高电子迁移率场效应晶体管论文

论文摘要采用分子束外延技术制备了InP基HEMT样片,室温下样片迁移率达10289cm2/（V·s）。通过光刻、腐蚀、磁控溅射、点焊等工艺技术制备出了蝶形天线耦合的太赫兹探测器...