电子设备论文和设计

全文摘要

本公开的各实施例涉及电子设备。一种电子设备包括具有正面和背面的载体晶片,其中电连接网络被配置为将正面连接到背面。电子芯片被安装在载体晶片的正面上并且被电连接到电连接网络的正面焊盘。导热石墨或热解石墨的片材被添加到载体晶片的背面。片材包括保持电连接网络的背面焊盘不被覆盖的孔口。

主设计要求

1.一种电子设备,其特征在于,包括:载体晶片,具有正面和背面并且被提供有将所述正面连接到所述背面的电连接网络;电子芯片,被安装在所述载体晶片的所述正面上并且被电连接到所述电连接网络的正面电焊盘;以及由导热材料制成的片材,其被附接到所述载体晶片的所述背面,其中所述导热材料选自由石墨或热解石墨组成的组,所述片材包括保持所述电连接网络的背面电焊盘不被覆盖的多个孔口。

设计方案

1.一种电子设备,其特征在于,包括:

载体晶片,具有正面和背面并且被提供有将所述正面连接到所述背面的电连接网络;

电子芯片,被安装在所述载体晶片的所述正面上并且被电连接到所述电连接网络的正面电焊盘;以及

由导热材料制成的片材,其被附接到所述载体晶片的所述背面,其中所述导热材料选自由石墨或热解石墨组成的组,所述片材包括保持所述电连接网络的背面电焊盘不被覆盖的多个孔口。

2.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,由所述导热材料制成的所述片材由柔软材料或柔性材料制成。

3.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,由所述导热材料制成的所述片材通过粘合层被附接到所述载体晶片的所述背面。

4.根据权利要求3所述的设备,其特征在于,所述粘合层由导热粘合材料制成。

5.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,还包括被放置在所述电连接网络的所述背面电焊盘上的外部电连接元件,所述外部电连接元件延伸通过所述多个孔口并且与所述孔口的边缘进一步分开一定距离。

6.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,还包括被安装在所述载体晶片的所述正面上并限定腔的封装盖,所述电子芯片被定位在所述腔中。

7.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,还包括所在述载体晶片的所述正面上的封装块,其中所述封装块将所述电子芯片至少部分地嵌入其中。

设计说明书

技术领域

本实用新型涉及微电子领域并且更具体地涉及包括易于产生热的电子芯片的电子设备的领域。

背景技术

微电子领域涉及研究在固体材料上构成的微小型化电路、电路及系统。微电子领域主要研究电子或离子在固体材料中的运动规律及其应用,并利用它实现信号处理功能,以实现电路的系统和集成。在现有的微电子设备中,散热成为问题。

实用新型内容

本公开的目的是为了解决或者至少缓解上述问题。

根据一个实施例,提供了一种电子设备,其特征在于,包括:载体晶片,具有正面和背面并且被提供有将正面连接到背面的电连接网络;电子芯片,被安装在载体晶片的正面上并且被电连接到电连接网络的正面电焊盘;以及由导热材料制成的片材,其被附接到载体晶片的背面,其中导热材料选自由石墨或热解石墨组成的组,片材包括保持电连接网络的背面电焊盘不被覆盖的多个孔口。

根据一个实施例,其特征在于,由导热材料制成的片材由柔软材料或柔性材料制成。

根据一个实施例,其特征在于,由导热材料制成的片材通过粘合层被附接到载体晶片的背面。

根据一个实施例,其特征在于,粘合层由导热粘合材料制成。

根据一个实施例,其特征在于,电子设备还包括被放置在电连接网络的背面电焊盘上的外部电连接元件,外部电连接元件延伸通过多个孔口并且与孔口的边缘进一步分开一定距离。

根据一个实施例,其特征在于,电子设备还包括被安装在载体晶片的正面上并限定腔的封装盖,电子芯片被定位在腔中。

根据一个实施例,其特征在于,电子设备还包括所在述载体晶片的正面上的封装块,其中封装块将电子芯片至少部分地嵌入其中。

根据本公开的实施例的电子设备解决了散热问题。

附图说明

现在将通过示例来描述电子设备和制造过程,所述设备和过程通过附图来图示,在附图中:

