薄膜中氧的含量可能是导致绝缘体-相变的真正原因,因为氧含量x不同时,LaTiOx薄膜中过渡金属元素Ti离子具有不同的价位,从而发生金属-绝缘体-金属的转变。(本文来源于《南京大学》期刊2017-05-13)

王萍,解廷月[2](2011)在《反射式高能电子衍射对氧化物薄膜生长的原位监测》一文中研究指出反射式高能电子衍射是一种对薄膜表面结构非常敏感的实时监测手段,通过对衍射花样的研究可以获得诸多有益的信息,将其引入薄膜制备装置对高质量薄膜的生长有着积极的指导意义。(本文来源于《山西大同大学学报(自然科学版)》期刊2011年05期)

周勋,杨再荣,罗子江,贺业全,何浩[3](2011)在《反射式高能电子衍射实时监控的分子束外延生长GaAs晶体衬底温度校准及表面相变的研究》一文中研究指出以反射式高能电子衍射(RHEED)作为实时监测工具,根据GaAs(100)表面重构相与衬底温度、As4等效束流压强之间的关系,对分子束外延(MBE)系统中衬底测温系统进行了校准,这种方法也适用于其他的MBE系统.为生长高质量的外延薄膜材料、研究InGaAs表面粗糙化及相变等过程提供了实验依据.(本文来源于《物理学报》期刊2011年01期)

崔英善,张正平[4](2009)在《虚拟反射式高能电子衍射实验系统的设计》一文中研究指出选择LabVIEW8.2软件作为系统开发平台,设计实现了一个虚拟RHEED实验系统。概括了RHEED工作原理和样品砷化镓(GaAs(001)_(2×4))表面的不同结构模型,重点介绍了虚拟RHEED实验系统的设计思想及成果。该系统面向国内一流的大型实验仪器设备进行开发,具有一定科研创新价值,同时它在保证实验教学质量的前提下还大大节省了高校的实验耗费。(本文来源于《计算机工程与设计》期刊2009年14期)

杨再荣,潘金福,周勋,王基石,宁江华[5](2009)在《用于MBE中的反射式高能电子衍射仪》一文中研究指出对用于分子束外延(MBE)中的反射式高能电子衍射仪(RHEED)的工作原理以及RHEED衍射强度振荡在测量外延生长速率的应用进行了详尽的阐述;针对样品盘与RHEED系统的兼容问题,对样品盘进行了新的设计,并进行了实验研究。(本文来源于《现代机械》期刊2009年01期)

魏贤华,熊杰,接文静[6](2008)在《双轴织构氧化铈薄膜的反射高能电子衍射分析》一文中研究指出为了制备高温超导带材,采用直流反应磁控溅射在Ni-5%(摩尔分数)W衬底上制备双轴织构的CeO2薄膜用作缓冲层。通过反射高能电子衍射仪观察分析了双轴织构CeO2的衍射谱。选取某一衍射点,提取其衍射强度相对直入点的弧度分布,拟合半高宽得到其面外取向分布;旋转样品,对某一非对称晶面的衍射强度做摇摆分析,得到其面内取向分布,其结果均与X射线衍射分析结果较为吻合。在CeO2缓冲层上制备的YBa2Cu3O7薄膜的临界温度为88 K,临界电流密度为1.2 MA/cm2(77 K)。(本文来源于《硅酸盐学报》期刊2008年12期)

魏贤华,张鹰,李金隆,邓新武,刘兴钊[7](2005)在《SrTiO_3同质外延过程中的反射高能电子衍射图案分析》一文中研究指出在激光分子束外延实验中 ,用RHEED原位监测了SrTiO3基片初始、退火以及同质外延过程中的表面形态 .通过对RHEED图案分析 ,获取了表面面内的晶格常数振荡与衍射条纹的半高宽振荡现象 ,前者是由退火重构表面与薄膜之间的界面造成的 ,后者与二维岛边界的弛豫相关 .另外还观察到了等离子体对入射电子束的影响而导致的RHEED强度振荡行为的相位移现象(本文来源于《物理学报》期刊2005年01期)

