全文摘要
本实用新型提供一种数据线保护器，包括：具有芯片基板的引线架、IC芯片外接端口、MOS芯片外接端口；具有第一外接焊盘和IC芯片连接焊盘的MOS芯片；具有第二外接焊盘和MOS芯片连接焊盘的数据线保护IC芯片，固定于MOS芯片的上表面；IC芯片外接端口与第二外接焊盘连接，MOS芯片外接端口与第一外接焊盘通过金属丝线排连接，IC芯片连接焊盘与MOS芯片连接焊盘连接。本实用新型的数据线保护器集过流、短路、过温保护于一体，体积小、内阻小、通大电流、精度高、功耗低、温升低、反应速度快、稳定可靠，还防振、耐冲击、防潮、防压、耐老化，耐高低温、不易受环境影响，保护后可自恢复，保质期长，器件动作次数的寿命长，节约生产成本。
主设计要求
1.一种数据线保护器，其特征在于，包括：引线架，所述引线架具有芯片基板、IC芯片外接端口、MOS芯片外接端口；MOS芯片，固定于所述芯片基板的上表面，所述MOS芯片具有第一外接焊盘和IC芯片连接焊盘，其中，所述MOS芯片的种类包括双MOS芯片，所述第一外接焊盘包括第一源极端焊盘和第二源极端焊盘，所述IC芯片连接焊盘包括第一栅极端焊盘、第二栅极端焊盘、第一漏极端焊盘；数据线保护IC芯片，固定于所述MOS芯片的上表面，所述数据线保护IC芯片具有第二外接焊盘和MOS芯片连接焊盘，其中，所述第二外接焊盘包括负极端焊盘和外控保护端焊盘，所述MOS芯片连接焊盘包括第三栅极端焊盘、第四栅极端焊盘、第一输入端焊盘、第二输入端焊盘、第二漏极端焊盘；所述IC芯片外接端口与所述第二外接焊盘连接，所述MOS芯片外接端口与所述第一外接焊盘通过金属丝线排连接，所述IC芯片连接焊盘与所述MOS芯片连接焊盘连接，其中，所述IC芯片外接端口包括负极外接端口和外控保护端口，所述MOS芯片外接端口包括第一源极外接端口和第二源极外接端口。
设计说明书
技术领域
本实用新型属于半导体集成封装领域，特别是涉及一种数据线保护器。
背景技术
在当前大数据时代、智能手机、智能家电及智能穿带是现在与未来的发展方向，现有的数据线保护器件在应用领域已经受到了很大的限制。
目前还没有集过流、过温保护于一体的数据线保护器件。公知的应用在数据线保护上的保护器件主要有PTC、Breaker。PTC本身是高分子热敏材料，受环境温度影响比较大，保护动作时间也慢，多次动作后内阻发生变化而增大，在动作后保持状态下自身一直在发热，漏电电流大，保持动作功率一般在1.2W左右，这给数据线插头寿命造成了一定的影响，并且在环境温度比较高时，PTC的保持电流就会下降，如受到外力挤压就不能正常起到保护作用，稳定性降低；Breaker是一种机械式的微型开关，它的体积大，它在使用中怕受到强力振动，不能受到外力挤压，在环境处于低温度时通过电流大于高温时的十几倍，只能在高温环境下起到保护作用，在高低温变化环境下动作的电流与温差特别大，稳定性差。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种数据线保护器，所述数据线保护器集过流、过温保护于一体，体积小、内阻小、通大电流、精度高、功耗低、温升低、反应速度快、稳定可靠，还防振、耐冲击、防潮、防压、耐老化，耐高低温、不易受环境影响，保护后可自恢复，保质期长，器件动作次数的寿命长，节约生产成本。
为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种数据线保护器，包括：
引线架，所述引线架具有芯片基板、IC芯片外接端口、MOS芯片外接端口；
MOS芯片，固定于所述芯片基板的上表面，所述MOS芯片具有第一外接焊盘和IC芯片连接焊盘；
数据线保护IC芯片，固定于所述MOS芯片的上表面，所述数据线保护IC芯片具有第二外接焊盘和MOS芯片连接焊盘；
所述IC芯片外接端口与所述第二外接焊盘连接，所述MOS芯片外接端口与所述第一外接焊盘通过金属丝线排连接，所述IC芯片连接焊盘与所述MOS芯片连接焊盘连接。
