掺杂薄膜论文

后退火对射频磁控溅射法制备Mg掺杂Ga2O3薄膜性质的影响
论文摘要本文采用双靶材交替溅射的射频磁控溅射法生长了高质量的Mg掺杂氧化镓薄膜,并将制备的样品在1000℃条件下进行后退火处理,以研究退火前后Mg掺杂Ga2O3薄膜的性质变化。...