导读:本文包含了平面抛光论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:平面,材料,光学,微结构,元件,流体,集群。
平面抛光论文文献综述
黄金勇,赵恒,胡庆,高胥华[1]（2019）在《大口径平面光学元件波前梯度数控抛光》一文中研究指出针对改善光学元件的波前梯度均方根指标,在总结面形精度及面形分布对波前梯度指标影响规律的基础上,提出了基于匀滑面形拟合加工的方法,给出了该方法的基本思想和工作流程。首先,对原始面形数据进行扫描计算,标记波前突变数据。然后,采用NURBS拟合算法重构相邻面形突变点之间的数据,生成用于指导加工的面形数据。最后,根据待加工面形数据选择相应参数进行面形加工。采用多件610mm×440mm口径K9材料平面反射镜进行实验验证。实验结果表明,使用该方法进行数控加工,在2～3个加工周期内可使波前梯度均方根指标从11nm/cm收敛至7.7nm/cm以内,且面形几乎保持不变。(本文来源于《光学精密工程》期刊2019年07期）
曹明琛,刘孟奇,赵凌宇,谢瑞清,赵惠英[2]（2019）在《平面光学元件抛光中沥青抛光胶材料特性研究》一文中研究指出化学机械抛光(CMP)是平面光学元件超精密加工的重要手段,其所用的沥青材料抛光胶虽历史悠久,但仍需要人工进行试错选型。针对国内外多种沥青抛光胶,进行了材料特性分析,包括针入度、软化点等。通过Burgers蠕变模型对沥青抛光胶的粘弹性进行分析,得到了沥青的蠕变函数。最终,为生产用沥青抛光胶的选型提供支持。(本文来源于《冶金管理》期刊2019年13期）
陈文清[3]（2019）在《基于创制加工式的超镜面平面研磨抛光工艺方法的研究》一文中研究指出以光学镜面模具平面工件为实验工件,从加工设备、原材料配制以及工艺精度成形原理等方面系统提出一种超镜面平面研磨抛光工艺方法,制定相应的工艺实施路线并进行评价。成功解决了研磨抛光过程的润滑和发热等问题,从而降低工件表面出现各种微细缺陷的概率,得到完美的镜面表面。此方法可以广泛应用与集成电路制造、医疗器械、汽车配件、数码配件、精密模具、航空航天等领域。(本文来源于《制造技术与机床》期刊2019年06期）
潘文波,路家斌,阎秋生[4]（2018）在《铝合金阳极氧化膜的集群磁流变平面抛光试验研究》一文中研究指出为获得抛光均匀的铝合金阳极氧化膜表面,采用集群磁流变平面抛光技术对铝合金阳极氧化膜进行抛光试验,探讨加工间隙、工件转速、抛光盘转速、偏摆幅度、加工时间等加工参数对其表面粗糙度和材料去除率的影响规律。结果表明:随着加工间隙的增大,工件表面粗糙度先减小后增大,材料去除率则递减;随着工件转速或偏摆幅度的增加,工件的表面粗糙度均先迅速减小后缓慢增大,材料去除率则先增加后减小;随着抛光盘转速的增加,工件的表面粗糙度和材料去除率均先减小后增加;随着加工时间的延长,表面粗糙度迅速减小之后趋于稳定。在文中试验条件下,在加工间隙1. 1 mm、工件转速350 r/min、抛光盘转速60 r/min、偏摆幅度10 mm、加工10 min左右时工件表面粗糙度从原始的332. 9 nm下降至5. 2 nm,达到了镜面效果。(本文来源于《润滑与密封》期刊2018年10期）
严振,方从富,刘冲[5]（2018）在《偏摆式平面研磨抛光轨迹的理论研究》一文中研究指出为分析偏摆式平面研磨抛光中偏摆运动参数对研磨抛光轨迹的影响规律,建立运动轨迹模型,用轨迹非均匀性定量方法进行评价。结果表明:偏摆幅度和偏摆角度对轨迹非均匀性影响显着,而偏摆角速度(取到非特殊值时)对轨迹非均匀性影响很小。当偏摆幅度和偏摆角度分别为15mm和30°左右时,轨迹非均匀性明显改善,其值可减小到0.058;而选择不当的偏心距和偏摆运动参数时,其值可达0.284。(本文来源于《金刚石与磨料磨具工程》期刊2018年04期）
