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  • 基于Cu和TiN盖层的Hf0.5Zr0.5O2薄膜铁电性能比较研究

    基于Cu和TiN盖层的Hf0.5Zr0.5O2薄膜铁电性能比较研究

    论文摘要该文采用原子层沉积在Si/SiO2/TiN基底上制备了20nmHf0.5Zr0.5O2(HZO)薄膜,并分别以TiN和Cu为盖层构筑了HZO铁电电容器.掠入射X射线衍射...
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