扩孔液中Cu2+离子对高压铝箔直流腐蚀的影响

论文摘要

采用极化曲线、扫描电子显微镜（SEM）和电感耦合等离子体-质谱（ICP-MS）研究了铝箔在含Cu2+的HNO3扩孔液中电化学腐蚀行为,同时考察了扩孔液中添加DCTA对Cu2+的络合缓解效果。结果表明,HNO3扩孔液中添加Cu2+后,由于形成了Cu-Al原电池,自腐蚀电位明显正移,自腐蚀电流也增加;过多的Cu2+会减小隧道孔平均长度,但显著增大孔径,导致并孔发生。腐蚀箔520 V比容随着Cu2+含量的增加,先保持不变后显著减小,扩孔液中Cu2+质量浓度应控制在0.70 ppm以下。另外,在含Cu2+的扩孔液中引入络合剂DCTA,不能缓解Cu2+的不利影响,反而会劣化腐蚀箔性能。

论文目录

• 1 实验部分
•   1.1 直流腐蚀
•   1.2 电化学测试及元素分析
•   1.3 形貌表征
• 2 结果与讨论
•   2.1 Cu2+离子对极化曲线影响
•   2.2 Cu2+离子对截面形貌影响
•   2.3 Cu2+离子对表面形貌影响
•   2.4 Cu2+离子对腐蚀性能影响
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 何凤荣,余凯,张霞,向云刚,肖远龙

关键词: 高压铝箔,极化曲线,离子,比电容,直流腐蚀,扩孔

来源: 电子元件与材料 2019年09期

年度: 2019

分类: 信息科技,工程科技Ⅰ辑

专业: 金属学及金属工艺

单位: 东莞东阳光科研发有限公司,乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司

分类号: TG178

DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2019.09.010

页码: 66-70+76

总页数: 6

文件大小: 7267K

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