导读:本文包含了电子封装材料论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:电子,材料,复合材料,合金,环氧树脂,传感器,热膨胀。
电子封装材料论文文献综述
刘海,杨建,解瑞,陈宇宁,许丽清[1]（2019）在《电子封装用Cu-MoCu-Cu(CPC)材料与Al_2O_3陶瓷钎焊及变形研究》一文中研究指出利用AgCu钎料在N_2保护气钎焊氛围、合适的工艺参数下,探究具备高导热、高可靠、低膨胀系数的新型Cu-MoCu-Cu(CPC)多层复合材料与表面共烧W金属化层的Al_2O_3陶瓷的钎焊工艺及接头界面结构,以实现其在电子封装领域的应用。同时,通过在CPC与Al_2O_3陶瓷间增加可伐中间层,探究中间层对界面结构及构件变形的影响。研究表明,在800℃、保温5 min条件下,CPC与Al_2O_3陶瓷典型界面结构为Al_2O_3/W+Al_2O_3/(Cu,Ni)/Ag基固溶体+Cu基固溶体/Cu基固溶体/CPC。可伐中间层引入后,界面结构基本一致,但中间层两侧形成了Cu-Ni固溶体,仍保证了母材间的可靠冶金结合。可伐中间层的膨胀系数介于Al_2O_3与CPC之间,通过中间层逐层缓解残余应力,减小组件的焊后变形。相比于直接钎焊,钎焊组件的下底面翘曲变形缓解50%以上。(本文来源于《南京工业大学学报(自然科学版)》期刊2019年06期）
张超,白瑞钦,马勇,韩永芹,李廷希[2]（2019）在《电子封装用环氧树脂基复合材料研究进展》一文中研究指出基于电子封装对材料性能的要求,介绍以环氧树脂(EP)为基体、添加不同类型填料所制备的复合材料,总结了近期国内外在该领域的研究进展。指出杂化填料及多种类型填料混合使用将赋予复合材料更优异的整体性能,但是杂化填料的制备工艺较复杂且成本较高,需要找到适合大规模低成本生产的杂化填料制备方法。优化复合材料制备工艺,减少纳米填料在EP基体中的聚集,构建导热通路并且切断导电通路,减少复合材料中的孔隙以减少应力集中点,制备具有特殊形貌及优异综合性能的杂化材料作为填料将是未来的研究热点。(本文来源于《工程塑料应用》期刊2019年10期）
宋维东[3]（2019）在《电子封装用陶瓷基片材料的研究现状》一文中研究指出陶瓷材料具有高熔点、高硬度、高耐磨性、耐氧化等优点,是电子封装基片的重要材料。本文介绍了Al_2O_3、AlN、Si_3N_4、SiC、BeO、BN等几种常用的陶瓷基片材料并分析了它们的性能特点,最后还介绍了电子封装陶瓷基片的成型工艺。(本文来源于《中国粉体工业》期刊2019年04期）
杨洁[4]（2019）在《一种宽频透声水下电子传感器封装材料研究》一文中研究指出引言:水下传感器因长期在水中工作,其电子元器件需封装在水密绝缘空间内。声波信号发送与接收是水下电子传感器常用的目标监测方式之一。因此,应最低程度地减小被动信号和主动信号穿过封装材料时产生的损失。橡胶材料的特性声阻抗与水接近,是常用的水下传感器封装材料。(本文来源于《电子世界》期刊2019年15期）
黄海滨,冀恩龙,于宝义,郑黎,李润霞[5]（2019）在《压制模具温度对粉末冶金成型铝硅电子封装材料组织和性能的影响》一文中研究指出采用纯铝包套热压成型后真空烧结的方法制备了成分为Al-60wt.%Si的电子封装材料。研究了压制模具温度对材料显微组织、致密度、热导率以及热膨胀系数的影响。结果表明:压制模具温度为300℃时,烧结后铝基体形成半连续网格结构,合金内部孔洞较少;压制模具温度为350～450℃时,烧结后铝基体形成连续网格结构,合金内部孔洞逐渐增多,尺寸增大。当模具温度为350℃时,烧结后的合金物理性能较佳,烧结后合金的致密度和热导率分别为98.8%和115W/(m·K),室温～100℃、室温～150℃时的平均热膨胀系数分别为10.3×10-6℃-1和10.8×10-6℃-1。(本文来源于《中国铸造装备与技术》期刊2019年03期）
