全文摘要
本实用新型涉及一种清洗镀膜机，主要解决现有技术中等离子清洗后待镀件的表面达因值低的问题。清洗镀膜机包括：粉体气化炉、高温裂解炉、处理腔、冷阱、真空泵、等离子清洗组件以及一气体罐以及一气体阀门构成的气体罐组，气体罐通过气体阀门与处理腔连通；中控器，中控器与粉体气化炉、高温裂解炉、粉体阀门、可转动托架组件、冷阱、真空泵和等离子清洗组件连接；等离子清洗组件包括：等离子控制器、等离子正极板与等离子负极板，等离子正极板与等离子负极板设置于可转动托架组件两侧，等离子控制器与中控器、等离子正极板、等离子负极板以及气体阀门，较好地解决了该问题，可应用于聚对二甲苯镀膜的工生产中。
主设计要求
1.一种清洗镀膜机，包括依次连通的粉体气化炉、高温裂解炉、处理腔、冷阱以及真空泵，所述高温裂解炉与处理腔之间通过粉体阀门连通，所述处理腔内设有用于摆放待镀件的可转动托架组件以及等离子清洗组件，其特征在于，还包括：若干组气体罐组，每组所述气体罐组均包括一气体罐以及一气体阀门，所述气体罐通过所述气体阀门与所述处理腔的内部连通；中控器，所述中控器分别与所述粉体气化炉、高温裂解炉、粉体阀门、可转动托架组件、冷阱、真空泵和等离子清洗组件连接；所述等离子清洗组件包括：等离子控制器、等离子正极板与等离子负极板，所述等离子正极板与等离子负极板分别设置于所述可转动托架组件的两侧，所述等离子控制器分别与所述中控器、等离子正极板、等离子负极板以及气体阀门连接。
设计方案
1.一种清洗镀膜机，包括依次连通的粉体气化炉、高温裂解炉、处理腔、冷阱以及真空泵，所述高温裂解炉与处理腔之间通过粉体阀门连通，所述处理腔内设有用于摆放待镀件的可转动托架组件以及等离子清洗组件，其特征在于，还包括：
若干组气体罐组，每组所述气体罐组均包括一气体罐以及一气体阀门，所述气体罐通过所述气体阀门与所述处理腔的内部连通；
中控器，所述中控器分别与所述粉体气化炉、高温裂解炉、粉体阀门、可转动托架组件、冷阱、真空泵和等离子清洗组件连接；
所述等离子清洗组件包括：等离子控制器、等离子正极板与等离子负极板，所述等离子正极板与等离子负极板分别设置于所述可转动托架组件的两侧，所述等离子控制器分别与所述中控器、等离子正极板、等离子负极板以及气体阀门连接。
2.根据权利要求1所述的清洗镀膜机，其特征在于：
所述气体罐组至少有四个，且分别装有氩气、氧气、氢气和氮气。
3.根据权利要求1所述的清洗镀膜机，其特征在于：
所述可转动托架组件包括托架以及转动机构，所述托架设置于所述转动机构上，所述托架在所述转动机构的带动下绕着其自身的轴线转动，所述转动机构与中控器连接。
4.根据权利要求3所述的清洗镀膜机，其特征在于：
所述托架设置于所述处理腔的中间位置。
5.根据权利要求1所述的清洗镀膜机，其特征在于：
所述粉体气化炉、高温裂解炉以及等离子控制器均收纳于反应台内；
所述中控器设置于所述反应台上。
设计说明书
技术领域
本实用新型涉及清洗镀膜机。
技术背景
随着电子产品对镀膜的质量要求的提升，在镀膜工序之前需要添加等离子清洗工序对产品进行清洗以提高镀膜质量。现有的用于聚对二甲苯镀膜的真空镀膜机和等离子清洗机是两台独立的设备，在配合过程中存在如下问题：
1、需要将待镀件放入等离子清洗机的腔体内抽真空后打等离子体清洗产品表面，再恢复常压后取出待镀件放入真空镀膜机的腔体内再抽真空到指定真空值后开始镀膜。多次抽真空的操作，耗时长，影响加工处理效率，并且随着时间的延长，等离子清洗的效果减弱。
2、两种设备在配合处理过程中，待镀件需要在不同腔体间转移、搬运和重新排布，容易受到环境及操作人员的二次污染，影响等离子清洗的效果。