图1示出了贯穿电子设备的横截面;

图2以截面示出了一个制造过程的步骤中的晶片级处理的电子设备;

图3以截面示出了另一制造步骤中的图2的晶片级处理的电子设备;

图4以截面示出了另一制造过程的步骤中的晶片级处理的电子设备;以及

图5示出了贯穿另一电子设备的横截面。

具体实施方式

图1图示了电子设备1或电子封装,其包括具有正面3和背面4并且被提供有将正面连接到背面并且选择性地建立正面焊盘6与背面焊盘7之间的电链接的电连接集成网络5的载体晶片2。

电子设备1包括通过电连接元件9安装在正面3上的电子芯片8,该电连接元件另外将芯片8电连接到电连接网络5的正面焊盘6。

电子设备1包括:载体晶片2的正面3与芯片8之间的电介质局部中间层10,电连接元件9被嵌入该层中;以及载体晶片2的正面3上的电介质封装块11,并且芯片8被至少部分地嵌入该电介质封装块中。电介质局部中间层10和电介质封装块11例如分别由环氧树脂制成。

电子设备1包括导热材料的片材12,该片材被添加到载体晶片2的背面4上并且通过形成接合界面的粘合层13紧固在适当的位置中。有利地,粘合层13可以是由导热材料制成的。

导热片材12包含保持电连接网络5的背面焊盘7不被覆盖的孔口14,使得在导热片材12与背面焊盘7之间不存在电连接。

电子设备1另外包括外部电连接元件15,例如金属球,其被放置并被焊接到电连接网络5的背面焊盘7上,通过导热片材12的孔口14并与该孔口的边缘分开一定距离。

有利地,电连接元件15比导热层12的厚度更厚并且因此突出在片材12的暴露表面之外。

电子设备1被配置为通过电连接元件15被安装在印刷电路板(未示出)上。

孔口14的尺寸被设计为使得防止导热片材12与电连接元件15之间的任何电接触。

有利地,导热片材12由柔软材料或柔性材料制成,例如由金属或石墨或热解石墨(PGS)制成。

借助于导热片材12的存在,由芯片8产生的热经由通过材料从一面到另一面的扩散被更容易地去除。另外,由芯片8局部地产生的热通过材料基本上平行于片材12的面扩散,特别是当片材12由热解石墨(PGS)制成时,因此促进对局部地产生的热的去除并防止芯片8的温度变得局部太高。

电子设备1可以单独地以以下方式来制造。

无孔口导热片材12被逐渐地散布在载体晶片2的背面4上并被按压向该背面,在晶片级片材12上和\/或在载体晶片2的背面上提前插入有晶片级粘合层13。

接下来,例如在激光辐射的效应下产生孔口14,并且电连接元件15被放置在电连接网络5的背面焊盘7上的孔口14中。

电子设备1可以以以下方式经由第一晶片级制造过程来获得。

如图2中图示的,晶片级处理的载体晶片2A在相邻位置E中被提供有电连接网络5。

在位置E中,芯片8被安装在晶片级处理的载体晶片2A的正面上。

芯片8被嵌入晶片级封装块8A中。

无孔口晶片级导热片材12A被逐渐地散布在晶片级处理的载体晶片2A的背面上并被按压向该背面,在晶片级片材12A上和\/或在晶片级处理的载体晶片2A的背面上提前插入有晶片级粘合层13A。

接下来,如图3中图示的,在每个位置E中,例如在激光辐射的效应下通过晶片级片材12A产生孔口14,并且电连接元件15被放置在电连接网络5的背面焊盘7上的孔口14中。

最后,沿着通过晶片级处理的载体晶片2A、晶片级封装块8A和晶片级导热片材12A的分离位置E的贯穿纵线16执行切割操作,例如锯开操作,以便获得多个分离的电子设备1。

