SiC籽晶上生长AlN单晶的杂质组成及处理

论文摘要

采用物理气相传输法在SiC异质籽晶上制备了AlN单晶。通过Raman光谱仪、X射线衍射仪、二次离子质谱仪和X射线光电子能谱研究了AlN单晶的结晶质量和杂质成分,针对不同的杂质成分提出了相应的处理方式。结果表明:C、O为AlN单晶中的主要杂质元素,其中C元素为非故意掺杂,与AlN单晶的生长环境密切相关,随着生长晶体厚度的增加,C杂质元素的含量逐渐降低。而O元素除了源粉和生长系统中吸附氧外,还与抛光过程中形成的氧化物层有关;经腐蚀和退火处理,AlN表面氧化物的含量大幅降低,N/Al摩尔比接近1;经杂质处理后的AlN单晶片可作为同质生长的籽晶。

论文目录

• 1 实验
•   1.1 晶体生长
•   1.2 晶体加工
• 2 结果与讨论
•   2.1 AlN单晶切割片
•   2.2 AlN单晶抛光片
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 张丽,齐海涛,程红娟,金雷,史月增

关键词: 氮化铝单晶,碳化硅籽晶,杂质组成,杂质处理

来源: 硅酸盐学报 2019年01期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑

专业: 化学

单位: 中国电子科技集团公司第四十六研究所

基金: 国家重点研发计划项目(2017YFB0404103),国家自然科学基金项目(51702297),天津市第二批特支计划高层次创新创业团队支持项目

分类号: O78;O614.31

DOI: 10.14062/j.issn.0454-5648.2019.01.03

页码: 27-32

总页数: 6

文件大小: 710K

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