In掺杂浓度对ZnO薄膜结构、光学及电学特性的影响

In掺杂浓度对ZnO薄膜结构、光学及电学特性的影响

论文摘要

借助射频磁控溅射法在石英衬底上制备了In掺杂ZnO薄膜(ZnO:In),研究了In掺杂浓度对薄膜结构、光学及电学性能的影响。结果表明:所有ZnO薄膜均为六方纤锌矿结构,都有较高的光学透过率(高于85%);In掺杂会降低薄膜生长率和结晶质量;随着In掺杂浓度的上升,ZnO薄膜的载流子浓度不断提高,禁带宽度不断增加。

论文目录

  • 1 实验
  • 2 结果与讨论
  • 3 结语
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 王冬

    关键词: 薄膜,含量,结晶质量,效应

    来源: 冶金与材料 2019年01期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

    专业: 无机化工,材料科学,工业通用技术及设备

    单位: 重庆师范大学物理与电子工程学院

    分类号: TQ132.41;TB383.2

    页码: 49+51

    总页数: 2

    文件大小: 548K

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