论文摘要
室温下利用射频磁控溅射粉末靶制备In2O3薄膜,并在其上电沉积Sn制备Sn/In2O3复合薄膜。采用扫描电镜、X射线衍射仪、紫外可见分光光度计和霍尔效应仪等手段表征和分析了复合薄膜的微观结构和光电性能。结果表明:电压为2 V时,制备的Sn/In2O3薄膜光电性能最佳,透光率为92.86%,电阻率0.19 mΩ·cm。氧化退火后,3 V电压制备的Sn/In2O3复合薄膜电阻率增大,透光率得到明显改善。
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 戴学诚,尹航,宫震,马柯鑫,李瑞武,王艳雪
关键词: 薄膜,复合薄膜,电沉积,透光率,电阻率
来源: 辽宁科技大学学报 2019年01期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑
专业: 无机化工,材料科学,工业通用技术及设备,电力工业
单位: 宝山钢铁股份有限公司营销中心,辽宁科技大学材料与冶金学院
基金: 国家自然科学基金(51502126),辽宁省自然科学基金(20180550802),辽宁科技大学省级重点实验室中心开放课题(USTLKFSY201705)
分类号: TQ153;TB383.2;TQ133.53
DOI: 10.13988/j.ustl.2019.01.001
页码: 1-4
总页数: 4
文件大小: 1231K
下载量: 43
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