可选地，所述MOS芯片的种类包括双MOS芯片。
可选地，所述双MOS芯片的种类包括双NMOS芯片。
可选地，所述IC芯片外接端口包括负极外接端口和外控保护端口，所述MOS芯片外接端口包括第一源极外接端口和第二源极外接端口。
可选地，所述第一源极外接端口和所述第二源极外接端口包括至少一个与外界连接的端口。
可选地，所述第一源极外接端口和所述负极外接端口位于所述芯片基板的左侧，所述第二源极外接端口和所述外控保护端口位于所述芯片基板的右侧。
可选地，所述第一外接焊盘包括第一源极端焊盘和第二源极端焊盘，所述IC芯片连接焊盘包括：第一栅极端焊盘、第二栅极端焊盘、第一漏极端焊盘。
可选地，所述第一源极端焊盘位于所述MOS芯片的左侧区域，所述第二源极端焊盘位于所述MOS芯片的右侧区域。
可选地，所述第二外接焊盘包括负极端焊盘和外控保护端焊盘，所述MOS芯片连接焊盘包括：第三栅极端焊盘、第四栅极端焊盘、第一输入端焊盘、第二输入端焊盘、第二漏极端焊盘。
可选地，所述负极端焊盘位于所述数据线保护IC芯片的左侧区域。
可选地，所述负极端焊盘与所述负极外接端口连接，所述第一输入端焊盘与所述第一源极端焊盘连接，所述第三栅极端焊盘与所述第一栅极端焊盘连接，所述第四栅极端焊盘与所述第二栅极端焊盘连接，所述第二输入端焊盘与所述第二源极端焊盘连接，所述第二漏极端焊盘与所述第一漏极端焊盘连接，所述外控保护端焊盘与所述外控保护端口连接。
可选地，所述负极端焊盘与所述负极外接端口通过金属丝连接，所述第一输入端焊盘与所述第一源极端焊盘通过金属丝连接，所述第三栅极端焊盘与所述第一栅极端焊盘通过金属丝连接，所述第四栅极端焊盘与所述第二栅极端焊盘通过金属丝连接，所述第二输入端焊盘与所述第二源极端焊盘通过金属丝连接，所述第二漏极端焊盘与所述第一漏极端焊盘过金属丝连接，所述外控保护端焊盘与所述外控保护端口过金属丝连接。
可选地，所述第一源极端焊盘与所述第一源极外接端口连接，所述第二源极端焊盘与所述第二源极外接端口连接。
可选地，所述第一源极端焊盘与所述第一源极外接端口通过第一金属丝线排连接，所述第二源极端焊盘与所述第二源极外接端口通过第二金属丝线排连接。
可选地，所述第一金属丝线排和所述第二金属丝线排包括若干金属丝，所述第一金属丝线排的金属丝数量至少1条，所述第二金属丝线排的金属丝数量至少1条。
可选地，所述MOS芯片通过焊锡固定于所述芯片基板的上表面。
可选地，所述数据线保护IC芯片通过绝缘隔热胶固定于所述MOS芯片的上表面。
可选地，所述数据线保护器还包括方形扁平无引脚封装结构。
如上所述，本实用新型提供一种数据线保护器，本实用新型具有以下功效：
本实用新型的数据线保护器集过流、短路、过温保护于一体，体积小、内阻小、通大电流、精度高、功耗低、温升低、反应速度快、稳定可靠，还防振、耐冲击、防潮、防压、耐老化，耐高低温、不易受环境影响，保护后可自恢复，保质期长，器件动作次数的寿命长，节约生产成本。
进一步的，所述第一源极端焊盘与所述第一源极外接端口通过第一金属丝线排连接，所述第二源极端焊盘与所述第二源极外接端口通过第二金属丝线排连接，确保大流量通过。
数据线保护IC芯片固定于所述MOS芯片的上表面使器件体积减小50％，金属线缩短减少了线损，体积缩小降低了封装成本，同时提高了稳定性和抗干扰能力。
附图说明
图1显示为本实用新型的数据线保护器所呈现的俯视结构示意图。
图2显示为本实用新型的数据线保护器所呈现的主视结构示意图。
元件标号说明
101 第二输入端焊盘
102 第一漏极端焊盘
103 第一源极端焊盘
104 第二源极端焊盘
105 第四栅极端焊盘
106 负极端焊盘
107 第一栅极端焊盘
108 第二栅极端焊盘
109 芯片基板
110 负极外接端口
111 外控保护端口
112 第一源极外接端口
113 第二源极外接端口
114 第一金属丝线排