王永强,尹韶辉[6]（2018）在《大抛光模磁流变超光滑平面抛光技术研究》一文中研究指出随着光电通信及半导体照明技术的迅速发展,超光滑平面元器件需求越来越大。该类器件表面要求达到亚纳米级表面粗糙度、微米级面形精度且无表面和亚表面损伤,传统超精密抛光技术难以兼顾效率、成本及损伤等多方面的要求,无法适应大批量生产。论文在对比分析国内外超光滑表面加工技术的基础上,提出了一种大抛光模磁流变超光滑平面抛光技(本文来源于《金属加工(冷加工)》期刊2018年08期）
刘才勇[7]（2018）在《基于图案抛光垫的平面元件全局修形方法和装置》一文中研究指出高精度平面元件是精密机械和光学装置的重要组成部分,其加工技术研究对提升精密装置的制造水平具有重要意义。当前高精度平面元件的应用,要求平面元件表面的精度(如面形精度)及加工效率不断提高。通过对国内外有关抛光技术相关研究的调研,针对传统抛光方法面形精度收敛速度慢的难题,提出了高效可控的平面元件全局修形抛光方法。全局修形抛光是根据平面元件初始面形,控制元件表面整体材料去除率分布,实现平面元件整体面形的快速修正。为获得高效率以及可控的修形,本文研究了高精度平面元件的全局修形抛光方法,研制了全局修形抛光机,实现了100 mm口径平面光学元件的高效加工。主要研究工作如下:(1)通过以普林斯顿方程作为理论研究基础,分析了抛光工件运动形式,获得了全局修形控制工件表面材料去除率的预测方法。通过工件与图案抛光垫间接触状态改变工件的径向材料去除率分布,推导了抛光垫环槽设计过程,获得工件表面面形预测及优化加工时间的策略。通过制定全局修形加工流程,搭建了专用的全局修形装置。(2)利用搭建的全局修形装置,通过对K9平面光学玻璃的加工,分析了图案抛光垫结构对材料去除率的分布影响。通过对多工件的抛光加工,分析了工件材料去除率的稳定性。通过研究两种材质抛光垫(PVC材质抛光垫及聚氨酯抛光垫),采用不同沟槽位置参数的环槽,分析了环槽结构对工件材料去除率预测的影响,以及工件材料去除试验与理论间的差异,获得控制抛光的变量因素。(3)应用全局修形抛光方法,采用理论优化设计以及获得的合理的工艺参数,针对不同面形的K9光学元件修形试验,获得修形可行性验证。通过对工件原始表面面形PV值为1.804μm的工件修形加工,获得表面面形0.406μm。通过对工件原始表面面形PV值为0.756μm,采用一轮修形加工,获得表面面形0.276μm。通过试验验证对于不同面形值的元件,需要将预测方法结合合理工艺参数。(本文来源于《大连理工大学》期刊2018-06-05）
潘文波[8]（2018）在《典型手机外壳材料的集群磁流变平面抛光加工研究》一文中研究指出在信息技术飞速发展的时代背景下,智能手机已经成为人们日常生活的必需品,手机外壳逐渐成为厂商吸引消费者购买手机的新亮点和竞争重心。手机外壳的抛光工艺直接决定了外壳的外观质量和加工成本,也决定了消费者的感官体验,为满足消费者在感官品质上日益提高的追求,抛光加工工艺的改善或者新应用迫在眉睫。为适应手机外壳材料多样性的要求,本文提出将集群磁流变抛光技术应用到手机外壳的加工中,以实现手机外壳的高效率、高精度、柔性化、适应性的平坦化加工。本文针对常用的两种手机外壳材料进行了系列试验研究,以获得不同材料的最佳抛光工艺参数,并对其抛光力特性进行分析,为磁流变抛光技术在手机外壳加工中的应用奠定基础。