导读:本文包含了微通道列阵论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:通道,列阵,湿法,电化学,各向异性,热膨胀,激光器。
微通道列阵论文文献综述写法
王宇[1]（2016）在《硅微通道列阵氧化形变实验研究》一文中研究指出在高温氧化工艺中硅片的翘曲和弯曲现象比较严重,对后续工艺造成很大困难,使器件成品率和性能受到很大的影响,造成该现象的主要原因是因为在二氧化过程中硅和二氧化硅热膨胀系数的差异,由于热膨胀系数随着温度而变化导致形变的产生。从晶体本身分析在热氧化过程中晶体本身产生大量空位在氧化过后温度极速下降导致空位无法扩散,形成空位团,当聚集到一定地步会造成塌崩,形成严重的缺陷导致受到热应力的不均匀,最后导致形变。通过测量硅微通道板不同位置的击穿电压分析导致击穿电压不均匀的原因。(本文来源于《科技创新与应用》期刊2016年34期）
王宇[2]（2016）在《硅微通道列阵厚层氧化技术的研究》一文中研究指出近年来以硅为原材料制作先进的微通道板成为国内研究的热点,相比传统微通道板,硅微通道板具有孔径更小,噪声因子更小,增益更高,寿命更长等特点,而且其应用范围广泛,不但应用在质谱仪中,还在X射线光电子能谱仪、俄歇电子能谱仪等众多仪器中有所应用。论文主要研究基于硅微通道列阵厚层氧化机理,对硅微通道列阵氧化动力学进行了研究。在不同氧化炉温度和水浴锅温度条件下对湿氧氧化速率进行分析,得到不同温度下的氧化速率。并且对硅微通道列阵氧化前后通道结构进行分析,根据对不同的温度、基底厚度、退火方式对其氧化后形变进行分析,得到不同参数样品厚层氧化后形变趋势。通过ANSYS模拟软件对硅微通道列阵高温氧化中应力以及应变进行仿真模拟,模拟出不同温度下硅微通道的应力和应变分布。最后,设计约束氧化实验方案,解决高温氧化导致的器件翘曲形变问题。本文通过优化硅微通道板基体制备工艺,为获得更为完整优质的硅微通道板基体器件,并为后续加工做充分准备。(本文来源于《长春理工大学》期刊2016-12-01）
杨涛,何叶,刘婷婷[3]（2009）在《大功率激光二极管列阵的硅基微通道热沉研制》一文中研究指出为了提高大功率激光二极管列阵的散热效率以便提高其寿命和波长稳定性,研制了一种封装集成度较高的屋脊式硅基微通道热沉。将田口稳健设计方法用于微通道热沉的优化设计,利用正交试验和信噪比分析实现了参数的稳健优化。以(110)单晶硅作为基片,采用KOH各向异性刻蚀和硅-玻璃-硅叁层阳极键合方法制作出了通道宽度约为50μm的微通道热沉,通道壁面粗糙度优于0.1μm。采用激光二极管芯片对样品进行了封装和测试,利用砷化镓激光波长的温度漂移系数估算出了中间激光二极管的有源区温升,从而计算出了热沉的热阻。测试结果表明,该微通道热沉的单位面积热阻约为0.070 cm2.K/W,与有限元分析结果基本一致。(本文来源于《光学精密工程》期刊2009年09期）
唐裕霞[4]（2009）在《用于高功率半导体激光器列阵散热的微通道热沉的研制》一文中研究指出理论分析了微通道热沉的热阻的组成,采用微机械加工技术和铜直接粘接技术(DBC)制作了冷却大功率半导体激光器列阵的5层结构的无氧铜微通道热沉;通过测试,用其封装的808 nm线阵二极管激光器准连续输出功率达38.5 W,无氧铜微通道热沉热阻为0.645℃/W,热沉的表面温度均匀性好,能有效散热,满足散热要求。(本文来源于《重庆工商大学学报(自然科学版)》期刊2009年01期）
马杰慧,方高瞻,蓝永生,马骁宇[5]（2005）在《应用于大功率激光二极管列阵的单片集成微通道制冷热沉(英文)》一文中研究指出介绍了一种应用于大功率激光二极管列阵的新型单片集成微通道制冷热沉.这种热沉已制造并经过测试.10 迭层的激光二极管列阵的热阻为0 121℃/W.相邻两个激光条的间距是1 17mm.在20%高占空比条件下,波长为808nm左右,峰值功率可以达到611W.(本文来源于《半导体学报》期刊2005年03期）
