![表面活性剂复配对蓝宝石CMP后清洗效果的影响]()
论文摘要为了去除蓝宝石化学机械抛光(CMP)后表面残留的抛光液,采用表面活性剂复配清洗法,选用非离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚9(AEO9)和阴离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚硫...
![基于MVC架构的CMP软件模块开发研究]()
论文摘要针对化学机械抛光技术（CMP）软件系统复杂、工艺控制种类繁多、运行参数数据量大等问题,提出将MVC（Model-View-Controller）架构应用于CMP软件设计...
![不同磨料对硬质合金刀片化学机械抛光的影响]()
论文摘要为了提高硬质合金刀片前刀面化学机械抛光(CMP)的材料去除率和表面质量,采用6种不同硬度磨料(金刚石、碳化硼、碳化硅、氧化铝、氧化锆、氧化硅)对硬质合金刀片CMP加工,...
![不同种类表面活性剂对a面蓝宝石衬底CMP的影响]()
论文摘要研究了在抛光液中分别添加非离子表面活性剂异辛醇聚氧乙烯醚(JFCE)、阴离子表面活性剂十二烷基苯磺酸(LAS)和阳离子表面活性剂十二烷基三甲基氯化铵(DTAC)对a面蓝...
![催化剂浓度对6H-SiC晶片Si面化学机械抛光性能的影响]()
论文摘要目的提高6H-SiC晶片Si面化学机械抛光（CMP）的材料去除率（MRR）,改善其抛光表面质量。方法使用含有不同Cu2+浓度和甘氨酸形成的配合物作为催化剂、H2O2作为...
![SiC晶片不同晶面的CMP抛光效果对比研究]()
论文摘要化学机械抛光（CMP）已被认为是目前实现SiC晶片全局平坦化和超光滑无损伤纳米级表面的最有效加工方法之一,然而SiC晶片的化学氧化反应受其表面极性的强烈影响,从而导致其...
![不同粒径球形氧化铝的制备及其对蓝宝石的抛光性能研究]()
论文摘要采用均匀沉淀法,以硫酸铝、尿素、PEG-2000为原料,通过调整Al3+浓度制备不同粒径的球形氧化铝。采用X射线衍射仪、扫描电镜对前驱体及氧化铝进行表征。将不同粒径的氧...
