导读:本文包含了结构记忆效应论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:记忆,结构,效应,合金,形状,丙烯酰胺,微观。
结构记忆效应论文文献综述
孙斌[1]（2019）在《热机械处理Ti-16Nb高温记忆合金的组织结构与形状记忆效应》一文中研究指出Ti-Nb合金与其他高温记忆合金相比,具有优异的冷热加工性能,马氏体相变温度可达300~℃以上,在高温场合下的驱动和连接等方面具有广阔应用前景。然而,Ti-Nb合金的形状记忆效应差,完全可恢复应变不到2%,这已阻碍了它的进一步推广应用。本文采用透射电镜、高分辨电镜、差示扫描量热分析以及拉伸试验等系统研究了热机械处理对Ti-16Nb高温记忆合金组织和界面结构、马氏体相变、形状记忆效应的影响,阐明了合金在室温拉伸变形时的组织结构演化规律和变形微观机制,揭示了热机械处理提高Ti-16Nb合金形状记忆效应的微观机制。透射电镜观察表明,固溶态Ti-16Nb合金中α″马氏体主要呈“V”字型自协作形态。构成“V”字型变体组的马氏体具有{1 1 1}I型或〈2 1 1〉II型孪晶关系。其孪晶界面共格性良好。但当“V”字型马氏体的侧边和其他变体的端部接触时,除孪晶面以外,还可观察到以((?)2 0)_(CV(i))~(1 3 (?))_(CV(j))或((?)2 0)_(CV(i))~((?)0 2)_(CV(j))晶面作为连接面,形成半共格界面。Ti-16Nb合金经适当的热机械处理后,冷加工引入的位错在退火时被部分消除并发生重排,形成局部内应力场,使马氏体变体在相变过程中发生择优取向,从而形成单一取向的马氏体板条。升高退火温度或延长退火时间,择优取向的马氏体板条数量减少,呈“V”字型组态的马氏体数量增多。热机械处理对Ti-16Nb合金的马氏体相变具有显着影响。当冷轧/冷拔变形量为60%,随着退火温度的升高或退火时间的延长,马氏体逆转变峰值温度A_p升高。升高退火温度,α相含量降低,基体中Nb含量也随之降低,导致A_p升高。随着退火时间的延长,α相含量保持不变,而残余位错密度逐渐降低,其对马氏体形核的促进作用减弱,导致A_p升高。当退火工艺参数不变时,A_p随冷轧/冷拔变形量的增加而降低。适量的残余位错不明显阻碍马氏体相变,又有利于马氏体的形核,因此相变温度降低。固溶态Ti-16Nb合金室温拉伸变形时,在粗大马氏体变体内部形成大量细小的{1 1 1}I型和〈2 1 1〉II型孪晶。当变形量超过2%时,位错滑移与马氏体的孪生同时发生。当应变量增至10%时,还观察到有少量{0 1 1}复合孪晶形成。热机械处理改变了Ti-16Nb合金的变形微观机制。当拉伸变形量小于5%时,经适当热机械处理后的Ti-16 Nb合金中主要发生马氏体的合并及再取向。当拉伸应变量大于5%时,位错滑移开始出现,导致形状不能完全恢复。固溶态Ti-16Nb合金变形时,{1 1 1}堆垛层错可作为{1 1 1}I型和〈2 1 1〉II型孪晶的形核位置。层错存在时{1 1 1}面上的原子通过微小切变就能移动到孪晶的点阵位置。柏氏矢量为〈0.3044 0.1465(?)〉的不全位错在{1 1 1}晶面连续滑移5个原子层,便可形成{1 1 1}I型孪晶。此外,当某一区域内同时存在多个{1 1 1}堆垛层错时,与之对应的Shockley不全位错将使其附近的(0 0 2)_m晶面间距增大,接近与之平行的〈0 (?)0〉_t晶面,经微小调整后,便可形成〈2 1 (?)〉II型孪晶。变形时{1 1 1}I型孪晶界面运动由孪生位错在孪晶面滑移实现。当拉伸应变量为5%,孪晶界面上出现高度不等的台阶,在部分孪晶界面附近观察到少量{1 1 1}晶面堆垛层错。当应变量增至10%时,孪晶界面附近产生畸变层。变形过程中〈2 1 (?)〉II型孪晶通过多个(1 (?)1)晶面协同的切变实现孪晶面〈(?)5 (?)〉