陈莺飞,彭炜,李洁,陈珂,朱小红[8](2003)在《高气压反射式高能电子衍射仪监控脉冲激光外延氧化物薄膜》一文中研究指出在超高真空分子束外延 (MBE)生长技术中 ,反射式高能电子衍射仪 (RHEED)能实时显示半导体和金属外延生长过程 ,给出薄膜表面结构和平整度的信息 ,成为MBE必备的原位表面分析仪 .为了研究氧化物薄膜如高温超导(YBa2 Cu3 O7)、铁电薄膜 (Sr1 -xBaxTiO3 )及它们的同质和异质外延结构的生长机理 ,获得高质量的符合各种应用需要的氧化物多层薄膜结构 ,在常规的制备氧化物薄膜的脉冲激光沉积 (PLD)设备上配备适合在高气压制膜条件下使用的高气压反射式高能电子衍射仪 (high pressureRHEED) ,在国内首先实现氧化物薄膜生长过程的实时监控 .详细介绍了高气压反射式高能电子衍射仪的结构和特性 ,给出了碳酸锶 (SrTiO3 )基片上同质外延碳酸锶铌 (SrTiO3 +2 %Nb)和异质外延钇钡铜氧 (Y1 Ba2 Cu3 O7)薄膜生长过程中衍射图形和零级衍射强度震荡 .(本文来源于《物理学报》期刊2003年10期)

朱兴国[9](1995)在《谈谈反射式高能电子衍射的应用》一文中研究指出本文介绍了应用反射式高能电子衍射(RHEED)对Mn在GaAs(001)面上的分子束外延结果的实时观察分析,不仅给GaAs(001)清洁表面的衍射图样以解释.而且对RHEED反映的体结构信息进行了观察分析,从而初步判定常温下亚稳态γ-Mn的结构.(本文来源于《杭州大学学报(自然科学版)》期刊1995年S1期)

曹青,叶志镇[10](1994)在《反射高能电子衍射的原理及其应用》一文中研究指出本文介绍了反射高能电子衍射的工作原理,并将其与低能电子衍射进行了比较,表明RHEED具有很多优越性。另外,综述了国内外有关利用RHEED进行表面科学及新材料研究方面的应用。(本文来源于《材料科学与工程》期刊1994年03期)

反射式高能电子衍射论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

反射式高能电子衍射是一种对薄膜表面结构非常敏感的实时监测手段,通过对衍射花样的研究可以获得诸多有益的信息,将其引入薄膜制备装置对高质量薄膜的生长有着积极的指导意义。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

反射式高能电子衍射论文参考文献

[1].毛张文.反射高能电子衍射机理及氧化物界面的精确控制[D].南京大学.2017

[2].王萍,解廷月.反射式高能电子衍射对氧化物薄膜生长的原位监测[J].山西大同大学学报(自然科学版).2011

[3].周勋,杨再荣,罗子江,贺业全,何浩.反射式高能电子衍射实时监控的分子束外延生长GaAs晶体衬底温度校准及表面相变的研究[J].物理学报.2011

[4].崔英善,张正平.虚拟反射式高能电子衍射实验系统的设计[J].计算机工程与设计.2009

[5].杨再荣,潘金福,周勋,王基石,宁江华.用于MBE中的反射式高能电子衍射仪[J].现代机械.2009

[6].魏贤华,熊杰,接文静.双轴织构氧化铈薄膜的反射高能电子衍射分析[J].硅酸盐学报.2008

[7].魏贤华,张鹰,李金隆,邓新武,刘兴钊.SrTiO_3同质外延过程中的反射高能电子衍射图案分析[J].物理学报.2005

[8].陈莺飞,彭炜,李洁,陈珂,朱小红.高气压反射式高能电子衍射仪监控脉冲激光外延氧化物薄膜[J].物理学报.2003

[9].朱兴国.谈谈反射式高能电子衍射的应用[J].杭州大学学报(自然科学版).1995

[10].曹青,叶志镇.反射高能电子衍射的原理及其应用[J].材料科学与工程.1994

论文知识图

电子束与固体样品相互作用区域及电子...衬底Al2O3的反射式高能电子衍射一6沉积温度为550oc时AIN薄膜表面的#~(a)为在SrTiO3衬底上生长LaAlO3的#~衬底及ZnO薄膜的反射式高能电子衍一5室温下AIN薄膜表面的反射式高能电

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反射式高能电子衍射论文_毛张文
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