论文摘要
单层二硫化钼（MoS2）具有直接带隙和优异的光电性能,在场效应晶体管、太阳能电池、光电探测器和气体传感器等领域有潜在的应用前景。本文采取常压化学气相沉积（APCVD）的方法在SiO2/Si衬底上生长了大尺寸的三角形MoS2纳米片。Raman谱、PL谱和光学衬度谱表明,所生长的MoS2样品为厚度均匀的单层MoS2,且具有较高的晶化质量和良好的发光性能。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 祝祖送,尹训昌,尤建村
关键词: 二硫化钼,化学气相沉积,晶化质量,均匀性
来源: 安庆师范大学学报(自然科学版) 2019年03期
年度: 2019
分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑
专业: 无机化工,材料科学
单位: 安庆师范大学物理与电气工程学院
基金: 安徽高校自然科学重点研究项目(KJ2019A0575),教育部产学合作协同育人项目(201802070102),安庆师范大学资助项目(2017JYXM034)和安庆师范大学物理与电气工程学院资助项目(Wdxy2018jyxm001)
分类号: TB383.1;TQ136.12
DOI: 10.13757/j.cnki.cn34-1328/n.2019.03.014
页码: 56-59
总页数: 4
文件大小: 1581K
下载量: 123
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