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    SiNX覆盖层厚度对非晶In-Ga-Zn-O薄膜退火晶化的影响研究

    论文摘要采用射频磁控溅射在二氧化硅衬底上沉积一层厚度200nm的非晶In-Ga-Zn-O(IGZO)薄膜,并在IGZO膜层上沉积厚度分别为20nm、50nm、60nm、70nm...
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