金属有机化合物气相沉积论文

生长温度对InAs/GaAs横向异质结构纳米线形貌及晶体结构的影响
论文摘要低维半导体材料因其超常的物理性能而受到了广泛关注和研究。本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,利用金作催化剂制备了InAs/GaAs横向异质结构纳米线,并讨...