为了解决上述存在的缺陷，中国发明申请201510449218.X，一种低应力的各项同性有机物填充的装置及方法中公开了一种将抽真空与镀膜集成一体的装置，其在蒸发室内的样品夹具托盘的正上方设置等离子清洗源，解决了上述缺陷，但是其等离子清洗得到的待镀件表面的达因值不高，从而导致等离子清洗后的待镀件的表面亲水性以及镀膜后的膜层附着力不佳。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是现有技术中存在的等离子清洗后待镀件表面达因值地、亲水性差一级附着力差的技术问题，提供一种清洗镀膜机，该清洗镀膜机等离子清洗后的待镀件表面达因值较高，且镀膜后的膜层与待镀件之间具有良好的附着力。
为解决上述技术问题，本实用新型采取的技术方案如下：
一种清洗镀膜机，包括依次连通的粉体气化炉、高温裂解炉、处理腔、冷阱以及真空泵，所述高温裂解炉与处理腔之间通过粉体阀门连通，所述处理腔内设有用于摆放待镀件的可转动托架组件以及等离子清洗组件，还包括：若干组气体罐组，每组所述气体罐组均包括一气体罐以及一气体阀门，所述气体罐通过所述气体阀门与所述处理腔的内部连通；中控器，所述中控器分别与所述粉体气化炉、高温裂解炉、粉体阀门、可转动托架组件、冷阱、真空泵和等离子清洗组件连接；所述等离子清洗组件包括：等离子控制器、等离子正极板与等离子负极板，所述等离子正极板与等离子负极板分别设置于所述可转动托架组件的两侧，所述等离子控制器分别与所述中控器、等离子正极板、等离子负极板以及气体阀门连接。
根据本实用新型的一个方面，更优的，所述气体罐组至少有四个，且分别装有氩气、氧气、氢气和氮气。
根据本实用新型的一个方面，更优的，所述可转动托架组件包括托架以及转动机构，所述托架设置于所述转动机构上，所述托架在所述转动机构的带动下绕着其自身的轴线转动，所述转动机构与中控器连接。
根据本实用新型的一个方面，所述托架设置于所述处理腔的中间位置。
根据本实用新型的一个方面，所述粉体气化炉、高温裂解炉以及等离子控制器均收纳于反应台内；所述中控器设置于所述反应台上。
本实用新型的清洗镀膜机能够实现中国发明申请201510449218.X的效果的同时通过待镀件两侧分别设置等离子正极板以及等离子负极板对待镀件进行等离子清洗，根据待镀件材质选取不同气体进行清洗，物理清洗和\/或化学清洗相结合，从而使得其待镀件的表面的达因值较高，可达到58以上，具有良好的亲水性以及镀层与待镀件之间的附着力，取得了较好的技术效果。
附图说明
下面将以明确易懂的方式，结合附图说明优选实施方式，对清洗镀膜机的上述特性、技术特征、优点及其实现方式予以进一步说明。
图1是清洗镀膜机的具体实施方式的结构示意图。
附图标号说明：
1-中控器，2-粉体气化炉，3-高温裂解炉，4-等离子正极板，5-等离子负极板，6-托架，7-转动机构，8-冷阱，9-真空泵，10-等离子控制器，11-处理腔，12-粉体阀门，13-气体罐，14-气体阀门，15-反应台。
下面通过具体的实施例进行相应的论述。
具体实施方式
【实施例1】
如图1所示，实施例1公开了一种清洗镀膜机的具体实施方式，用于在待镀件上镀聚对二甲苯膜(即派瑞林膜)，其包括：依次连通的粉体气化炉2、高温裂解炉3、处理腔11、冷阱8、真空泵9、4组气体罐组以及中控器1，其中，高温裂解炉3与处理腔11之间通过粉体阀门12连通，该粉体阀门12为电磁阀，处理腔11内设有用于摆放待镀件的可转动托架组件以及等离子清洗组件，每组气体罐组均包括一气体罐13以及一气体阀门14，气体罐13通过对应的气体阀门14与处理腔11的内部连通，气体阀门14为电磁阀。4个气体罐13中分别装有氩气、氧气、氢气以及氮气，供对待镀件进行等离子清洗时使用。