115 第二金属丝线排
116 绝缘隔热胶
117 焊锡
118 数据线保护IC芯片
119 第一输入端焊盘
120 第三栅极端焊盘
121 第二漏极端焊盘
122 外控保护端焊盘
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1～图2。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本实用新型可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本实用新型所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本实用新型所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本实用新型可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本实用新型可实施的范畴。
如图图1～图2所示，本实施例提供一种数据线保护器，包括：引线架、MOS芯片、数据线保护IC芯片118、金属丝、金属丝线排。
所述引线架具有芯片基板109、IC芯片外接端口、MOS芯片外接端口。
所述IC芯片外接端口和所述MOS芯片外接端口下表面具有端口基板。
所述芯片基板109和所述端口基板的种类包括铜基板。
所述IC芯片外接端口包括负极外接端口110和外控保护端口111，所述MOS芯片外接端口包括第一源极外接端口112和第二源极外接端口113。
所述负极外接端口110与负极相连，所述第一源极外接端口112和所述第二源极外接端口113与外部数据线的电源正极或数据线插头正极相连，起输电作用，所述外控保护端口111的作用是由外界输入低电位关断控制电路。
所述第一源极外接端口112和所述第二源极外接端口113包括至少1个与外界连接的端口。
在本实施例中，所述第一源极外接端口112和所述第二源极外接端口113具有3个与外界连接的端口。
所述第一源极外接端口112和所述负极外接端口110位于所述芯片基板109的左侧，所述第二源极外接端口113和所述外控保护端口111位于所述芯片基板109的右侧。
所述MOS芯片固定于所述芯片基板109的上表面，所述MOS芯片具有第一外接焊盘和IC芯片连接焊盘。
所述MOS芯片通过焊锡117固定于所述芯片基板109的上表面。
作为示例，所述MOS芯片的种类包括双MOS芯片。所述双MOS芯片的种类包括双NMOS芯片。
在本实施例中，所述MOS芯片的种类是双NMOS芯片。
所述第一外接焊盘包括第一源极端焊盘103和第二源极端焊盘104，所述IC芯片连接焊盘包括：第一栅极端焊盘107、第二栅极端焊盘108、第一漏极端焊盘102。
所述第一源极端焊盘103、所述第二源极端焊盘104与所述MOS芯片的源极相连，所述第一栅极端焊盘107和所述第二栅极端焊盘108与所述MOS芯片的栅极相连，所述第一漏极端焊盘102与所述MOS芯片的漏极相连。
所述第一源极端焊盘103位于所述MOS芯片的左侧区域，所述第二源极端焊盘104位于所述MOS芯片的右侧区域。
所述数据线保护IC芯片118固定于所述MOS芯片的上表面，所述数据线保护IC芯片118具有第二外接焊盘和MOS芯片连接焊盘。
所述数据线保护IC芯片118通过绝缘隔热胶116固定于所述MOS芯片的上表面。
所述第二外接焊盘包括负极端焊盘106和外控保护端焊盘122，所述MOS芯片连接焊盘包括：第三栅极端焊盘120、第四栅极端焊盘105、第一输入端焊盘119、第二输入端焊盘101、第二漏极端焊盘121。所述负极端焊盘106位于所述数据线保护IC芯片118的左侧区域。
数据线保护IC芯片118固定于所述MOS芯片的上表面使器件体积减小50％，金属线缩短减少了线损，体积缩小降低了封装成本，同时提高了稳定性和抗干扰能力。
