偏压对离子源辅助Hi PIMS制备纳米TiN薄膜力学性能和耐蚀性能的影响

偏压对离子源辅助Hi PIMS制备纳米TiN薄膜力学性能和耐蚀性能的影响

论文摘要

为提高磁控溅射制备薄膜的致密度,减少结构缺陷,研究薄膜显微结构对硬度、韧性及耐蚀性能的影响,尝试在改变离子源和基材偏压的条件下,采用离子源辅助HiPMIS技术在304不锈钢和P型(100)晶向硅片上制备TiN纳米薄膜。采用扫描电子显微镜、小角X射线衍射仪对薄膜的形貌和晶体结构进行分析;采用纳米压痕仪和维氏硬度计分别测量计算薄膜的硬度和韧性,并通过电化学工作站对薄膜的耐蚀性能进行检测。结果表明:随着偏压的增加以及离子源的引入,离子的轰击效应增强,薄膜的沉积速率下降,致密度增加。偏压为-200 V时,薄膜的硬度达到最大值16.2 GPa,且对应的晶粒尺寸最小,(111)晶面衍射峰的强度最高。离子源的加入使所制备薄膜的硬度略有下降。此外,随着偏压的增加,薄膜的韧性和耐腐蚀性能也有一定提高。

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文章来源

类型: 期刊论文

作者: 贺贞,孙德恩,黄佳木

关键词: 离子源,偏压,韧性,耐蚀性

来源: 中国表面工程 2019年01期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

专业: 材料科学,金属学及金属工艺,工业通用技术及设备

单位: 重庆大学材料科学与工程学院,重庆大学机械传动国家重点实验室

基金: 国家自然科学基金(51771037)~~

分类号: TG174.4;TB383.2

页码: 63-71

总页数: 9

文件大小: 2081K

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偏压对离子源辅助Hi PIMS制备纳米TiN薄膜力学性能和耐蚀性能的影响
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