如图1所示，等离子清洗组件包括：等离子控制器10、等离子正极板4、等离子负极板5，等离子正极板4与等离子负极板5分别设置于可转动托架组件的两侧，即等离子正极板4与等离子负极板5分别固定在处理腔11的内壁上。
等离子控制器10分别与中控器1、等离子正极板4、等离子负极板5以及气体阀门14连接。等离子控制器10通过控制气体罐13对应的气体阀门14来控制是否向处理腔11内通相应气体。当等离子控制器10使得等离子正极板4与等离子负极板5通电时，即激发等离子气体对待镀件的表面进行清洗。
可转动托架组件包括托架6以及转动机构7，托架6设置于转动机构7上，转动机构7与中控器1连接，其中，转动机构7为电机，托架6与电机的动力输出轴固定连接，从而托架6在电机的输出轴的带动下绕着其自身的轴线转动，且托架6设置于处理腔11的中间位置。托架6在清洗和镀膜时转动提高了清洗和镀膜的均匀性。
中控器1综合控制待镀件的整个清洗与镀膜的过程，中控器1分别与粉体气化炉2、高温裂解炉3、粉体阀门12、可转动托架组件的转动机构7、冷阱8、真空泵9和等离子清洗组件的等离子控制器10连接。
其中，中控器1可控制粉体气化炉2、高温裂解炉3、可转动托架组件的转动机构7、冷阱8和真空泵9的启闭，同时可以控制粉体阀门12的启闭、控制可转动托架组件中的转动机构7的转动速度以及等离子控制器10具体如何清洗待镀件，其中，清洗待镀件选取的具体气体种类根据待镀件材质决定，此处不做限制。本实施例中，中控器1为触摸屏中央控制器，可显示各个被控设备的状态，反应灵活操作方便。
如图1所示，为了方便安置，将粉体气化炉2、高温裂解炉3以及等离子控制器10均收纳于反应台15内，中控器1设置于反应台15上。
本实施例中，待镀件放置于可转动托架组件的托架6上，当对待镀件进行清洗与镀膜时，待镀件在托架6的带动下转动，采用位于两侧的等离子正极板4与等离子负极板5以及通入的气体对待镀件的表面进行等离子清洗，然后再进行聚对二甲苯的镀膜即可。
【实施例2】
如图1所示，实施例2公开了一种清洗镀膜方法的具体实施方式，其应用了实施例1中公开的清洗镀膜机，该方法具体包括如下步骤：
a)将待镀件放置于处理腔11的可转动托架组件上，将镀膜材料放置于粉体气化炉2内，关闭连通高温裂解炉3和处理腔11之间的粉体阀门12；
b)启动冷阱8与真空泵9对处理腔11进行抽真空，处理腔11内压力达到15～50Pa；
c)启动等离子清洗组件清洗处理腔11内的待镀件，清洗时间为1～30min；
d)关闭等离子清洗组件后，打开粉体阀门12，将处理腔11内压力控制在5～30Pa；
e)开启粉体气化炉2和高温裂解炉3对待镀件进行镀膜。
其中，在步骤c与步骤d中，控制可转动托架组件的托架6的转动频率为0.5～3圈\/分钟。
以在矽钢片上进行聚对二甲苯镀膜(即派瑞林层)为例，进行举例说明：
a)将矽钢片放置于处理腔11的托架6上，将聚对二甲苯放置于粉体气化炉2内，关闭连通高温裂解炉3和处理腔11之间的粉体阀门12，聚对二甲苯的具体数量根据镀膜的厚度计算；
b)启动冷阱8到-85℃以下，真空泵9对处理腔11进行抽真空，处理腔11内压力达到第一压力，本实施例中，第一压力为28Pa；