的运动。热机械处理显着提高了Ti-16Nb合金的形状记忆效应。当冷轧/冷拔变形量为60%,退火时间为0.5h时,Ti-16Nb合金的可恢复应变随退火温度的升高而增加,当退火温度为700~℃时达极大值;而当冷轧/冷拔变形量为60%,退火温度为700~℃时,可恢复应变随着退火时间的延长而减小。Ti-16Nb合金获得的最佳的热机械处理工艺参数为冷轧/冷拔变形量60%,退火温度700~℃,退火时间0.5h,此时可获得5%的完全可恢复应变。Ti-16Nb合金经热机械处理后形成择优取向的板条状马氏体再取向临界应力低,界面可动性好是形状记忆效应提高的主要原因。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2019-06-01）
黄帅[2]（2018）在《热机械处理TiTaZrIn合金组织结构与形状记忆效应》一文中研究指出TiTa合金具有高相变温度,良好的冷热加工性能,但热稳定性差,形状记忆效应不足。采用Zr掺杂可以有效的改善合金的热稳定性,以及形状记忆效应,但Zr掺入导致合金的塑性下降。本文采用In掺杂提高合金的塑性并利用热机械处理改善合金的形状记忆效应。论文采用X射线衍射分析、扫描电子显微镜观察、透射电子显微分析、差示扫描量热法、弯曲法、以及室温拉伸法等考察In掺杂以及热机械处理对TiTaZrIn合金组织结构、马氏体相变、力学行为以及形状记忆效应的影响。研究发现,室温下固溶态Ti_(65)Ta_(25-x)Zr_(10)In_x(x=0,1,2,5)合金为α''+β相共存,随In含量的增加,合金中α''相的比例增加。Ti_(70)Ta_(18)Zr_(10)In_2合金室温下由单一的α''马氏体相组成。Ti_(65)Ta_(25-x)Zr_(10)In_x(x=0,1)合金中母相与马氏体相之间存在[100]β∥[100]α''位向关系。Ti_(65)Ta_(23)Zr_(10)In_2合金中马氏体变体之间呈(111)Ⅰ型孪晶结构,Ti_(70)Ta_(18)Zr_(10)In_2合金中观察到粗大的马氏体板条,马氏体变体内亚结构为(111)Ⅰ型孪晶。In掺杂可以有效改善合金塑性,掺入2at.%In的Ti_(65)Ta_(23)Zr_(10)In_2合金相比于Ti_(65)Ta_(25)Zr_(10)合金断裂应变由11.9%提升到24.3%;In含量的增加,合金的抗拉强度升高,掺入5at%In后合金的强度由691.93MPa提高到802.34MPa。Ti_(65)Ta_(23)Zr_(10)In_2合金形状记忆效应最好,预应变为6%时,可以得到5.35%的最大可恢复应变。经600℃及以上温度退火处理过程中,冷轧变形后的合金再结晶。退火温度的升高,合金中平均晶粒尺寸变大,经800℃退火后Ti_(70)Ta_(18)Zr_(10)In_2合金的平均晶粒尺寸约40μm。600℃退火处理后的合金中还残留有大量的位错,经800℃退火处理后的可以观察到大量的马氏体变体组织,相邻马氏体变体之间呈(111)Ⅰ型孪晶结构。退火温度的升高,合金的塑性提高,抗拉强度下降,经600℃退火后的Ti_(65)Ta_(23)Zr_(10)In_2合金强度可达到1087.38MPa。经600℃退火处理后的合金形状记忆效应最优,Ti_(65)Ta_(23)Zr_(10)In_2以及Ti_(70)Ta_(18)Zr_(10)In_2合金均可得到6%的完全可恢复应变,预应变为7%时,Ti_(70)Ta_(18)Zr_(10)In_2合金可获得最大可恢复应变,为6.2%。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2018-06-01）