黄海滨[6]（2019）在《粉末冶金法制备新型Al-Si电子封装材料的研究》一文中研究指出电子封装材料是指用于承载电子器件及其相互连线,起散热、机械支撑、密封、环境保护、信号传递和屏蔽等作用的基体材料。电子封装用Al-Si复合材料结合了Al和Si的优异性能,具有高导热、低膨胀、密度小、易于镀覆等优点,满足电子封装对封装材料力学、热物理和工艺性能的要求。目前国外对Al-Si电子封装材料的研究已经逐步获得应用并实现商业化生产,而国内对于Al-Si电子封装材料的研究起步较晚,技术水平落后,在Al-Si复合材料制备工艺方面存在不足。因此,本文旨在通过研究粉末热压成型及真空烧结工艺,探究压制模具温度、材料成分、烧结温度和烧结时间对材料组织和性能的影响,制备性能优良的Al-Si电子封装材料。研究了粉末成型模具预热温度对材料组织性能的影响。将粉末预热至300℃,模具分别预热至300℃/350℃/400℃/450℃,在900MPa下进行坯锭的压制。将压坯进行900℃/2h真空烧结,结果表明:模具温度为350℃时,粉末成型较好,无明显裂纹,烧结后复合材料的组织性能较好,热导率达到115W/m·K,室温-150℃的平均热膨胀系数为10.8×10-6K-1。相对密度达到98.8%。布氏硬度达到123.7HBW。研究了材料成分对复合材料组织和性能的影响。将成分分别为Al-50wt.%Si,Al-60wt.%Si,Al-70wt.%Si的坯锭在900℃下真空烧结2h。结果表明,复合材料的热膨胀系数主要受Si含量的影响,随Si含量的增加而不断降低,而热导率则呈先增大后减小的趋势。Si含量为60%时,材料的相对密度达到最高99.8%,同时具有较高的热导率(128W/m·K),较低的热膨胀系数(9.97×10-6K-1),且此时,材料具有足够的硬度。研究了烧结温度与烧结时间对材料组织性能的影响。对Al-60wt.%Si材料进行不同烧结温度和不同烧结时间的处理,并对烧结体材料进行了研究分析。结果表明:烧结温度为850℃,烧结时间为2h时,材料的组织性能最好。热导率和热膨胀系数分别达到131.4W/m·K和10.02×10-6K-1,相对密度为99.9%。适当的提高温度和延迟烧结时间可以有效地改善材料的润湿性,促进液态铝对材料内部孔洞的填充,减少材料内部的界面总数以及保证Al基体连通网络结构的形成,促进了材料热导率的提高,同时也带来了材料热膨胀系数的提高。但总体来说,材料的热膨胀系数受体系中Si相的相对含量和孔洞的影响更大。(本文来源于《沈阳工业大学》期刊2019-05-25）
王新刚,张润梅,陈典典,曾德军,许西庆[7]（2018）在《WCu/MoCu电子封装材料的研究现状与发展趋势》一文中研究指出电子设备集成度和运行速度的不断提高以及大功率芯片的使用,对电子封装材料的性能提出了更高的要求。WCu/MoCu合金作为第二代电子封装材料,尽管已经实现产业化,但其未来发展正面临极大的挑战,既有可能持续应用于封装领域,也有可能在与其它材料的竞争中被淘汰。在现有技术的基础上,使WCu/MoCu复合材料充分融合各组元的优点,以获得具有高热导率、低热膨胀系数以及良好力学性能的电子封装材料,已成为迫在眉睫的工作。综述了电子封装材料的性能指标,以及WCu/MoCu合金的热学性能与制备工艺,并针对高热导率这一关键性能对其发展趋势进行了展望。(本文来源于《中国材料进展》期刊2018年12期）
[8]（2018）在《高密度电子封装材料与器件联合实验室》一文中研究指出高密度电子封装材料与器件联合实验室成立于2011年3月29日,由深圳先进院原先进材料研究中心孙蓉研究员团队和香港中文大学汪正平院士团队共同组建,于2012年获认定为"中科院一香港地区联合实验室",在2018年中科院与香港地区联合实验室评估中,获评"优秀",名列第一。实验室以先进电子封装材料及成套工艺为核心,聚焦电子封装材料的电学、热学、力学等关键科学问题,具体包括高密度倒(本文来源于《高科技与产业化》期刊2018年09期）