采用集群磁流变平面抛光装置分别对两种代表性的手机外壳材料阳极氧化铝合金和氧化锆陶瓷进行了单因素试验,研究了加工间隙、工件转速、抛光盘转速、偏摆幅度、磨料种类、磨料粒径等工艺参数对工件的材料去除率和表面粗糙度的影响规律,获得了不同材料的最佳工艺参数。在加工间隙1.1mm,工件转速350rpm,抛光盘转速60rpm,偏摆10mm的工艺条件下,采用3μm的氧化铈磨料抛光阳极氧化铝合金,得到了Ra 5.2nm的镜面效果。在选用3μm氧化铝磨料,工件转速为400rpm,加工间隙0.9mm的工艺参数条件下获得了Ra 8.1nm的超光滑氧化锆陶瓷表面。研究了不同加工时间下的材料去除过程,结果发现集群磁流变抛光可以塑性方式去除上一道工序中产生的表面缺陷和亚表面损伤层,但最终的抛光质量仍然会受到材料本身缺陷的影响。利用Kistler-9171A旋转式测力仪搭建了测力平台,通过对集群磁流变抛光加工的力信号进行实时测量,探讨了加工间隙、工件转速、抛光盘转速、工件偏摆幅度以及磨料种类、磨料粒径等不同工艺参数对抛光正压力Fn和剪切力Ft的影响规律,从不同工艺条件下磨料微粒的约束形态着手,研究了集群磁流变抛光的抛光力特性。结果发现,在集群磁流变抛光中,不同参数对抛光力特性的影响规律不同。随着加工间隙的增加,抛光正压力Fn和剪切力Ft均逐渐减小,抛光正压力Fn下降更明显。随着工件转速和偏摆幅度的增加,抛光正压力Fn和剪切力Ft均先逐渐增大再减小。磨料的硬度、密度和形状均会影响磁流变抛光的作用力大小。集群磁流变抛光的剪切力Ft与抛光正压力Fn的比值均在0.1-0.2之间,但磨料粒径和抛光盘转速对Ft/Fn的比值影响很大。但是,不同工件材料对集群磁流变抛光的正压力Fn几乎没有影响,而其表面形貌特性与硬度对剪切力Ft会产生较大的影响。(本文来源于《广东工业大学》期刊2018-05-01）
董敏[9]（2018）在《磁流变动压平面抛光过程研究》一文中研究指出随着光电技术、信息电子技术以及半导体照明技术的飞速发展,超光滑表面加工的需求越来越多,精度要求达到纳米级甚至亚纳米级的表面粗糙度、微米级的面形精度以及没有表面与亚表面损伤。传统的超精密抛光技术由于效率低、成本高、易于产生表面损伤等,难以满足越来越高的要求。本文在比较分析国内外磁流变加工技术和流体动压研究的基础上,将集群磁流变平面抛光原理与流体动压原理相结合,提出了磁流变动压平面抛光技术,提供一种高效无损伤的平面抛光方法,显着提高抛光效率,通过基础理论方面和工艺实验方面的研究,探讨了其加工机理。首先,设计了V形、U形、矩形、孔洞形等不同盘面微结构的抛光盘,对不同结构抛光盘流体动压力进行建模计算并分析了流体动压力分布,通过Matlab对V形结构、U形结构、矩形结构等几种模型压强及动压力公式进行数值仿真分析,得到当h_1/h_2>2时,动压力有V形结构>U形结构>矩形结构;在W_2部分占整个微结构部分四分一至二分之一左右长度时,产生的动压力比较大;优化设计了V形沟槽、U形沟槽、矩形沟槽以及阵列孔洞结构抛光盘结构参数。探讨了流体动压效应下磨粒及磁性粒子的运动形式及材料去除机理。其次,搭建了加工过程抛光力测量平台,采用不同结构抛光盘进行工件转速、加工间隙等主要影响因素对实际抛光力的影响实验,得出了抛光盘表面不同微结构对抛光力的影响有正反两方面效果,其中V形盘和U形盘产生了动压力,而矩形盘对抛光力产生了负面效果;0.8-0.9mm间隙时,V形盘比平盘正压力高了近10N,切向力高了近16N;转速为500-550r/min时,V形盘和U形盘比平盘正压力分别高了15N和20N左右,切向力分别高了8N和5N左右。