高志胜[3]（2018）在《腐植酸对LDHs的结构记忆效应吸附硼酸的影响及机理》一文中研究指出类水滑石化合物是人工合成的一类具有层状结构的粘土矿物,因其结构记忆效应而具有良好的阴离子吸附效果。煅烧后的类水滑石化合物(CLDH)可以成为一种廉价高效的硼吸附剂,但是在治理含硼废水或者海水除硼等实际应用中不得不考虑天然腐植酸(HA)的影响。HA广泛分布于自然界土壤及水体中,是重要的天然配位体和载体,会影响CLDH利用结构记忆效应吸附硼酸,还对矿物的表面性质、金属和污染物的迁移转化具有极其重要的影响。研究腐植酸对LDHs的结构记忆效应吸附硼酸的影响及机理,有利于类水滑石吸附剂的推广和应用,为研究天然有机质和粘土材料的相互作用等提供借鉴。本文分别从黑土和沉积土中提取了天然腐植酸HA-B和HA-S,并对其进行了元素分析、FTIR和~(13)C-NMR等测试,以确定其主要基团和相对含量。然后进一步在HA-B和HA-S溶液中研究Mg-CLDH、Zn-CLDH和Ca-CLDH水化和结构再生过程,揭示了HA对LDHs结构记忆效应的影响:(1)溶液中的HA可以加速Mg-CLDH中金属离子的溶解,从而加快其转化为具有层状结构的Mg-LDH,并且HA-B的促进作用比HA-S更强。但是吸附在再生Mg-LDH表面的HA会影响晶体的生长,使原先光滑的六边形颗粒变得不规则、晶粒尺寸变小。(2)在HAs溶液中,Zn-CLDH颗粒表面部分可以快速完成水化并转化成Zn-LDH,同时还会迅速吸附溶液中的HA。然后吸附在颗粒表面的HA和新生Zn-LDH会阻碍内部Zn-CLDH的水化和结构再生反应。另外,Zn-CLDH在HA-S溶液中结构再生形成Zn-LDH的转化率比在HA-B中更低,并且在更高浓度的HA-B和HA-S溶液中转化率会更低。(3)Ca-CLDH在HA溶液中能快速吸附HA并转化成Ca-LDH,并且吸附的HA会影响新生Ca-LDH的层间距。在HA-B溶液中反应48h时,再生的Ca-LDH层间距主要为8.0?,而在HA-S溶液中时的层间距在7.5?左右。HA除了会影响新生Ca-LDH的形貌,还会抑制结构记忆效应过程中CaCO_3的形成。在HA+B(OH)_3+CLDH的叁元体系实验中,发现HA对含不同二价金属CLDH的硼酸(B(OH)_3)吸附性能造成不同的影响,对实验结果进行了合理地分析和讨论,最终得出以下结论:(1)由于溶液中的B(OH)_3和HA络合,HA上大部分活性位点都被占据了,无法通过络合作用加速Mg-CLDH的结构再生。另一方面,Mg-CLDH吸附溶液中HA的同时也会吸附被络合的B(OH)_3,加速了Mg-CLDH对B(OH)_3的吸附。吸附的HA会使再生的Mg-LDH结晶度下降,片状结构变得粗糙不规则,最终导致硼酸吸附容量下降。(2)HA和B(OH)_3络合后,被吸附在Zn-CLDH的球状颗粒的表面,导致内部Zn-CLDH水化和结构再生的速率变得更慢,结构再生率也更低。此外,表面的反应产物还会阻碍B(OH)_3被颗粒内部新生的的Zn-LDH吸附,最终导致B(OH)_3吸附性能严重下降。(3)在HA+B(OH)_3溶液中,HA的存在会阻碍Ca-CLDH在再生过程中与B(OH)_4~-反应生成含硼酸根的钙矾石(Ca_6[Al(OH)_6]_2[B(OH)_4]_6),导致Ca-CLDH不能固定溶液中的硼酸。此外,Ca-CLDH在HA+B(OH)_3溶液中水化再生时,CaCO_3的形成受到更加明显的抑制。(本文来源于《武汉工程大学》期刊2018-04-01）
