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  • 逆Stone-Thrower-Wales缺陷和9AGNR双栅石墨烯纳米带FET的传输特性(英文)

    逆Stone-Thrower-Wales缺陷和9AGNR双栅石墨烯纳米带FET的传输特性(英文)

    论文摘要基于缺陷的碳纳米结构工程正在成为改变石墨烯纳米带FET中电子传输性质的重要且有效的方法。本文研究了ISTW缺陷的位置和对称性对低维9NR双栅石墨烯纳米带FET(DG-G...
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