磁控溅射沉积制备Al掺杂ZnO薄膜的棒状晶粒生长

论文摘要

Al掺杂ZnO （AZO）薄膜由于电导率高、光学透过率高、原料储量丰富、成本低廉而成为最具潜力的透明导电薄膜。本实验采用射频磁控溅射法沉积制备了30 cm×30 cm的AZO薄膜,研究了溅射压强对晶体结构、微观结构、电学和光学性能的影响,实现微观结构和性能的调节。结果表明,溅射压强增大,薄膜沉积速率降低,晶体c轴择优取向生长变弱,晶粒尺寸变大且存在长度大于100 nm的棒状晶粒。0.933 Pa时薄膜电阻率降至最低(1.01×10-3Ω·cm),可见光透过率为79.7%,禁带宽度Eg=3.82 eV,有利于透明导电膜的应用。

论文目录

• 0 引言
• 1 实验
•   1.1 实验材料和设备
•   1.2 AZO薄膜的制备
•   1.3 薄膜结构表征和性能测试
• 2 结果与讨论
•   2.1 AZO薄膜的微观形貌与相结构
•   2.2 AZO薄膜的电学性能
•   2.3 AZO薄膜的光学性能
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 赵笑昆,李博研,张增光

关键词: 掺杂,射频磁控溅射,压强,晶粒生长

来源: 材料导报 2019年S1期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

专业: 无机化工,材料科学,工业通用技术及设备

单位: 神华(北京)光伏科技研发有限公司,北京市纳米结构薄膜太阳能电池工程技术研究中心

基金: 国家重点研发计划项目(2018YFB1500200),北京市科技计划项目(Z181100005118003)~~

分类号: TB383.2;TQ132.41

页码: 112-115

总页数: 4

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