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  • 三维势垒限制的硅基杂质原子晶体管及其制备方法论文和设计-张晓迪

    三维势垒限制的硅基杂质原子晶体管及其制备方法论文和设计-张晓迪

    全文摘要一种三维势垒限制的硅基杂质原子晶体管及其制备方法,该杂质原子晶体管至少包括:一源区硅电导台面与一漏区硅电导台面,对称分布于一SOI基片之上;一硅纳米线结构,位于SOI基...
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