电子设备1可以以以下方式经由第二晶片级制造过程来获得。

如图4中图示的,提供模具100,该模具包括下部分101和上部分102,其在配合的位置中限定在其之间的在下部分101的面104与上部分102的面105之间的空白空间103,面104和105是相对的且平行的。

晶片级处理的载体晶片2A被提供,该晶片在相邻位置E中被提供有电连接网络5并且在位置E中被装备有芯片8。

模具100是开放的,以下操作被执行。

无孔口晶片级导热片材12A被放置在模具100的第一部分101的面104上。

晶片级处理的载体晶片2A的背面,即与芯片8相对定位的面,被放置在导热片材上,插入有晶片级粘合层13,该层被提前添加到晶片级片材12A和\/或晶片级处理的载体晶片2A。

模具100通过将第二部分102放置在第一部分101上来闭合,以便限定在晶片级处理的载体晶片2A上面并且在芯片8周围的腔106。例如,模具100的第二部分102的面105抵靠芯片8的正面支撑使得腔106被形成在芯片8周围。

接下来,在压力下将涂层材料注入腔中,以便形成芯片被至少部分地嵌入其中的晶片级封装块8A。注入压力生成将晶片级处理的载体晶片2A按压向晶片级片材12A的压力,通过粘合层13A来促进接合。

在提取模具之后,以上参考图3描述的操作被执行,以便获得分离的电子设备1。

根据一个变型实施例(未示出),电子设备1的芯片8能够通过将芯片8的正面焊盘与载体晶片2的正面焊盘6连接的电连接线而被连接到载体晶片2。芯片8然后将被完全嵌入封装块11中,后者覆盖芯片8的正面。

在这种情况下,在第二制造过程中,模具100的上部分102将被放置在芯片8的正面上方的一定距离处并且远离电连接线一定距离。

根据图5中图示的一个变型实施例,电子设备50与电子设备1的不同在于封装块11由被安装在载体晶片2上并限定芯片8和电连接元件9被定位于其中的内腔52的封装盖51替换。

封装盖51包括被定位在芯片8上面的正面壁53和背面外围壁54,背面外围壁的背部边缘通过一粒粘合剂55被紧固到载体晶片2的正面3。

多个芯片能够被定位在封装盖51中,可选地被定位在由该盖限定的多个内腔中。

电子设备50可以经由等同于以上描述的制造的单独的制造来获得。

电子设备50还可以经由等同于以上描述的第一晶片级制造过程的晶片级制造来获得。

在这种情况下,封装盖51被安装在位置E中,在距彼此的距离处,无孔口晶片级导热片材12A被粘合地接合到晶片级处理的载体晶片2A的背面,孔口14被产生在通过晶片级片材12A的每个位置E中,并且电连接元件15被放置在电连接网络5的背面焊盘7上的孔口14中。

接下来,沿着在距封装盖的距离之间并且任选地在距封装盖的距离处的通过晶片级处理的载体晶片2A和晶片级导热片材12A的分离位置E的贯穿纵线16执行切割操作,例如锯开操作,以便获得多个分离的电子设备50。

设计图

电子设备论文和设计

相关信息详情

申请码:申请号:CN201920310972.9

申请日:2019-03-12

公开号:公开日:国家:FR

国家/省市:FR(法国)

授权编号:CN209592017U

授权时间:20191105

主分类号:H01L 23/31

专利分类号:H01L23/31;H01L23/488;H01L23/367

范畴分类:38F;

申请人:意法半导体(格勒诺布尔2)公司

第一申请人:意法半导体(格勒诺布尔2)公司

申请人地址:法国格勒诺布尔

发明人:D·坎波斯

第一发明人:D·坎波斯

当前权利人:意法半导体(格勒诺布尔2)公司

代理人:王茂华

代理机构:11256

代理机构编号:北京市金杜律师事务所

优先权:FR1852157

关键词:当前状态:审核中

类型名称:外观设计

标签:;  

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