所述IC芯片外接端口与所述第二外接焊盘连接，所述MOS芯片外接端口与所述第一外接焊盘通过金属丝线排连接，所述IC芯片连接焊盘与所述MOS芯片连接焊盘连接。
所述负极端焊盘106与所述负极外接端口110连接，所述第一输入端焊盘119与所述第一源极端焊盘103连接，所述第三栅极端焊盘120与所述第一栅极端焊盘107连接，所述第四栅极端焊盘105与所述第二栅极端焊盘108连接，所述第二输入端焊盘101与所述第二源极端焊盘104连接，所述第二漏极端焊盘121与所述第一漏极端焊盘102连接，所述外控保护端焊盘122与所述外控保护端口111连接。
所述负极端焊盘106与所述负极外接端口110通过金属丝连接，所述第一输入端焊盘119与所述第一源极端焊盘103通过金属丝连接，所述第三栅极端焊盘120与所述第一栅极端焊盘107通过金属丝连接，所述第四栅极端焊盘105与所述第二栅极端焊盘108通过金属丝连接，所述第二输入端焊盘101与所述第二源极端焊盘104通过金属丝连接，所述第二漏极端焊盘121与所述第一漏极端焊盘102过金属丝连接，所述外控保护端焊盘122与所述外控保护端口111过金属丝连接。
所述第一源极端焊盘103与所述第一源极外接端口112连接，所述第二源极端焊盘104与所述第二源极外接端口113连接。所述第一源极端焊盘103与所述第一源极外接端口112通过第一金属丝线排114连接，所述第二源极端焊盘104与所述第二源极外接端口113通过第二金属丝线排115连接。
所述第一金属丝线排和所述第二金属丝线排包括若干金属丝，所述第一金属丝线排的金属丝数量至少1条，所述第二金属丝线排的金属丝数量至少1条。在本实施例中，所述第一金属丝线排的金属丝数量为7条，所述第二金属丝线排的金属丝数量为7条。
所述第一源极端焊盘103与所述第一源极外接端口112通过第一金属丝线排114连接，所述第二源极端焊盘104与所述第二源极外接端口113通过第二金属丝线排115连接，可实现大流量的通过。
所述数据线保护器还包括方形扁平无引脚封装结构。
综上所述，本实用新型提供一种数据线保护器，具有以下功效：本实用新型的数据线保护器集过流、短路、过温保护于一体，体积小、内阻小、通大电流、精度高、功耗低、温升低、反应速度快、稳定可靠，还防振、耐冲击、防潮、防压、耐老化，耐高低温、不易受环境影响，保护后可自恢复，保质期长，器件动作次数的寿命长，节约生产成本。进一步的，所述第一源极端焊盘103与所述第一源极外接端口112通过第一金属丝线排114连接，所述第二源极端焊盘104与所述第二源极外接端口113通过第二金属丝线排115连接，确保大流量通过。数据线保护IC芯片118固定于所述MOS芯片的上表面使器件体积减小50％，金属线缩短减少了线损，体积缩小降低了封装成本，同时提高了稳定性和抗干扰能力。所以，本实用新型有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。
设计图
相关信息详情
申请码:申请号:CN201920077440.5
申请日:2019-01-17
公开号:公开日:国家:CN
国家/省市:31(上海)
授权编号:CN209691745U
授权时间:20191126
主分类号:H01L23/62
专利分类号:H01L23/62;H01L23/58;H01L23/49;H01L23/495;H01L23/00
范畴分类:38F;
申请人:上海神沃电子有限公司
第一申请人:上海神沃电子有限公司
申请人地址:201108 上海市闵行区颛兴东路736号
发明人:翟晓君;宋永奇
第一发明人:翟晓君
当前权利人:上海神沃电子有限公司
代理人:余明伟
代理机构:31219
代理机构编号:上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
优先权:关键词:当前状态:审核中
类型名称:外观设计