尚春宇[6]（2004）在《电化学腐蚀技术制备微通道列阵》一文中研究指出本论文对硅基体微通道列阵的电化学加工技术进行了初步的理论分析和实验研究。实验中采用P型掺杂的硅基片，在硅基片上用热氧化法形成氧化膜，为了确定微通道的位置，利用光刻技术将掩膜图形转印到氧化膜上，并利用湿法刻蚀技术形成诱导坑列阵，然后在硅片背面形成欧姆接触层。以上这些工艺步骤完成之后，将在叁极电解槽中进行硅基片的电化学刻蚀实验，并利用扫描电子显微镜对刻蚀后的样品形貌进行观察和研究。 理论分析和实验研究结果表明：做为基体材料的硅基片的掺杂浓度需要合理限定，确定微通道位置的诱导坑的形貌，尤其是尖端情况对微通道的刻蚀有重要影响，形成欧姆接触前要对硅片进行严格的清洗，电化学刻蚀中电解液浓度以及电源电压等实验参数需要合理选择。 本论文的研究结果对该技术的进一步研究具有指导意义，而硅电化学微加工技术也必将在硅基体微通道列阵微加工中得到重要应用。(本文来源于《长春理工大学》期刊2004-12-01）
高延军[7]（2001）在《硅微通道列阵电化学微加工技术研究》一文中研究指出本文采用P型单晶硅片，由热氧化形成SiO_2掩膜层，标准光刻工艺进行图形转移，用KOH溶液湿法刻蚀制作倒四棱锥腐蚀坑列阵。在叁极电解槽中，进行了电化学深刻蚀的探索性实验。对氧化、光刻、湿法刻蚀和电化学刻蚀中的工艺问题进行了初步的理论和实验研究，同时，采用SEM对实验样品进行了形貌分析，并采用电流突破模型对电化学深孔刻蚀机理进行了理论分析。 通过理论和实验研究，发现即使硅片晶向不准，仍能刻蚀出方孔列阵。在光刻工艺过程中，适当延长前烘时间可得到良好的显影图案。在湿法刻蚀诱导坑时，需适当延长刻蚀时间。在电化学刻蚀过程中，需增加循环装置。其结果对进一步开展这方面的研究工作具有指导意义，在进一步深入开展研究电化学体硅微加工技术时，可有望成为实现硅深孔列阵加工的新技术。(本文来源于《长春理工大学》期刊2001-12-01）
J,G,Timothg,汪金祥[8]（1986）在《多阳极微通道列阵探测器系统的性能特征》一文中研究指出具有256×1024象素的多阳极微通道列阵探测器系统,目前正处于实验室评价之中。用密封的紫外和可见光探测器管所记录的性能数据表明,该探测器系统有极好的特性,使之可成为光电导列阵探测器(如电荷耦合器件)的补充,优于可与之相比的采用高增益微通道板的脉冲计数探测器系统。(本文来源于《高速摄影与光子学》期刊1986年03期）
微通道列阵论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
近年来以硅为原材料制作先进的微通道板成为国内研究的热点,相比传统微通道板,硅微通道板具有孔径更小,噪声因子更小,增益更高,寿命更长等特点,而且其应用范围广泛,不但应用在质谱仪中,还在X射线光电子能谱仪、俄歇电子能谱仪等众多仪器中有所应用。论文主要研究基于硅微通道列阵厚层氧化机理,对硅微通道列阵氧化动力学进行了研究。在不同氧化炉温度和水浴锅温度条件下对湿氧氧化速率进行分析,得到不同温度下的氧化速率。并且对硅微通道列阵氧化前后通道结构进行分析,根据对不同的温度、基底厚度、退火方式对其氧化后形变进行分析,得到不同参数样品厚层氧化后形变趋势。通过ANSYS模拟软件对硅微通道列阵高温氧化中应力以及应变进行仿真模拟,模拟出不同温度下硅微通道的应力和应变分布。最后,设计约束氧化实验方案,解决高温氧化导致的器件翘曲形变问题。本文通过优化硅微通道板基体制备工艺,为获得更为完整优质的硅微通道板基体器件,并为后续加工做充分准备。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
微通道列阵论文参考文献
[1].王宇.硅微通道列阵氧化形变实验研究[J].科技创新与应用.2016
[2].王宇.硅微通道列阵厚层氧化技术的研究[D].长春理工大学.2016
[3].杨涛,何叶,刘婷婷.大功率激光二极管列阵的硅基微通道热沉研制[J].光学精密工程.2009
[4].唐裕霞.用于高功率半导体激光器列阵散热的微通道热沉的研制[J].重庆工商大学学报(自然科学版).2009
[5].马杰慧,方高瞻,蓝永生,马骁宇.应用于大功率激光二极管列阵的单片集成微通道制冷热沉(英文)[J].半导体学报.2005
[6].尚春宇.电化学腐蚀技术制备微通道列阵[D].长春理工大学.2004
[7].高延军.硅微通道列阵电化学微加工技术研究[D].长春理工大学.2001
[8].J,G,Timothg,汪金祥.多阳极微通道列阵探测器系统的性能特征[J].高速摄影与光子学.1986