杨晓明,曹瑞[4]（2017）在《具有形状记忆效应的氧化石墨烯/聚(N-异丙基丙烯酰胺)基双层结构近红外光驱动器》一文中研究指出近几年,智能驱动器因其可在环境刺激(光、热、磁、pH等)下进行可控且可逆的形状变化,在人工肌肉,仿生机器人等领域,具有非常大的发展潜力。石墨烯材料,以其轻质,高比表面积,高机械强度等特点,被认为是可以制备高性能驱动器的新型材料。氧化石墨烯(GO)是石墨烯最重要的一种衍生物,它在sp2的碳原子组成的呈蜂窝状的二维单原子层表面接枝大量的含氧官能团。在保留石墨烯优异的成膜性、光热效应、机械性能,又具有一定的亲水性,因此可以制备成湿度,热,近红外光刺激响应器。本文通过将温敏性的聚合物聚PNIPAM通过氢键作用,将其修饰在GO表面得到PNIPAM修饰的GO片层(GmP)。通过两步抽滤法,制备新型近红外光刺激响应的双层驱动器GO/GmP。结果表明:该双层驱动器在周期性近红外光照下发生可逆的弯曲/变直的运动,而且在近红外光照下存在着记忆模板弯曲取向的效应,同时依靠这种双层薄膜制备了一种智能"叉车"。(本文来源于《中国化学会2017全国高分子学术论文报告会摘要集——主题M：高分子共混与复合体系》期刊2017-10-10）
张乾坤,杨斯洁,薛一菡,张文福,卢召红[5]（2017）在《金属磁记忆效应结构损伤检测方法研究》一文中研究指出金属磁记忆技术能够精确的检测出结构损伤的部位,并能对损伤做出预测。本文对金属磁记忆检测技术在国内外的发展现状做出了阐述,概述了金属磁记忆检测技术的原理和与传统无损伤检测相比的优势和它不完善之处,并介绍了其未来的研究趋势。(本文来源于《第十七届全国现代结构工程学术研讨会论文集》期刊2017-07-21）
[6]（2015）在《二元Ti-Zr合金微观结构和形状记忆效应》一文中研究指出近年来,新型钛基无镍合金以其良好的生物相容性、耐腐蚀性、低弹模、高相变温度等特性成为了形状记忆合金领域的研究重点。北京航空航天大学李岩等人采用X射线衍射、金相、透射电镜、差示扫描量热分析、压缩应力-应变实验等方法系统研究了TixZr100-x(x=20、30、50、70、80,原子分数)合金的微观组织结构、相变特性、力学性能及形状记忆效应。(本文来源于《钛工业进展》期刊2015年05期）
赵瑞颖,杨爽,陈尔强[7]（2015）在《含聚降冰片烯主链的Hemiphasmid型侧链液晶聚合物的相结构及多重形状记忆效应》一文中研究指出形状记忆高分子是一类能够固定临时形状并在外界刺激下恢复到其原始形状的刺激响应性材料。网络结构和转换链段是形状记忆高分子所必备的两大结构要素。体系中的化学或物理交联点决定了材料的永久形状,而暂时形状通常由一些可逆结构转变进行固定。我们发现Hemiphasmid型侧链液晶聚降冰片烯衍生物可具有多重形状记忆效应。我们利用开环易位聚合法合成了一系列分子量较大且分散度窄的Hemiphasmid型侧链液晶聚降冰片烯(P_n,n=4,8,12)。当侧链的烷基尾链的碳原子数n由4增加到8再增加到12时,聚合物的相结构产生了由无定形态到层状相再到柱状相的变化。具有液晶结构的该类聚合物具有相当宽的液晶相转变温区。以P_(12)样品为例,其液晶相转变温区为40~80°C。在这一宽的转变温区中,我们成功实现了材料的多台阶形状回复以及多重(叁重)形状记忆效应。(本文来源于《2015年全国高分子学术论文报告会论文摘要集——主题C 高分子物理与软物质》期刊2015-10-17）
万松明,张波,冯德玄,郑贵梅[8]（2015）在《LiB_3O_5熔体结构记忆效应的原位Raman光谱研究》一文中研究指出LiB_3O_5(LBO)是应用最广泛的二阶非线性光学晶体。传统的LBO晶体以B_2O_3为助溶剂采用高温溶液法进行生长。S.C.Sabharwal、A.B.Kaplun、N.V.Surovtsev等人在研究LBO晶体生长和Li_2O-B_2O_3二元体系相图时都发现LBO晶体存在特殊的融化行为。以860℃为限,在该温度以下,LBO晶体表现为一致熔融的特征;在该温度以上,LBO晶体表现为非一致熔融的特征。该现象被称为LiB_3O_5熔体的结构记忆效应,它对LBO晶体生长工艺的选择以及晶体质量都有着重要影响。高温熔体结构是认识熔体内部微观物理化学过程的基础。