论文摘要
基于密度泛函理论体系下广义梯度近似（GGA）,利用第一性原理方法计算了Be替代Al、S替代N和Be-S共掺杂对氮化铝纳米片的电子结构和光学性质的影响.计算结果表明,掺杂改变了氮化铝纳米片的带隙,但仍显示半导体特性. Be掺杂类型对氮化铝纳米片的晶体结构影响不大,而S掺杂和Be-S共掺杂都使得氮化铝纳米片有不同程度的弯曲.同时Be-S共掺杂中S原子起到激活受主杂质Be原子的作用,使得受主能级向低能方向移动.共掺杂比单掺杂具有更高的受主原子浓度,并减小局域化程度.光学性质也发生较大改变:S原子掺杂氮化铝纳米片的介电函数虚部出现第二介电峰,Be掺杂和Be-S共掺杂使得损失谱的能量区间有所展宽,峰值降低并向高能区移动.
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 屈艺谱,刘玉怀,王芳,陈雪
关键词: 氮化铝纳米片,密度泛函理论,电子结构,光学性质
来源: 原子与分子物理学报 2019年05期
年度: 2019
分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑
专业: 材料科学
单位: 郑州大学电子材料与系统国家国际联合研究中心,郑州大学河南省电子材料与系统国际联合实验室,郑州大学产业技术研究院,郑州大学信息工程学院电子与信息工程系
基金: 国家重点研究计划(2016YFE0118400),国家自然科学基金河南省联合基金重点项目(U1604263),河南省科技攻关项目(172102410062)
分类号: TB383.1
页码: 765-770
总页数: 6
文件大小: 1593K
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