导读:本文包含了组分偏析论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:组分,传质,外延,溶剂,晶体,数值,分解。
组分偏析论文文献综述写法
李晓娟[1]（2018）在《PMN-PT基铁电晶体组分偏析及其结构与性能研究》一文中研究指出准同型相界弛豫铁电单晶(100-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(PMN-xPT)以其优异的介电、压电和机电耦合性能吸引了众多研究者的关注。相关的基础理论研究主要集中在高电学性能的起源、准同型相界处结构相变以及多元晶体的改性方面。对于晶体组分偏析以及元素分布与结构和性能之间的关系缺少系统的研究和认识。此外,PMN-xPT铁电晶体构成元素多,结构复杂,对其结构相变和高电学性能的认识至今也没有一个统一的结论。本论文以PMN-xPT单晶为研究对象,系统分析了晶体成分偏析对其组织结构和性能的影响规律,主要内容和相关结论如下:采用电子探针成分分析方法研究了[111]方向生长的名义组分为PMN-32PT晶体(001)和(111)切面上[100]、[010]、[011]以及[011]等不同晶向上元素分布与宏观电学性能之间的相互关系。对于(001)切面,沿[100]方向约为6～8 mm范围内,PT含量几乎不变;在[010]方向约为10～12 mm。对于(111)切面,沿径向[011]方向,在测量范围内约14 mm,PT含量几乎不变。发现当PT含量不变时,晶体电学性能的涨幅与Mg元素分布正向相关,而与Nb元素分布负向相关。从Ti元素分布出发,以伪二元PMN-xPT相图为基础,研究了准同型相界附近(30≤x≤5 35)Ti含量对PMN-xPT晶体电学性能和结构相变的影响规律。随Ti含量从x = 30增加到35,室温介电常数先增加后减小,极化的x = 31和未极化的x =33组分介电性能最高(ε～6000),表明准同型相界区域内存在两个结构敏感组分线。室温下PMN-31PT结构主要是MA相,并非Mc;温度诱导未极化PMN-31PT晶体发生R → M → T → C转变;直流电场诱导晶体从R转变为MA,随温度升高MA →Mc → T → C转变。发现沿[001]方向施加一定临界压应力有助于MA向R转变,当压应力为20MPa,MA会向正交O相转变。14 MPa压应力作用下,随温度升高,依次发生R→ →MA→Tr→Mc →T →C转变。采用超低温(5 K-300 K)微区拉曼与介电测量手段,结合分形团簇理论,从元素分布的不均匀性以及它们在微结构中的涨幅为切入点,考察低温环境下弛豫铁电体PMN-33PT的微观结构变化,探索低温极性变化与室温超高电学性能之间的关系。结果发现:PMN-33PT室温超高的电学性能可能来源于晶体中B位阳离子分布的不均匀以及晶格上的元素无序排列导致极性纳米微区(PNRs)的形成,极性纳米微区与声子振动的耦合使得低温微区结构不稳定,从而引起大的极性旋转,导致介电性能急剧增加,而并非单斜M相的贡献。系统研究了铌钪酸铅(Pb(Sc1/2Nb1/2)03,简称PSN)改性的PMN-PT晶体的相结构、畴形貌和畴尺寸与宏观电学性能之间的相互关系。从Sc元素增强晶体B位化学有序度以及自由能角度分析了叁元PSN-PMN-PT晶体比二元PMN-PT具有更高的相变温度(TR-T =121℃)、更大的矫顽场(Ec= 400v/mm)以及更大的弥散相变的原因。研究了不同极化工艺下叁元PSN-PMN-PT晶体畴尺寸效应,发现低电场下电畴越细,压电性能越好;然而高电场下这一规律出现偏差;高温极化工艺样品的畴尺寸和压电性具有更好的电场稳定性,但压电常数的温度稳定性不如普通极化工艺。缺陷的存在势必阻碍畴壁的迁移、影响极性动态演变,进一步影响晶体的宏观电学性能。研究了化学缺陷对(001)取向PSN-PMN-PT单晶和钛酸铋钠陶瓷(NBT)电学性能和载流子输运情况,并对比了它们之间的差异。结果表明:晶体中的载流子类型、电荷输运机制和电学性能规律完全不同于陶瓷。室温下,相比陶瓷,晶体具有更低的漏电流,导电载流子为电子,陶瓷导电载流子为离化的氧空位。在高温范围,晶体表现出大的传导性,导电机制为离子导电。电荷缺陷钉扎晶体电畴的翻转,增加PT晶体的矫顽场,减小介电损耗;同时电荷缺陷和电畴结构之间的耦合作用使得多畴结构比单畴态更加稳定。(本文来源于《陕西师范大学》期刊2018-05-01）
