铪基铁电薄膜及其隧道结存储器件研究

论文摘要

在信息技术高度发达的今天,传统的信息存储技术正面临着诸多挑战,铁电隧道结等新兴存储器受到了越来越广泛的关注.基于氧化铪材料的铁电隧道结存储器具有读写快、能耗低、与传统CMOS工艺兼容等优势.该文制备了两种底电极的铪锆氧铁电隧道结,测试其铁电特性和存储性能.其中采用铂为底电极的铪锆氧铁电隧道结不仅有较高的剩余极化强度和优秀的疲劳特性,并且在编程速度和响应时间上优于传统的铁电材料,展现出良好的应用前景.

论文目录

• 1 实验过程
•   1.1 实验材料
•   1.2 器件制备
•     1.2.1 铂电极的沉积
•     1.2.2 Hf0.5Zr0.5O2薄膜的生长
•     1.2.3 铁电性的产生
•     1.2.4 光刻图形制备FTJ器件
•   1.3 测试仪器
• 2 结果及讨论
• 3 小结

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 察明扬,陈佩瑶,陈琳,朱颢,孙清清,张卫

关键词: 存储器,氧化铪,铁电性,铁电隧道结

来源: 湘潭大学学报(自然科学版) 2019年05期

年度: 2019

分类: 基础科学,工程科技Ⅱ辑,信息科技

专业: 电力工业,计算机硬件技术

单位: 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室

基金: 国家自然科学基金项目(61704030,61522404),上海市科技启明星计划项目(19QA1400600),上海优秀学术带头人项目(18XD1402800)

分类号: TP333;TM221

DOI: 10.13715/j.cnki.nsjxu.2019.05.009

页码: 78-84

总页数: 7

文件大小: 2489K

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