c)启动等离子清洗组件清洗处理腔11内的待镀件，具体的，使得托架6的转速保持在第一转速，本实施例中，托架6的第一转速为0.5圈\/分钟，打开装有氩气和氧气对应的气体阀门14，保持装有氢气和氮气对应的气体阀门14关闭，控制氩气和氧气的流量在400ml\/min，气体流量根据处理腔11的体积以及等离子正极板4与等离子负极板5之间的间距确定，一般在100～500毫升\/分钟之间取值，处理腔11内冷却温度控制在25℃，本实施例中，清洗时间为10min；
d)关闭等离子清洗组件，即关闭装有氩气和氧气对应的气体阀门14，再关闭等离子控制器10，最后打开粉体阀门12，将处理腔11内压力控制在第二压力，本实施例中，处理腔11内的第二压力控制在15Pa；
e)开启粉体气化炉2和高温裂解炉3对待镀件进行镀膜，具体的，开启粉体气化炉2，调节其反应腔内温度至180℃，开启高温裂解炉3，调节其反应腔内温度至700℃，再对矽钢片进行镀膜时，沉积速率控制在1-1.5um\/h。
直至粉体气化炉2内的聚对二甲苯粉末耗尽后，保持粉体气化炉2和高温裂解炉3的加热状态下处理腔11内气压到合适压强后，即识别为镀膜结束，前述合适压强的取值根据镀膜产品的镀膜厚度决定，此时可关闭各个设备电源，打开处理腔11取出得到的镀膜产品。
本实施例中的实验参数、等离子清洗后的待镀件的表面达因值以及得到镀膜产品的性质列于下表1。
【实施例3～4】
以下采用实施例2中的清洗镀膜方法在其他不同材质的待镀件上镀聚对二甲苯镀膜，分别作为实施例3～4，实施例3～4的实验参数、等离子清洗后的待镀件的表面达因值以及得到镀膜产品的性质列于下表1。
【对比例1～2】
对比例1采用中国发明申请201510449218.X中公开的装置对矽钢片进行聚对二甲苯镀膜，不采用任何气体，直接采用等离子正极板与等离子负极板进行等离子清洗，其实验参数、等离子清洗后的待镀件的表面达因值以及得到镀膜产品的性质列于下表1。
对比例2采用中国发明申请201510449218.X中公开的装置对实施例3的相同待镀件进行聚对二甲苯镀膜，不采用任何气体，直接采用等离子正极板与等离子负极板进行等离子清洗，其实验参数、等离子清洗后的待镀件的表面达因值以及得到镀膜产品的性质列于下表1。
【表1】
由上表1中数据可知，实施例2～实施例4的经过等离子清洗后的待镀件的表面达因值与进行聚对二甲苯镀膜后的镀膜产品的百格测试等级均高于背景技术中的对比例1得到的经过等离子清洗后的待镀件的表面达因值与进行聚对二甲苯镀膜后的镀膜产品的百格测试等级，分别对比实施例2与对比例1、实施例3与对比例2的表面达因值与百格测试等级，可以很明显的得出，本实用新型能够提高经过等离子清洗后的待镀件的表面达因值约12％，将进行聚对二甲苯镀膜后的镀膜产品的百格测试等级提高1-2级。
应当说明的是，上述实施例均可根据需要自由组合。以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
设计图
相关信息详情
申请码:申请号:CN201920027493.6
申请日:2019-01-08
公开号:公开日:国家:CN
国家/省市:32(江苏)
授权编号:CN209368346U
授权时间:20190910
主分类号:C23C 14/02
专利分类号:C23C14/02;C23C14/24
范畴分类:25F;
申请人:苏州凯瑞纳米科技有限公司
第一申请人:苏州凯瑞纳米科技有限公司
申请人地址:215168 江苏省苏州市吴中经济开发区兴南路1号6幢
发明人:钦晔
第一发明人:钦晔
当前权利人:苏州凯瑞纳米科技有限公司
代理人:张惠明
代理机构:31251
代理机构编号:上海硕力知识产权代理事务所（普通合伙）
优先权:关键词:当前状态:审核中
类型名称:外观设计