刘俊成[2]（2004）在《坩埚旋转波形参数对晶体组分偏析影响的数值研究》一文中研究指出计算模拟了加速坩埚旋转技术Bridgman(ACRT—B)法生长cd0.96Zn0.04Te单晶体过程,研究了ACRT波形参数对固-液界面凹陷和晶体内组分偏析的影响.计算结果表明: ACRT波形参数的变化几乎不影响固-液界面前沿熔体中均一浓度场的形成.但是,波形参数能够显着改变固-液界面的凹陷和晶体内的组分偏析.波形参数不适当时,固-液界面的凹陷深度增加数倍,同时晶体组分的径向偏析也显着增加.波形参数不适当时,固-液界面的凹陷深度不增加或增加很少,晶体组分的径向偏析显着减小,直至为零.本工作所选择的各种波形参数下, ACRT均能明显增加晶体组分的轴向偏析.(本文来源于《金属学报》期刊2004年09期）
徐华蕊,古宏晨,袁渭康[3]（2000）在《一种研究喷雾热分解过程中组分偏析的新方法——溶剂萃取法》一文中研究指出目前喷雾热分解法制备超细复合粉末组分偏析控制研究中缺乏分析手段。详细介绍了一种用于研究组分偏析现象的溶剂萃取方法,即利用两种组分在同一溶剂中的不同溶解性来分析复合粉末的组分偏析形式的方法。该方法不仅简单,而且结果可靠。(本文来源于《材料导报》期刊2000年01期）
黄靖云,卢焕明,叶志镇,姜小波,袁骏[4]（1999）在《超高真空CVD生长的Si_(1-x)Ge_x合金组分变化与表面偏析现象》一文中研究指出系统分析了利用超高真空CVD技术在Si衬底上外延Si1-xGex 合金的体内组分分布情况和Ge的表面偏析现象。用SIMS对Si和Ge的组分作了深度剖析。在生长过程中 ,组分均匀 ,在表面Ge浓度减小 ,Si浓度没有明显变化。在不经HF酸清洗和在HF酸中去掉表面自然氧化层的两种情况下 ,用XPS分别对外延层表面进行了定量分析 ,得到Ge的表面偏析与表面自然氧化相关的结论(本文来源于《真空科学与技术》期刊1999年02期）
组分偏析论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
计算模拟了加速坩埚旋转技术Bridgman(ACRT—B)法生长cd0.96Zn0.04Te单晶体过程,研究了ACRT波形参数对固-液界面凹陷和晶体内组分偏析的影响.计算结果表明: ACRT波形参数的变化几乎不影响固-液界面前沿熔体中均一浓度场的形成.但是,波形参数能够显着改变固-液界面的凹陷和晶体内的组分偏析.波形参数不适当时,固-液界面的凹陷深度增加数倍,同时晶体组分的径向偏析也显着增加.波形参数不适当时,固-液界面的凹陷深度不增加或增加很少,晶体组分的径向偏析显着减小,直至为零.本工作所选择的各种波形参数下, ACRT均能明显增加晶体组分的轴向偏析.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
组分偏析论文参考文献
[1].李晓娟.PMN-PT基铁电晶体组分偏析及其结构与性能研究[D].陕西师范大学.2018
[2].刘俊成.坩埚旋转波形参数对晶体组分偏析影响的数值研究[J].金属学报.2004
[3].徐华蕊,古宏晨,袁渭康.一种研究喷雾热分解过程中组分偏析的新方法——溶剂萃取法[J].材料导报.2000
[4].黄靖云,卢焕明,叶志镇,姜小波,袁骏.超高真空CVD生长的Si_(1-x)Ge_x合金组分变化与表面偏析现象[J].真空科学与技术.1999