碳化硅技术陶瓷无压烧结工艺研究

论文摘要

碳化硅陶瓷具有诸多优异的性能,被广泛应用于很多领域,碳化硅陶瓷的制备常用无压烧结法。无压烧结具有操作简单、成本低、可制备形状复杂和大尺寸的碳化硅部件,而且相对容易实现工业化生产等特点,因此无压烧结是碳化硅陶瓷制备中最有前途的烧结方法。本实验采用无压烧结,在α-SiC粉体中添加不同含量粒度为1μm的β-SiC,烧结助剂为碳化硼,粘结剂为酚醛树脂,保护气氛为氩气,烧结温度为2 010℃,烧结时间为40 min。分析烧结体的性能,确定烧结体性能最佳时的β-SiC添加量。实验结果表明:β-SiC添加量为10 wt%时,烧结体体积密度最高,可达3.128 g/cm3。初步确定最佳的β-SiC添加量为10 wt%。

论文目录

• 前言
• 1 实验部分
•   1.1 实验原料
•     1.1.1 碳化硅
•     1.1.2 碳化硼
•     1.1.3 酚醛树脂
•     1.1.4 聚乙二醇
•     1.1.5 四甲基氢氧化氨水溶液
•     1.1.6 油酸
•   1.2 实验设备
•   1.3 实验流程图
•   1.4 实验过程
•     1.4.1 浆料制备
•     1.4.2 浆料喷雾造粒
•     1.4.3 级配的设计
•     1.4.4 粉料成形
•     1.4.5 坯体烧结
• 2 实验结果与分析讨论
•   2.1 体积密度的测试与分析
•   2.2 维氏硬度的测试与分析
•   2.3 X衍射测试与分析
•   2.4 扫描电镜测试与分析
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 王坤

关键词: 高温焙烧法,氮掺杂,催化降解率,转化率,选择性

来源: 陶瓷 2019年06期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑

专业: 无机化工

单位: 新沂市星辰新材料科技有限公司

分类号: TQ174.6

DOI: 10.19397/j.cnki.ceramics.2019.06.009

页码: 43-53

总页数: 11

文件大小: 3356K

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