电子特性论文

论文摘要过去的十几年间,尽管锯齿型氮化硼纳米带（ZBNNRs）材料本身具有很多独特的性能,但是也有很多不足的地方需要弥补。在之后的研究中,科学家们尝试了很多方法旨在优化和改良它...

论文摘要在过去,将自旋特性引入到半导体器件中的自旋电子学器件引起了科学家们的注意,一个最大的问题就是引入率比较低。为此,科学家们猜想:如果让材料的自旋极化率达到100%,是不是...

论文摘要理论与实验研究表明,全氢化的锗烯(锗烷)是带隙为1.59eV的非磁性半导体,而一侧半氢化的锗烯对应带隙为0.50eV的铁磁性半导体,其优异的电子特性有望在光电器件、传感...

论文摘要用氢对单层二维过渡金属硫化物（TMDs）进行功能化是调节单层TMDs电子性质的既有效又经济的方法.采用密度泛函理论,对单层TMDs（MX2（M=Mo,W;X=S,Se,...