论文摘要
随着电力电子行业的发展,射频电源对高效率、轻量化的要求逐渐提高。硅（Si）材料的理论极限,约束了Si功率器件在高频、高压及大功率等场所的应用。基于氮化镓（GaN）半导体材料制备的功率器件与Si器件相比,具有导通阻抗低、输入输出电容小等特性。基于这些特性,采用GaN管设计制作了一款开关频率为2 MHz的半桥式固态射频电源样机。通过电路的设计和优化,样机输出2 MHz的标准正弦波。样机的输出功率为14.9 W时,效率可达到95.5%,功率密度可达到78.9×10-3W/cm3。同时,采用专为射频电源生产的Si功率器件替换掉样机上的GaN器件,验证了GaN器件与Si器件相比,可大幅度提高半桥式固态射频电源的整机效率和功率密度。
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 谭平平,桂成东,姜力铭,陈文光
关键词: 射频电源,功率器件,半桥变换器,开关电源
来源: 南华大学学报(自然科学版) 2019年02期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅱ辑,信息科技
专业: 电力工业,电信技术
单位: 南华大学电气工程学院
分类号: TN86
DOI: 10.19431/j.cnki.1673-0062.2019.02.008
页码: 49-54+60
总页数: 7
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