导读:本文包含了极低温和强磁场论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:强磁场,载流子,效应,磁阻,热敏电阻,氧化物,温度计。
极低温和强磁场论文文献综述
陈诚[1]（2018）在《GaAs及MAPbBr3钙钛矿半导体发光材料在低温和强磁场下的发光特性研究》一文中研究指出GaAs掺杂材料(如GaAsN、GaAsSb和GaAsBi等)和MAPbX_3(X=Cl,Br,I)有机-无机杂化钙钛矿发光材料,均具有发光强度高、发光波长可调的优点,是近红外到可见光波段的两类优异发光材料,在发光器件、光电转换器件和光电探测器件等领域具有重要应用价值。然而,实际应用过程中人们发现材料生长过程中所引入的杂质和缺陷对器件的光电性能影响巨大,这就使得有关材料缺陷和杂质的研究十分重要。为了揭示缺陷和杂质对半导体材料及器件发光性能的影响规律,本文以GaAs和MAPbBr_3杂化钙钛矿两类发光材料为载体,通过研究光生载流子在不同温度和磁场下的复合发光、发光弛豫及局域化转变行为,揭示缺陷和杂质对材料发光性能及发光行为的作用规律。为下一步优化材料合成工艺、提高材料品质及稳定性提供理论依据。具体工作包含以下几个方面:1、利用光致发光、荧光寿命和强磁场光致发光谱研究了GaAs_(0.985)N_(0.015)半导体在低温及磁场下的光致发光及发光动力学特性。变温光致发光谱、变激发功率光致发光谱和变温荧光寿命结果显示,材料中的载流子在低温下产生了由缺陷引起的局域化转变,使得荧光寿命从室温下的单一组分转变为低温下的双重组分,它们分别对应于去局域化激子发光和局域化激子发光。脉冲强磁场下的发光谱结果显示,由缺陷引起的深度局域化效应会导致发光的反磁漂移截止,这表明了氮元素团簇态能显着影响材料的能带结构。这一研究结果对人们调控半导体的能级结构具有重要参考意义。2、和重掺杂的GaAsN不同的是,Sb元素掺杂产生的团簇态没有和宿主GaAs能带融合,这一点在发光谱中有所体现。本文利用光致发光谱及时间分辨瞬态光谱测量技术,研究了GaAs_(0.94)Sb_(0.06)材料中不同发光峰的来源。发现这些发光峰分别来自自由激子发光、缺陷相关的束缚激子发光和缺陷相关的施主-受主对发光过程。利用强磁场磁光谱计算了材料中不同发光峰所对应载流子的约化质量等参数,并对激子发光和非激子发光进行了实验区分。3、利用光致发光、时间分辨瞬态光谱和强磁场磁光谱测量技术,研究了缺陷对GaAs_(0.974)Bi_(0.026)材料发光性能的影响。结果表明,受局域化能较大的影响,GaAs_(0.974)Bi_(0.026)中的激子在发生局域化转变时,其发光谱会出现明显的劈裂,劈裂后的峰分别对应于局域化激子发光和去局域化激子发光。同时,受低温下由缺陷产生局域化作用影响,脉冲强磁场拟合计算得到的局域化激子的约化质量(~0.2 m_0)相比较文献报道的自由激子约化质量大得多(~0.08 m_0)。4、对比研究了MAPbBr_3单晶在不同温度下的XRD、透射谱及光致发光特性,分析了相变前后MAPbBr_3单晶光学特性的变化特征。利用发光谱和时间分辨瞬态光谱研究了MAPbBr_3单晶在低温下的发光劈裂现象,揭示出其在低温下的不同发光峰分别来源于束缚激子发光和自由激子发光。利用第一性原理对材料的电子结构缺陷来源进行了计算和分析,指出MA和Br离子的反位替换是缺陷的最大可能来源。这一研究结果为人们理解缺陷的起源和作用规律,制备高质量单晶具有重要参考意义。(本文来源于《华中科技大学》期刊2018-05-01）
[2]（2008）在《中国科学技术大学低温和强磁场实验室》一文中研究指出中国科学技术大学低温和强磁场实验室主要研究在低温和强磁场两种极端条件下材料出现的一些奇特的物理现象(如超导、超流等)。实验室在上个世纪高温铜氧化物超导体的研究中曾经创造了辉煌的成绩,最近首次发现临界温度超过40K的非铜氧化物超导体。实验室拥有较全的低温物(本文来源于《物理》期刊2008年08期）
徐晗,陈灼民,武松涛[3]（2002）在《国产金属箔式应变片在低温和强磁场下工作特性的研究》一文中研究指出HT- 7U超导模型线圈实验中 ,研究了国产金属箔式应变片在低温和强磁场下的工作特性 ;测量了应变片从室温液氮温度液氦温度的输出示应变曲线 ,以及磁场强度从 0 T- 4T时应变片的输出示应变曲线。实验测得 ,对所选用的应变片 ,从室温降至液氮温度 (77.4K)的热输出为 - 3 6 4 7με,降至液氦温度 (4.2 K)的热输出为 - 3 999με,磁场从 0 T升至 4T的输出示应变为2 3 5με。(本文来源于《低温与超导》期刊2002年01期）
张毓武,熊华,沈蕴雪,妥万禄,庄顺昌[4]（1986）在《在低温和强磁场下使用的热敏电阻温度计》一文中研究指出本文报道了用Co-Ni-Ba-O_2合成的氧化物半导体材料制成的热敏电阻温度计。使用温区为2.8—100K,电阻从几十千欧姆光滑地变化到几十欧姆。相对灵敏度[—dR/dT×1/R]从4.2 K的60％/K左右变化到100 K的1.5％/K左右,达到了实用要求。此温度计的特点是可在强磁场下使用,在4.2 K、7T情况下,磁阻引起的温度变化为1.5～2.0％。温度计的磁阻变化可套用经验公式100×△R/R=c_1H~2/(1+c_2H~2)×T~(-1.5)。当温度不变时(T=4.2K),磁场引起的电阻变化与此公式相符。当磁场不变,磁阻随温度的升高而减小。(本文来源于《低温物理学报》期刊1986年03期）
极低温和强磁场论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
中国科学技术大学低温和强磁场实验室主要研究在低温和强磁场两种极端条件下材料出现的一些奇特的物理现象(如超导、超流等)。实验室在上个世纪高温铜氧化物超导体的研究中曾经创造了辉煌的成绩,最近首次发现临界温度超过40K的非铜氧化物超导体。实验室拥有较全的低温物
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
极低温和强磁场论文参考文献
[1].陈诚.GaAs及MAPbBr3钙钛矿半导体发光材料在低温和强磁场下的发光特性研究[D].华中科技大学.2018
[2]..中国科学技术大学低温和强磁场实验室[J].物理.2008
[3].徐晗,陈灼民,武松涛.国产金属箔式应变片在低温和强磁场下工作特性的研究[J].低温与超导.2002
[4].张毓武,熊华,沈蕴雪,妥万禄,庄顺昌.在低温和强磁场下使用的热敏电阻温度计[J].低温物理学报.1986
论文知识图
