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    Ce掺杂HfO2薄膜的化学溶液法制备及其铁电性能研究

    论文摘要氧化铪基薄膜与金属氧化物半导体(CMOS)工艺高度兼容,具有良好的可微缩性和保持性能,其铁电性的发现引起了科学家们的广泛关注.该文通过化学溶液法在铂(Pt)衬底上制备5...
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