晶体学位相关系论文_叶志镇,张昊翔,赵炳辉,王宇,刘红学

导读:本文包含了晶体学位相关系论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:氮化,外延,晶体,学位,论文,硅基。

晶体学位相关系论文文献综述

叶志镇,张昊翔,赵炳辉,王宇,刘红学^[1]（2000）在《硅基GaN外延晶体学位相关系和生长机理研究》一文中研究指出采用反应蒸发法在提高了缓冲层的生长温度 ,通过对Si基上GaN样品缓冲层区域的高分辨透射电镜像 (HRTEM)和界面区域的选区电子衍射 (SAED)分析的基础上 ,提出了本系统GaN外延的晶体学位相关系和生长机理。GaN与Si衬底之间存在着下列的晶体学位相关系 :GaN <0 0 0 1 >∥Si<1 1 1 >,GaN <1 1 2 - 0 >∥Si<1 1 0 >。GaN外延生长首先在硅衬底上形成GaN晶核 ,生长出GaN多晶缓冲层 ,GaN多晶层在随后的高温保温过程中重新结晶为择优取向的GaN微单晶层 ,最后以这种微单晶层为模板进行晶体大面积的二维生长。同时还发现较高的缓冲层温度也明显提高了GaN外延层的结晶质量。(本文来源于《功能材料与器件学报》期刊2000年04期）

晶体学位相关系论文开题报告

晶体学位相关系论文参考文献

[1].叶志镇,张昊翔,赵炳辉,王宇,刘红学.硅基GaN外延晶体学位相关系和生长机理研究[J].功能材料与器件学报.2000

论文知识图

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