导读:本文包含了光电二极管论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:密度,异质,组合,光谱,同质,石墨,等离子。
光电二极管论文文献综述
张锐舟,张丕状,姚金杰,陈明,刘畅[1]（2019）在《创新光电二极管前置放大电路设计方法》一文中研究指出针对传统光电二极管放大电路的弊端,采用T型电阻网络代替单个反馈电阻的方法,改进了光电二极管前置放大电路的设计。传统的光电二级管放大电路结构简单,但是在使用的过程中会出现不少问题。由于光电二级管直接输出的电流信号很微弱,需要使用高阻值的反馈电阻,高阻值的反馈电阻会带来较大的寄生电容,这样会降低该放大电路的带宽和增益,同时也会影响稳定性,甚至会使光电二极管的前置放大电路性能严重下降乃至无法使用。因此需要对传统的光电二级管放大电路进行改进设计。采用新方法设计了一种带宽为5 MHz以上,在此带宽内保持稳定并具有一定增益的前置放大电路。经理论分析和仿真结果验证,该电路设计方法达到了较好的效果,可以在相位式激光测距仪等光电探测系统中推广使用。(本文来源于《国外电子测量技术》期刊2019年11期）
宋淑芳,王小菊,田震[2]（2019）在《HgCdTe雪崩光电二极管的研究进展》一文中研究指出碲镉汞红外雪崩光电二极管(APD)阵列作为最近十多年来发展起来的新型探测器,以其高增益、高灵敏度和高速探测的优点,成为未来微弱信号探测、二维/叁维成像、主/被动探测应用的重要器件。本文重点阐述了雪崩光电二极管的基本原理、以及HgCdTe雪崩光电二极管材料和器件的研究,结合应用方向对其研究进展进行了综述性介绍。(本文来源于《激光与红外》期刊2019年10期）
蒋毅,陈俊[3]（2019）在《基于异质结倍增层的InAlAsSb SACM雪崩光电二极管的优化》一文中研究指出使用低工作电压的雪崩光电二极管(APD)有利于提高集成电路的稳定性和降低功耗.文章建立了一个分离吸收、电荷、倍增(SACM)型的雪崩光电二极管的模型,为了在低偏压下获得高增益同时不降低工作电压范围,这个模型采用了具有高低禁带宽度的异质结倍增层.同时,文章研究了异质结倍增层的厚度和掺杂浓度对暗电流和增益的影响.通过对掺杂浓度的优化,击穿电压和穿通电压可以同时下降.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2019年05期）
陈豪,肖清泉,谢泉,王坤,史娇娜[4]（2019）在《近红外Mg_2Si/Si异质结光电二极管的结构设计与仿真》一文中研究指出本工作设计了近红外Mg_2Si/Si异质结光电二极管的器件结构,并采用Silvaco-TCAD对器件主要性能参数(包括光谱响应、暗电流等)进行模拟仿真,优化了器件的结构参数和工艺参数。仿真结果表明:所设计的pin型光电二极管在波长为0. 6～1. 5μm时比pn型光电二极管具有更高的响应度,峰值波长为1. 11μm时,响应度最高达到0. 742 A·W~(-1),1. 31μm处响应度为0. 53 A·W~(-1)。pin型光电二极管的暗电流密度较pn型光电二极管略大,约为1×10~(-6)A·cm~(-2)。Mg2_Si/Si异质结中间界面态密度也不宜超过1×10~(11)cm~(-2)。(本文来源于《材料导报》期刊2019年20期）
[5]（2019）在《英研究员研制出新一代雪崩光电二极管 可用于下一代信息传输》一文中研究指出英国卡迪夫大学复合半导体研究所(ICS)的一个研究小组最近研发出了一种速度超快且超敏感的雪崩光电二极管,相比传统的硅二极管,它的电子噪音更小,有希望成为未来高速数据通信的候选材料。雪崩二极管是一种利用光电效应将光转换为电的元件,根据研究人员的说法,超敏感雪(本文来源于《中国粉体工业》期刊2019年04期）