谢宇宁,雷华,石倩[9]（2018）在《电子封装用导热环氧树脂基复合材料的研究进展》一文中研究指出环氧树脂是电子封装的常用材料,但其热导率仅有0.2W/(m·K)左右,添加高导热填料是提高环氧树脂导热性能的常用手段。对电子封装用导热环氧树脂基复合材料的导热机理和导热模型进行了综述,介绍了几种常用填料对复合材料导热性能的影响,并对电子封装用导热环氧树脂基复合材料未来的发展方向进行了展望,指出目前仍有许多问题需要解决,所制备的材料热导率不能满足应用要求,导热机理和模型也还需要进行更深入的研究。(本文来源于《工程塑料应用》期刊2018年12期）
汪冬梅[10]（2018）在《电子封装用3D-SiC/Al互穿复合材料的无压熔渗制备及其界面调控》一文中研究指出高体积分数SiC_p/Al复合材料因具有高导热、低热膨胀系数以及低密度等优点,特别是其具有的性能可设计性,使其在高密度、大功率、高频率集成电路及器件等领域备受瞩目,成为电子封装领域极具前景的最新型材料。但电子信息产业的迅猛发展对该新型电子封装材料的综合性能提出了越来越高的要求。本论文基于无压熔渗技术,以降低界面热阻提高复合材料热导率为出发点,对复合材料中SiC与SiC之间、SiC与Al之间的界面进行优化设计,制备出具有叁维互穿结构的高体积分数3D-SiC/Al-Si-Mg互穿复合材料。制备用SiC粉体原料经过了圆整纯化处理以降低SiC晶体结构和几何外形等缺陷对后续所制备的SiC/Al复合材料性能影响。SiC坯体成形所用粘结剂聚碳硅烷(Polycarbosilane,PCS)高温热裂解生成SiC分布在SiC颗粒表面又可以在高温烧结SiC预制件时充当固相助烧剂。主要研究结果如下:(1)采用高Si含量的Al-15Si-10Mg合金无压熔渗未氧化的3D-SiC预制件,成功制备了具有叁维互穿结构的高导热、低热膨胀3D-SiC/Al-Si-Mg复合材料。复合材料中SiC相和Al合金相分布均匀,生成有害产物Al_4C_3的界面反应得到了有效控制。SiC含量为67 vol%的3D-SiC/Al-Si-Mg互穿复合材料密度为3.01 g/cm~3(相对密度99.2%),热导率为224.5 W/(m·℃),热膨胀系数(RT～300℃)为7.04×10~(-6)℃~(-1),抗弯强度为277 MPa。T6处理能够进一步提升其性能,复合材料的热导率达到233.6 W/(m·℃),热膨胀系数(RT～300℃)为7.03×10~(-6)℃~(-1),抗弯强度为288 MPa。(2)低且可剪裁热膨胀系数的电子封装材料可以获得与用作芯片或基片材料比较精准的热匹配,这样可以减轻或消除微电子系统中因温度波动引起相邻元件之间产生热应力导致的机械故障,因而保证了系统工作的可靠性和稳定性。本论文采用Al-15Si-10Mg合金和粒径为F220、F800及F1000的SiC粉体无压熔渗制备出热膨胀系数低且可剪裁的高体积分数多粒径(双粒径和叁粒径)分布的3D-SiC/Al-Si-Mg互穿复合材料,研究了SiC粒径分布与3D-SiC/Al-Si-Mg互穿复合材料的热导率和热膨胀系数之间的关系。优化的多粒径分布的3D-SiC/Al-Si-Mg互穿复合材料显示出比单粒径分布的3D-SiC/Al-Si-Mg互穿复合材料更好的综合性能。SiC含量为73vol%,具有F220和F800双粒径的3D-SiC_(F220/800)/Al-Si-Mg互穿复合材料获得最高热导率值233.2 W/(m·℃)和抗弯强度283 MPa以及较低的热膨胀系数(RT～300℃)6.32×10~(-6)℃~(-1)。在3D-SiC预制件中使用更细小的F1000 SiC微粉因更易团聚导致其不能很好地填充进SiC网络的自由间隙空间,这会引起后续无压熔渗制备的3D-SiC/Al Al-Si-Mg复合材料中出现较多的组织缺陷,如不均匀的微观组织结构、过量Mg_2Si脆性相的形成以及更多孔隙的存留,从而导致复合材料强度和热导率的减弱。SiC含量为79vol%且含有F220、F800和F1000叁种粒径的3D-SiC_(F220/800/1000)/Al-Si-Mg互穿复合材料的热膨胀系数低至5.68×10~(-6)℃~(-1),与用作芯片的半导体材料的热膨胀系数极为接近。