氨基化硅藻基As(Ⅴ)印迹复合材料的制备与性能

氨基化硅藻基As(Ⅴ)印迹复合材料的制备与性能

论文摘要

采用硅藻作为材料载体、选取氨基丙基三甲氧基硅烷(APS)作为功能单体、As(Ⅴ)为模板离子、环氧氯丙烷(ECH)为交联剂通过表面印迹组合,制备了砷离子印迹复合材料,并将其应用于二元体系中对砷离子的选择吸附。采用扫描电镜、X射线光电子能谱、傅立叶变换红外光谱及N2吸附-脱附实验对材料进行表征,探究了硅藻基表面印迹法的搭接方式:氨基丙基三甲氧基硅烷首先通过缩合反应脱去甲氧基,与硅藻表面的活性羟基形成了(Si-O)3≡Si-R结构,在硅藻表面形成有效接枝,通过环氧氯丙烷与APS中的氨基交联形成印迹结合位点,从而在硅藻表面形成了具有As(Ⅴ)选择性的复合印迹孔穴。采用选择性系数法,得出离子印迹复合材料对砷离子(As(Ⅴ))的去除率为98%,相对选择性系数(k′)均大于1.5。

论文目录

  • 0 引言
  • 1 实验部分
  •   1.1 试剂与仪器
  •   1.2 离子印迹复合材料的制备
  •     1.2.1 活化硅藻土
  •     1.2.2 模板离子固定
  •     1.2.3 模板离子洗脱
  •   1.3 离子印迹复合材料的表征与分析
  •   1.4 离子印迹复合材料的吸附性能
  • 2 结果与讨论
  •   2.1 硅藻表观形貌
  •   2.2 FT-IR分析
  •   2.3 硅藻基印迹材料表面结构分析
  •   2.4 BET比表面积及BJH孔径分析
  •   2.5 吸附效果
  •   2.6 再生性实验
  • 3 结论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 梁效铭,钟溢健,马丽丽,李聪,杨勤桃,陈南春,解庆林

    关键词: 硅藻,离子印迹,形成机理,吸附,选择性

    来源: 无机化学学报 2019年05期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅰ辑

    专业: 有机化工,环境科学与资源利用

    单位: 桂林理工大学材料科学与工程学院,桂林理工大学环境科学与工程学院

    基金: 国家自然科学基金(No.41662005,51564008),广西科技攻关项目(桂科攻14124004-5-5),广西中青年能力项目(No.2018KY0249),广西环境污染控制理论与技术重点实验室研究基金资助

    分类号: X703;TQ424

    页码: 828-836

    总页数: 9

    文件大小: 1673K

    下载量: 131

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