但受限于LiB_3O_5熔体结构的复杂性,以及研究手段的匮乏,目前学界对LiB_3O_5熔体结构的记忆效应还没有明确的解释。我们采用高温Raman光谱技术在834±2℃(LBO晶体开始融化的温度)到约910℃(LBO晶体完全融化的温度)的温度区间内,对LiB_3O_5熔体结构开展了原位研究,确定了LiB_3O_5熔体结构随温度的变化规律,并对LiB_3O_5熔体的结构记忆效应给出了合理解释。(本文来源于《第十七届全国晶体生长与材料学术会议摘要集》期刊2015-08-11）
乔士柱[9]（2015）在《低阻尼Co_2MnSi薄膜的生长、结构、磁性和酞菁铜中多级阻变、记忆效应研究》一文中研究指出半导体技术的不断进步、信息工业的持续发展和人类对计算机性能的无止境需求推动着随机存储器(random access memory, RAM)技术不断向前发展。RAM和CPU直接交换数据,所以RAM的性能直接影响到CPU的速度,进而影响整个计算机的表现。目前计算机常用的RAM是基于电容技术,由于电容有漏电流,所以RAM需要定时刷新以防止数据丢失。这种容易丢失数据的易失性随机存储器逐渐不能满足人类的需求。2010年,国际半导体技术蓝图新兴器件(Emerging Research Devices)和新兴材料(Emerging Research Materials)工作组指出基于自旋转移转矩效应(spin transfer torque, STT)的自旋转移转矩磁随机存储器(STTMRAM)和基于电致阻变效应的阻变随机存储器(resistance random access memory, RRAM)是最有可能成为超越16 nm技术的下一代非易失性随机存储器(non-volatile random access memory, NVRAM)。在由固定磁性层、中间层和自由磁性层组成的叁明治结构中,当由固定磁性层流向自由磁性层的电流密度超过临界值后,自由磁性层的磁矩朝着固定磁性层磁矩的方向反转；当电流反向时,被固定磁性层反射回来的和固定磁性层磁化方向相反的电子使自由磁性层的磁矩向固定磁性层磁矩相反方向反转。这种现象称为STT效应。这种叁明治结构中两个磁性层磁矩的不同组态对应着器件的不同电阻态：当两个磁性层磁矩方向平行时对应的是低电阻状态；相反时对应的是高电阻状态。这样通过STT效应就可以实现逻辑态的反转,而磁性层的磁化方向断电后并不改变,这样就实现了NVRAM.STT的临界电流密度正比于自由磁性层的Gilbert阻尼因子,所以降低自由磁性层的Gilbert阻尼因子对降低临界电流密度、提高STTMRAM存储密度、减小器件损耗意义重大。Co基Heusler合金居里温度很高、具有半金属性质而且在高隧穿磁电阻(tunelling magnetoresistance, TMR)磁性隧道结(magnetic tunelling junction, MTJ)中应用广泛。除此之外它还是一种Gilbert阻尼因子比较低的磁性材料。我们用磁控溅射在加热MgO衬底上生长了Co2MnSi Heusler合金薄膜,通过控制衬底温度和后续退火温度提高了Co2MnSi薄膜的晶体质量。铁磁共振测试结果拟合表明,300℃生长后550℃退火的样品Gilbert阻尼因子低至0.00015,是目前报道的金属材料中的最小值。不言而喻,精确测量材料的Gilbert阻尼因子不论对应用物理和基础物理都具有很重要的意义。铁磁共振是测量材料Gilbert阻尼因子的常用方法,通过分析共振线宽随测试频率的变化关系,可以得出其数值。铁磁共振中微波场激发的一致进动自旋波对应的波矢k=0。一方面,这些k=0的自旋波可能通过磁振子-电子相互作用将能量传递给晶格,这个过程称为Gilbert阻尼；另一方面k=0的自旋波也可能被磁各向异性、杂质、表面态、第二相等等因素散射成k≠0的自旋波,这个过程称为双磁振子散射。