缺陷辅助表面修饰提高g-C3N4@C-TiO2直接Z型异质结的可见光光催化性能(英文)

缺陷辅助表面修饰提高g-C3N4@C-TiO2直接Z型异质结的可见光光催化性能(英文)

论文摘要

光催化技术被认为是解决能源和环境问题的最有前途方法之一.较高光催化活性的石墨相氮化碳(g-C3N4)及碳掺杂TiO2(C-TiO2)的制备及性能一直是环境光催化研究的热点,然而,单一光催化剂存在光生电子空穴易复合及量子效率低等问题.本课题组曾通过简单的水辅助煅烧法成功制备了纳米多孔g-C3N4,结果发现,多孔g-C3N4光催化活性较体相的明显提高,但光催化效率仍不够理想,原因是光生电子空穴复合较严重.传统的制备C-TiO2的方法亦存在一些不足,如需要添加碳源或碳组分聚集体.我们采用原位掺杂的方法合成了含有一定氧空位和活性位的纳米碳改性的C-TiO2,后辅以简单的化学气相沉积法构建了g-C3N4表面修饰的g-C3N4@C-TiO2.结果表明,相比纯g-C3N4, TiO2及C-TiO2,g-C3N4@C-TiO2具有更高的光催化活性;但其原因及碳掺杂态的影响尚不清楚.基于此,本文采用X射线光电子能谱技术(XPS)、透射电子显微镜(TEM)、电化学阻抗谱(EIS)、光致发光谱(PL)、电子顺磁共振技术(EPR)及理论计算等手段研究了g-C3N4@C-TiO2光催化活性提高的原因和机理.XPS结果表明,随着碳含量的增加,间隙掺杂产生的O-C键的峰值强度先增大后趋于稳定,而晶格取代掺杂产生的Ti-C键的峰值强度逐渐增大.Ti-O峰的减少进一步证明了更多的碳取代了氧晶格的位置.随着碳掺杂量的增加,C-TiO2的带隙逐渐减小,因而吸收边红移;同时, g-C3N4@C-TiO2的光催化降解效率先升高后降低. g-C3N4@C-TiO2对RhB(苯酚)光降解的最大表观速率常数为0.036(0.039)min-1,分别是纯TiO2, 10C-TiO2, g-C3N4和g-C3N4@TiO2的150(139), 6.4(6.8), 2.3(3)和1.7(2.1)倍.g-C3N4通过π-共轭和氢键与C-TiO2表面紧密结合,在催化剂中引入了新的非局域杂质能级和表面态,可以更有效地分离和转移光生电子,因而光催化活性增加.由此可见,碳掺杂状态和g-C3N4原位沉积表面改性对g-C3N4@C-TiO2复合光催化剂性能的影响很大.

论文目录

  • 1. Introduction
  • 2. Experimental
  •   2.1. Preparation of the photocatalyst
  •   2.2. Characterization
  •   2.3. Photocatalytic activity measurement
  •   2.4. Theoretical calculations
  • 3. Results and discussion
  •   3.1. Crystal structure and chemical state of the surface elements
  •   3.2. Light absorption performance, band gap energy, and microstructure
  •   3.3. Photocatalytic activity
  •   3.4. Photocatalytic mechanism
  • 4. Conclusions
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 李喜宝,熊杰,许英,冯志军,黄军同

    关键词: 光催化剂,异质结,直接型,掺杂,修饰

    来源: 催化学报 2019年03期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅰ辑

    专业: 化学

    单位: 南昌航空大学材料科学与工程学院,湖南科技大学物理与电子科学学院

    基金: supported by the National Natural Science Foundation of China(51772140),the Natural Science Foundation of Jiangxi Province,China(20161BAB206111,20171ACB21033),the Scientific Research Foundation of Jiangxi Provincial Education Department,China(GJJ170578)~~