正确设计抛光盘表面微结构参数是是实现磁流变动压平面抛光的关键,证明了抛光盘表面加工有V形沟槽、U形沟槽等特定表面结构可形成流体动压力,验证了磁流变动压平面抛光的可行性。最后,搭建完成磁流变动压平面抛光实验台,以材料去除率和表面粗糙度为评判标准,研究了工件转速、加工间隙、铁粉浓度以及磨料浓度对抛光效果的影响,不同微结构抛光盘的材料去除率从大到小得顺序为V形盘>U形盘>平面盘>孔洞盘>矩形盘;其中V形盘比平盘提高了约25%。通过优化的工艺参数,在加工间隙1.0mm、工件转速550r/min、铁粉浓度20wt%、磨料浓度8wt%、主轴偏摆20mm的工艺参数条件下,采用3μm的碳化硅磨料抛光单晶硅基片,在平盘、V形结构、U形结构盘上进行了抛光实验,其中V形盘获得表面粗糙度小于Ra8nm的超光滑表面,且硅片表面镜面效果较好。(本文来源于《广东工业大学》期刊2018-05-01）
董敏,路家斌,潘继生,阎秋生[10]（2018）在《磁流变微结构动压平面抛光试验研究》一文中研究指出为提高集群磁流变平面抛光效率,在抛光盘表面增加微结构,以增强加工过程中的流体动压作用。使用平面抛光盘和表面加工有孔洞、V形槽、U形槽、矩形槽等不同微结构的抛光盘进行抛光试验及抛光压力特性试验,研究了加工间隙和工件转速对加工效果的影响。结果表明:抛光盘表面微结构对工件材料去除率影响较大,不同微结构盘材料去除率从大到小顺序为V形盘>U形盘>平面盘>孔洞盘>矩形盘,其中V形盘的材料去除率比平面盘高25%以上;所有抛光盘均能获得纳米级(R_a在8nm以内)表面。当加工间隙为0.9~1.0mm、工件转速为550r/min时,加工效果较好。(本文来源于《金刚石与磨料磨具工程》期刊2018年01期）
平面抛光论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
化学机械抛光(CMP)是平面光学元件超精密加工的重要手段,其所用的沥青材料抛光胶虽历史悠久,但仍需要人工进行试错选型。针对国内外多种沥青抛光胶,进行了材料特性分析,包括针入度、软化点等。通过Burgers蠕变模型对沥青抛光胶的粘弹性进行分析,得到了沥青的蠕变函数。最终,为生产用沥青抛光胶的选型提供支持。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
平面抛光论文参考文献
[1].黄金勇,赵恒,胡庆,高胥华.大口径平面光学元件波前梯度数控抛光[J].光学精密工程.2019
[2].曹明琛,刘孟奇,赵凌宇,谢瑞清,赵惠英.平面光学元件抛光中沥青抛光胶材料特性研究[J].冶金管理.2019
[3].陈文清.基于创制加工式的超镜面平面研磨抛光工艺方法的研究[J].制造技术与机床.2019
[4].潘文波,路家斌,阎秋生.铝合金阳极氧化膜的集群磁流变平面抛光试验研究[J].润滑与密封.2018
[5].严振,方从富,刘冲.偏摆式平面研磨抛光轨迹的理论研究[J].金刚石与磨料磨具工程.2018
[6].王永强,尹韶辉.大抛光模磁流变超光滑平面抛光技术研究[J].金属加工(冷加工).2018
[7].刘才勇.基于图案抛光垫的平面元件全局修形方法和装置[D].大连理工大学.2018
[8].潘文波.典型手机外壳材料的集群磁流变平面抛光加工研究[D].广东工业大学.2018
[9].董敏.磁流变动压平面抛光过程研究[D].广东工业大学.2018
[10].董敏,路家斌,潘继生,阎秋生.磁流变微结构动压平面抛光试验研究[J].金刚石与磨料磨具工程.2018
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