由此可见,铁磁共振的共振线宽至少包含Gilbert阻尼项和双磁振子散射项。然而有很多文献在计算Gilbert阻尼的过程中都忽略了双磁振子散射的贡献,这只有在宽频域测量铁磁共振线宽是测试频率的线性函数的情况下才是可行的。对于铁磁共振线宽随测试频率变化的非单调行为目前研究报道很少,特别在宽频域范围内尚未有报道。我们在5-40GHz的宽频域范围内,在300℃和400℃生长550℃退火的Co2MnSi薄膜中观测到这种非单调行为。基于Sangita等人的工作,我们发展了双磁振子散射对共振线宽贡献的模型,采用数值计算双磁振子散射简并积分和线性回归的方法,拟合了共振线宽随测试频率变化的非单调、单调非线性和线性行为,并且在计算和拟合过程中没有采用固定参数来减小计算难度。拟合结果表明,双磁振子散射对共振线宽的非线性行为有决定性的贡献,但是对于线性行为贡献很小,在宽频域测试范围内是可以忽略的。由于有机材料具有储量丰富、成本低廉、可以印刷或者旋涂制备、可弯曲等等很多优点,近些年来在OLED、有机薄膜晶体管、有机太阳能电池领域中得到广泛研究。由于器件结构多样、存储密度大、开关比高等等性质,小分子、聚合物、复合材料等有机物在RRAM中的潜在应用被普遍重视研究。但是相对于无机材料而言,有机材料不具有长程有序性,也不具有较强的相互作用,分子与分子之间靠比较弱的范德瓦尔斯力结合,导致载流子的局域性较强。这些载流子在被热激发“跳离”局域态之前不会对电导有贡献,导致有机材料中载流子的迁移率较低。而且有机材料中的载流子传输机制不甚明了,仍然需要广泛、深入的研究。目前提出的导电机制有欧姆导电、肖特基发射、热致发射、空间电荷限制电流、隧穿、离子导电、跳跃导电、杂质导电等等。基于这些导电机制,对有机材料电致阻变机理的解释多种多样。由于有机材料电致阻变器件结构多样,并且阻变机制也可能依赖于使用的具体材料,所以一个统一的阻变模型可能并不存在,甚至在同一个器件中也会有不同的机制同时起作用。基于有机材料的电致阻变机理仍需要进一步研究。酞菁铜(copper phthalocyanine, CuPc)是一种典型的共轭p型小分子有机半导体,在OLED、有机薄膜晶体管、有机太阳能电池中应用广泛。但是基于CuPc的电致阻变器件研究很少。我们应用磁控溅射和真空热蒸发的方法制备了不同电极材料的CuPc电致阻变器件,从中首次发现了多级电致阻变现象。当上、下电极都是Co时,是单极阻变,低阻态的稳定性比较差;但是使用Au做下电极、Co做上电极时是双极阻变,低阻态的稳定性大幅提高,在10000s的测试时间内没有观测到低阻态的退变现象。低阻态和高阻态的电阻随温度变化的测试结果表明,阻变前后器件的导电机制没有发生性质上的变化,它们的电阻都随着温度的降低而增大,是典型的半导体导电行为。在较低温度下和γ=1/3的Mott变程跃迁模型符合较好,较高温度下有明显偏离。拟合结果给出低阻态和高阻态的费米能级处态密度相差叁个量级,从而导致了低阻态和高阻态之间电阻的巨大差异。低阻态电阻随温度和结面积的变化规律排除了导电通道阻变机制。根据电致阻变的测试结果和热蒸发CuPc薄膜的性质,我们认为空穴在CuPc缺陷态中的受陷和脱陷行为导致了阻变的发生。虽然CuPc与上电极之间的AlO3和与下电极Au之间的偶极层对阻变的发生没有贡献,但是它们对低电阻态的稳定性非常重要。(本文来源于《山东大学》期刊2015-04-27）