    分类号: O643.36;O644.1

    页码: 424-433

    总页数: 10

    文件大小: 1704K

    下载量: 416

    相关论文文献

    • [1].石墨烯/氮化硼异质结制备及应用研究进展[J]. 现代化工 2020(01)
    • [2].电场和应变对砷烯/WS_2 van der Waals异质结电子结构的影响[J]. 硅酸盐学报 2020(04)
    • [3].豪赌异质结[J]. 能源 2020(Z1)
    • [4].金刚石压砧助研二维异质结[J]. 超硬材料工程 2020(03)
    • [5].Bi_2Ti_2O_7/TiO_2异质结对盐酸四环素的光催化降解效果评价[J]. 南京师大学报(自然科学版) 2017(02)
    • [6].有机半导体的异质结(Hetero-junction)问题[J]. 影像科学与光化学 2010(02)
    • [7].单壁碳纳米管分子异质结的相干输运研究[J]. 中原工学院学报 2016(01)
    • [8].体异质结型聚合物太阳能电池中的微观形貌调控方法[J]. 化学进展 2017(04)
    • [9].多铁性异质结研究进展[J]. 华南师范大学学报(自然科学版) 2015(06)
    • [10].新型多铁层合异质结及其在可调微波器件中的应用[J]. 科学通报 2014(36)
    • [11].杂多酸异质结复合材料光催化降解印染废水的应用研究[J]. 科技风 2020(33)
    • [12].磁控溅射AlN:Mg/ZnO:Al异质结二极管及其光电特性的研究[J]. 电子器件 2011(05)
    • [13].FTO/TiO_2/ZnO/Cu_2O/Ag异质结电池的光电性能研究[J]. 功能材料与器件学报 2020(01)
    • [14].异质结复合光催化材料用于处理染料废水的研究进展[J]. 环境保护与循环经济 2019(06)
    • [15].二维材料异质结的可控制备及应用[J]. 科学通报 2017(20)
    • [16].基于高效体异质结的聚合物太阳电池研究[J]. 半导体光电 2014(04)
    • [17].碳纳米管对接成异质结器件的计算模拟[J]. 物理学报 2013(10)
    • [18].全固态Z-型CdS/Au/Bi_2MoO_6异质结的构筑及其光催化性能[J]. 无机化学学报 2020(01)
    • [19].Bi_2O_3/Bi_2WO_6异质结的构建及其光催化降解性能[J]. 商丘师范学院学报 2019(06)
    • [20].n-ZnO/i-ZnO/p-GaN异质结紫外探测器研究[J]. 电子世界 2016(14)
    • [21].稳态条件下体异质结有机太阳能电池的数值分析[J]. 郑州大学学报(工学版) 2013(04)
    • [22].有机太阳能电池的研究进展[J]. 佳木斯教育学院学报 2013(08)
    • [23].ZnO:Al/n-ZnO/p-GaN异质结电致发光特性研究[J]. 电子元件与材料 2012(10)
    • [24].新型双异质结高电子迁移率晶体管的电流崩塌效应研究[J]. 物理学报 2012(20)
    • [25].AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料生长及性质研究[J]. 固体电子学研究与进展 2011(05)
    • [26].高效钙钛矿-有机本体异质结杂化串联太阳能电池(英文)[J]. 发光学报 2015(09)
    • [27].量子棒及其异质结的超低频拉曼光谱及有限元分析[J]. 光散射学报 2018(03)
    • [28].二维材料领域的“新大陆”——范德瓦尔斯异质结[J]. 物理 2017(05)
    • [29].采用横向外延过生长技术制备n-InP/p-Si异质结[J]. 半导体信息 2015(04)
    • [30].锗硅/硅异质结材料的化学气相淀积生长动力学模型[J]. 物理学报 2011(06)

    标签:;  ;  ;  ;  ;  

    缺陷辅助表面修饰提高g-C3N4@C-TiO2直接Z型异质结的可见光光催化性能(英文)
    下载Doc文档

    猜你喜欢