尹文,许金通,张惠鹰,李向阳[6]（2019）在《基于盖革模式雪崩光电二极管紫外计数系统》一文中研究指出针对工作在盖革模式下的硅基雪崩光电二极管(APD)进行了接收电路的设计,通过主动淬灭加快恢复的方式,对APD偏压进行调控,利用单稳态触发器使淬灭信号和恢复信号独立控制APD阳极的电压,从而同时控制淬灭时间和恢复时间,将死时间缩短至100.5ns,计数频率提升到10MHz,有效减少了后脉冲效应。采用脉冲甄别技术和单片机,对脉冲信号进行计数,通过对可见盲光子计数和暗计数的甄别,实现对微弱紫外信号的检测,为盖革模式下APD紫外通信奠定了基础。(本文来源于《半导体光电》期刊2019年04期）
[7]（2019）在《Marktech利用新的InGaAs PIN光电二极管扩展了SWIR传感器》一文中研究指出Marktech Optoelectronics公司位于美国纽约州Latham,是一家私营设计和制造标准和定制光电子元件和组件的制造商-包括UV,可见光,近红外(NIR)和短波红外(SWIR)发射器,探测器,磷化铟(InP)外延片和其他材料-推出了两个大型有源区铟镓砷(InGaAs)PIN光电二极管,专为扩展红外仪器和监(本文来源于《半导体信息》期刊2019年04期）
褚理想,樊巧云[8]（2019）在《基于量子遗传算法的多光电二极管布局优化》一文中研究指出光电二极管是一种体积小、成本低的感光传感器,由至少叁个配合可实现太阳矢量的测量,从而可以作为低精度的太阳敏感器。为了尽可能实现在360°视场空间任意方位求解太阳矢量,如何选择光电二极管数量并确定其布局方式是一个难点。文中首先将360°视场空间等表面积离散化,将无限的传感器的布局优化问题转换为有限的组合优化(NP问题难)。然后,通过建立覆盖度和均匀度的多目标优化函数,并结合量子遗传算法求解最优方案。实验分析了不同光电二极管数量和视场范围的布局效果,对多光电二极管的布局优化提供了理论性依据。实验结果显示,选择12～14个光电二极管可以基本实现无覆盖风险和均匀风险的布局。(本文来源于《红外与激光工程》期刊2019年08期）
舒晟[9]（2019）在《基于硅化镁薄膜材料光电二极管设计与性能研究》一文中研究指出硅化镁(Mg_2Si)是一种新型环保半导体材料,有着良好的光吸收,是一种很好的近红外光电材料。本文对基于硅化镁材料的光电二极管进行了设计与性能研究。本文结合Mg_2Si的工艺以及材料性能参数,提出了一套对Mg_2Si光电二极管进行计算的物理模型。利用该模型与Silvaco TCAD可以对光电二极管的正向压降、最大整流电流、反向击穿电压、暗电流等电学性能参数以及灵敏度、量子效率、探测率、等效噪声功率、响应时间等光学性能参数进行模拟计算。对于同质结PN型Mg_2Si光电二极管,本文研究了不同p型掺杂层的厚度、P型掺杂层掺杂浓度以及P与N型掺杂层的掺杂浓度的梯度对同质结PN型光电二极管的性能参数的影响。得到同质结PN型光电二极管最大探测度可以达到0.413(A/W),探测度最大对应入射光波长为875 nm。对于同质结PIN型Mg_2Si光电二极管,本文研究了不同p型掺杂层厚度、I型掺杂层厚度、N型掺杂层厚度以及I型掺杂层掺杂浓度对同质结PIN型光电二极管的性能参数的影响。得到同质结PIN型光电二极管的最大探测度可以达到0.433(A/W),探测度最大对应入射光波长为965 nm。在PIN结构的情况下其探测度可以达到1.44×10~(11) cm?Hz~(1/2)W~(-1),对应的入射光波长也为940 nm。通过理论计算可以得到Mg_2Si在近红外波段有着较好的光电转化特性以及较高的分辨特性。Mg_2Si薄膜在红外800~1000 nm的范围内都有着良好的吸收,可以用来制作近红外光电二极管。(本文来源于《贵州大学》期刊2019-06-01）