李岩,姚礼,崔晓龙,崔琰[10]（2015）在《二元Ti-Zr合金微观结构和形状记忆效应》一文中研究指出近年来,新型钛基无镍合金以其良好的生物相容性、耐腐蚀性、低弹性模量、高相变温度等特性成为了形状记忆合金领域的研究重点。采用X射线衍射(XRD)、金相光学显微镜(OM)、透射电镜(TEM)、差示扫描量热分析(DSC)、压缩应力-应变实验等方法系统研究了TixZr100-x(x=20,30,50,70,80)合金的微观组织结构、相变特性、力学性能及形状记忆效应。结果表明:二元钛锆合金是一种典型的高温形状记忆合金,室温下为具有孪晶结构的单一hcp-α'马氏体相,晶格常数和晶胞体积都会随Zr原子含量增加而增大;合金具有从β母相到hcp-α'马氏体的可逆相变,相变温度随Zr原子含量增加先降低后增大,在Zr含量50%附近,马氏体相变开始温度最低,约为520℃;合金的屈服强度随Zr原子含量增加而增大,在Zr含量50%附近达到最大值(955 MPa),然后随Zr含量增加而下降;不同成分合金均具有形状记忆效应,其中Ti70Zr30合金的记忆效应最大,为1.7%。(本文来源于《稀有金属》期刊2015年08期）
结构记忆效应论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
TiTa合金具有高相变温度,良好的冷热加工性能,但热稳定性差,形状记忆效应不足。采用Zr掺杂可以有效的改善合金的热稳定性,以及形状记忆效应,但Zr掺入导致合金的塑性下降。本文采用In掺杂提高合金的塑性并利用热机械处理改善合金的形状记忆效应。论文采用X射线衍射分析、扫描电子显微镜观察、透射电子显微分析、差示扫描量热法、弯曲法、以及室温拉伸法等考察In掺杂以及热机械处理对TiTaZrIn合金组织结构、马氏体相变、力学行为以及形状记忆效应的影响。研究发现,室温下固溶态Ti_(65)Ta_(25-x)Zr_(10)In_x(x=0,1,2,5)合金为α''+β相共存,随In含量的增加,合金中α''相的比例增加。Ti_(70)Ta_(18)Zr_(10)In_2合金室温下由单一的α''马氏体相组成。Ti_(65)Ta_(25-x)Zr_(10)In_x(x=0,1)合金中母相与马氏体相之间存在[100]β∥[100]α''位向关系。Ti_(65)Ta_(23)Zr_(10)In_2合金中马氏体变体之间呈(111)Ⅰ型孪晶结构,Ti_(70)Ta_(18)Zr_(10)In_2合金中观察到粗大的马氏体板条,马氏体变体内亚结构为(111)Ⅰ型孪晶。In掺杂可以有效改善合金塑性,掺入2at.%In的Ti_(65)Ta_(23)Zr_(10)In_2合金相比于Ti_(65)Ta_(25)Zr_(10)合金断裂应变由11.9%提升到24.3%;In含量的增加,合金的抗拉强度升高,掺入5at%In后合金的强度由691.93MPa提高到802.34MPa。Ti_(65)Ta_(23)Zr_(10)In_2合金形状记忆效应最好,预应变为6%时,可以得到5.35%的最大可恢复应变。经600℃及以上温度退火处理过程中,冷轧变形后的合金再结晶。退火温度的升高,合金中平均晶粒尺寸变大,经800℃退火后Ti_(70)Ta_(18)Zr_(10)In_2合金的平均晶粒尺寸约40μm。600℃退火处理后的合金中还残留有大量的位错,经800℃退火处理后的可以观察到大量的马氏体变体组织,相邻马氏体变体之间呈(111)Ⅰ型孪晶结构。退火温度的升高,合金的塑性提高,抗拉强度下降,经600℃退火后的Ti_(65)Ta_(23)Zr_(10)In_2合金强度可达到1087.38MPa。经600℃退火处理后的合金形状记忆效应最优,Ti_(65)Ta_(23)Zr_(10)In_2以及Ti_(70)Ta_(18)Zr_(10)In_2合金均可得到6%的完全可恢复应变,预应变为7%时,Ti_(70)Ta_(18)Zr_(10)In_2合金可获得最大可恢复应变,为6.2%。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
结构记忆效应论文参考文献
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