(3)基于热弹性理论建立了一个适用于叁维互穿结构复合材料热膨胀系数计算的新理论模型,该模型计算的3D-SiC/Al-Si-Mg热膨胀系数值与实验测量的热膨胀系数数据相吻合。(4)3D-SiC/Al互穿复合材料中SiC与Al合金的界面结合以及界面结构和组成等界面特性在决定材料热物理性能和力学性能方面有着重要作用。本论文分别采用两种成分的Al-15Si-10Mg和Al-9Si-6Mg合金无压熔渗进未经氧化或经1000～1200℃预氧化的3D-SiC预制件中,制备出系列3D-SiC/Al-Si-Mg互穿复合材料,研究了复合材料界面调控机理。结果表明:两种Al合金制备的叁维互穿复合材料均能获得较理想的界面结构和优良的热物理性能和力学性能。采用高Si含量的Al-15Si-10Mg合金熔渗进未经氧化3D-SiC预制件制备的3D-SiC/Al-Si-Mg互穿复合材料界面通过原子匹配直接结合;3D-SiC预制件的预氧化对复合材料热膨胀系数的影响可忽略不计,但使得热导率及抗弯强度均有所弱化。采用低Si含量的Al-9Si-6Mg合金熔渗进预氧化3D-SiC预制件中制备的3D-SiC/Al-Si-Mg互穿复合材料界面属于反应键合界面;界面反应产物AlN和MgAl_2O_4与SiC具有较好的亲和性,并且有效隔离了液态Al与SiC防止有害相Al_4C_3的形成;1000℃预氧化的预制件制备的3D-SiC/Al-Si-Mg互穿复合材料中形成了厚度约为200 nm的界面区域,该复合材料的综合性能优异,热导率为219.5W/(m·℃),热膨胀系数(RT～300℃)为7.66×10~(-6)℃~(-1),抗弯强度达到318 MPa。(本文来源于《合肥工业大学》期刊2018-12-05）
电子封装材料论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
基于电子封装对材料性能的要求,介绍以环氧树脂(EP)为基体、添加不同类型填料所制备的复合材料,总结了近期国内外在该领域的研究进展。指出杂化填料及多种类型填料混合使用将赋予复合材料更优异的整体性能,但是杂化填料的制备工艺较复杂且成本较高,需要找到适合大规模低成本生产的杂化填料制备方法。优化复合材料制备工艺,减少纳米填料在EP基体中的聚集,构建导热通路并且切断导电通路,减少复合材料中的孔隙以减少应力集中点,制备具有特殊形貌及优异综合性能的杂化材料作为填料将是未来的研究热点。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
电子封装材料论文参考文献
[1].刘海,杨建,解瑞,陈宇宁,许丽清.电子封装用Cu-MoCu-Cu(CPC)材料与Al_2O_3陶瓷钎焊及变形研究[J].南京工业大学学报(自然科学版).2019
[2].张超,白瑞钦,马勇,韩永芹,李廷希.电子封装用环氧树脂基复合材料研究进展[J].工程塑料应用.2019
[3].宋维东.电子封装用陶瓷基片材料的研究现状[J].中国粉体工业.2019
[4].杨洁.一种宽频透声水下电子传感器封装材料研究[J].电子世界.2019
[5].黄海滨,冀恩龙,于宝义,郑黎,李润霞.压制模具温度对粉末冶金成型铝硅电子封装材料组织和性能的影响[J].中国铸造装备与技术.2019
[6].黄海滨.粉末冶金法制备新型Al-Si电子封装材料的研究[D].沈阳工业大学.2019
[7].王新刚,张润梅,陈典典,曾德军,许西庆.WCu/MoCu电子封装材料的研究现状与发展趋势[J].中国材料进展.2018
[8]..高密度电子封装材料与器件联合实验室[J].高科技与产业化.2018
[9].谢宇宁,雷华,石倩.电子封装用导热环氧树脂基复合材料的研究进展[J].工程塑料应用.2018
[10].汪冬梅.电子封装用3D-SiC/Al互穿复合材料的无压熔渗制备及其界面调控[D].合肥工业大学.2018
论文知识图