冯佳欢[10]（2019）在《表面等离子体增强有机发光二极管光电性能的研究》一文中研究指出有机发光二极管(Organic Light-emitting Diode,OLED)由于其具有自发光、超轻、超薄、低功耗和可弯曲等优点引起了人们的广泛关注。金纳米颗粒(Au nanoparticles,Au NPs)的局域表面等离子体共振(LSPR)耦合增强激子的自发辐射速率能有效地促进光发射,从而提高OLED的性能。氧化石墨烯(Graphene oxide,GO)由于其大的表面积,高的固有迁移率,高的光学透射率等独特的物理和电子特性已被广泛用于光电器件。论文主要围绕金纳米颗粒LSPR效应和GO在有机发光二极管中的应用展开研究,主要工作归纳为:(1)研究金纳米颗粒的尺寸形貌和吸收光谱的对应关系,并应用其LSPR效应提高OLED器件的光电性能。金纳米颗粒直径为20nm,其吸收光谱在520 nm附近,与基础器件PL谱高度匹配;将不同浓度的金纳米颗粒作为空穴注入层来修饰阳极界面,器件结构为ITO/Au NPs/NPB/Alq_3/LiF/Al。与参考器件相比,当金纳米颗粒浓度为10%时,最大亮度从2380cd/m~2增加到3050cd/m~2,增强了28.2%,最大电流效率和最大外量子效率分别增强了28.6%和26.4%。(2)研究GO空穴注入层对OLED器件光电性能的影响。通过调节GO浓度改变其厚度,器件结构为ITO/GO/NPB/Alq_3/LiF/Al,当GO浓度为0.5mg/ml时,器件光电性能均有提升达到最佳值。OLED器件的开启电压从3.2 V降至3.0 V,最大电流效率提升到2.63%,外量子效率提升到0.62%,最大亮度增强了16.8%。一方面根据能带工程,GO的引入使ITO和Alq_3之间形成能级台阶,可有效降低能量势垒从而提高空穴注入效率,增强发光效率;另一方面,GO的高势垒将阻碍电子从Al阴极到ITO的传输,充当有效的电子阻挡层,从而降低电子-空穴复合率,提高外量子效率。(3)研究GO/Au NPs复合物对OLED器件光电性能的影响。器件结构为ITO/GO/Au NPs/NPB/Alq_3/LiF/Al,当GO/Au NPs复合物的浓度为10%时,OLED的最大亮度高达3520 cd/m~2,最大电流效率和外量子效率为3.55 cd/A和0.77%,分别提升49.2%和45.3%。一方面在Alq_3中引入Au NPs可以有效利用LSPR效应增强发射强度;另一方面GO可以优化器件的能级结构,并通过阻挡电子从发光层流向ITO并提高空穴注入效率来平衡电子和空穴注入,从而进一步提升OLED的器件性能。(本文来源于《湖北工业大学》期刊2019-06-01）
光电二极管论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
碲镉汞红外雪崩光电二极管(APD)阵列作为最近十多年来发展起来的新型探测器,以其高增益、高灵敏度和高速探测的优点,成为未来微弱信号探测、二维/叁维成像、主/被动探测应用的重要器件。本文重点阐述了雪崩光电二极管的基本原理、以及HgCdTe雪崩光电二极管材料和器件的研究,结合应用方向对其研究进展进行了综述性介绍。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
光电二极管论文参考文献
[1].张锐舟,张丕状,姚金杰,陈明,刘畅.创新光电二极管前置放大电路设计方法[J].国外电子测量技术.2019
[2].宋淑芳,王小菊,田震.HgCdTe雪崩光电二极管的研究进展[J].激光与红外.2019
[3].蒋毅,陈俊.基于异质结倍增层的InAlAsSbSACM雪崩光电二极管的优化[J].红外与毫米波学报.2019
[4].陈豪,肖清泉,谢泉,王坤,史娇娜.近红外Mg_2Si/Si异质结光电二极管的结构设计与仿真[J].材料导报.2019
[5]..英研究员研制出新一代雪崩光电二极管可用于下一代信息传输[J].中国粉体工业.2019
[6].尹文,许金通,张惠鹰,李向阳.基于盖革模式雪崩光电二极管紫外计数系统[J].半导体光电.2019
[7]..Marktech利用新的InGaAsPIN光电二极管扩展了SWIR传感器[J].半导体信息.2019
[8].褚理想,樊巧云.基于量子遗传算法的多光电二极管布局优化[J].红外与激光工程.2019
[9].舒晟.基于硅化镁薄膜材料光电二极管设计与性能研究[D].贵州大学.2019
[10].冯佳欢.表面等离子体增强有机发光二极管光电性能的研究[D].湖北工业大学.2019
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