导读:本文包含了位错网络论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:网络,角形,界面,缺陷,电子显微镜,振幅,基底。
位错网络论文文献综述
全四龙[1]（2019）在《超薄薄膜-基底表面体系中界面位错网络的晶体相场模拟》一文中研究指出超薄薄膜堆垛在基底表面时,由于薄膜和基底表面间错配和相互作用的存在,使得体系中薄膜内弹性能和层间相互作用能相互竞争而在基底表面与薄膜间的界面上形成位错网络。界面位错网络不但影响体系的电学和力学等性能,还能够作为合成纳米团簇的高精度自组装模板。超薄薄膜-基底表面体系中界面位错网络的形成与演化往往在时间上具有扩散时间尺度特征同时在空间上具有跨尺度的特征,于是本文采用能够在原子分辨率下描述具有扩散时间尺度和微纳米尺度现象的晶体相场模型振幅方程对界面位错网络的形成与演化机理进行细致研究。首先,我们根据位错理论揭示了超薄薄膜-基底表面体系中螺旋叁角形界面位错网络的形成机理,并从位错反应角度解释了体系中人字形(Herringbone)位错网络到螺旋叁角形位错网络的转变过程。体系同时包含晶格错配和扭转错配导致具有螺型位错分量和刃型位错分量的混合位错形成,由于混合位错的产生使得位错网络发生弯曲,导致螺旋叁角形位错网络的形成;而人字形位错网络向螺旋叁角形位错网络转变的实质是两个穿线位错湮灭产生叁个螺型不全位错的过程。然后,从体系弹性能和层间相互作用能竞争角度揭示超薄薄膜-基底表面体系中叁角形界面位错环阵列的形成原因和其溶解动力学过程的影响因素。正是由于基底表面层错能的存在,体系中螺旋叁角形位错网在层间相互作用势增强的诱导下绕节点相间排列的叁个本征堆垛区进行扩张而叁个非本征堆垛区进行收缩,使得节点发生分解而形成能量更低的叁角形位错环阵列;继续增强层间相互作用势,体系中位错环将加速溶解直至消失,其溶解速度受基底表面层错能和体系薄膜与基底表面间的错配大小的影响,且叁角形位错环阵列的形成和消失过程中均发生了相变。最后,改进原晶体相场模型振幅方程的层间相互作用势,使其能够描述具体的超薄薄膜-基底表面体系。基于密度泛函理论(DFT)计算,提出了构建能够准确描述具体石墨烯-金属表面面体系中各堆垛态能量差异的晶体相场模型层间相互作用势的方法;并采用植入新层间相互作用势的晶体相场模型振幅方程对不同石墨烯-FCC金属(111)表面体系中位错网络形成进行模拟,得到与扫描隧道显微镜(STM)实验观测结果相吻合的模拟结果,并发现体系位错网络的几何拓扑结构取决于石墨烯在金属表面滑移的滑移势能面形状。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2019-05-01）
朱弢,王崇愚,干勇[2]（2009）在《镍基单晶高温合金相界面错配位错网络的演化》一文中研究指出运用分子动力学方法,研究了镍基单晶高温合金γ/γ′相界面错配位错网络的特征.通过对界面位错的形成、位错的反应、位错网络的演化等现象的分析发现,在温度场影响下,位错网络将由弛豫初期的十四面体演化成最终的正六面体.(本文来源于《物理学报》期刊2009年S1期）
容铁生[3]（1997）在《位错网络中反相畴界能与超位错分解》一文中研究指出由螺型超位错组成的位错网络中，螺型超位错的分解宽度明显大于单独螺型超位错的分解宽度。各向同性线性弹性理论计算表明，这一现象是由于位错网络中，部分反相畴界相互抵消所致。随着反相畴界能的减小，这一效应将变得更加显着(本文来源于《电子显微学报》期刊1997年03期）
刘庆,孟庆昌,崔约贤,刘志儒[4]（1988）在《08F钢亚晶界位错网络的弱束暗场显示》一文中研究指出本文利用弱束暗场技术显示了08F铜经50%室温形变后,560℃加热10小时晶粒处于回复状态时,亚晶界的位错网络。结果表明:α-Fe经形变回复后,亚晶界位错成规则整齐的排列。明场象中虽能见到位错的规则排列,但位错线细节不够清楚(见图a);而弱束暗场象则清晰地显示出亚晶界位错网络的各种形态(见图b、c、d),位错线的象宽度降低到20～30A,充分显示了弱束暗场技术在复杂位错网络显示中的特殊作用。根据弱束成象时,衍射花样中菊池线的位置计算了偏移参量|sg|,结果表明,用g=110成弱(本文来源于《第五次全国电子显微学会议论文摘要集》期刊1988-10-01）
刘庆,孟庆昌,崔约贤,刘志儒[5]（1988）在《08F钢亚晶界位错网络的弱束暗场显示》一文中研究指出本文利用弱束暗场技术显示了08F铜经50％室温形变后,560℃加热10小时晶粒处于回复状态时,亚晶界的位错网络。结果表明:α-Fe经形变回复后,亚晶界位错成规则整齐的排列。明场象中虽能见到位错的规则排列,但位错线细节不够清楚(见图a);而弱束暗场象则清晰地显示出亚晶界位错网络的各种形态(见图b、c、d),位错线的象宽度降低到20～30A,充分显示了弱束暗场技术在复杂位错网络显示中的特殊作用。根据弱束成象时,衍射花样中菊池线的位置计算了偏移参量|sg|,结果表明,用g=110成弱(本文来源于《电子显微学报》期刊1988年03期）
关若男,李日升,何怡贞[6]（1965）在《用电子显微镜直接观察石墨薄膜中的位错网络和水纹图》一文中研究指出石墨中位错的电子显微镜观察的研究不但可以了解石墨晶体中位错的结构,而且有可能对于石墨的辐照效应提供有用的知识。 本文报导用电子显微镜观察石墨晶体中的各种位错结构所得到的一些初步结果。观察是在民主德国SEM-3型电子显微镜上进行的。仪器的分辨本领是20—30埃。所用的高压是60—80千伏。(本文来源于《物理学报》期刊1965年03期）
张修睦,林保军,郭可信[7]（1965）在《铝镁合金中位错网络与位错子反应的电显微镜透射观察》一文中研究指出电子显微镜薄膜技术是研究晶体中位错分布与交互作用的最直观工具。自从1956年以来,这种技术越来越受到广泛的重视,并已取得显着的进展,详见最近的文献总结。 我们在Al-Mg合金薄膜中经常观察到位错网络,其中大多数是不规则的,但有时也观察到平行排列的直线群或四方网络,与小角度晶界的倾斜或扭转晶界模型相符。此外,还观察到一些典型的位错反应,与Whelan在不锈钢和Amelinckx用缀蚀法在NaCl和KCl中的观察结果相似,现将这些初步观察结果简单报导如下。(本文来源于《物理学报》期刊1965年02期）
位错网络论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
运用分子动力学方法,研究了镍基单晶高温合金γ/γ′相界面错配位错网络的特征.通过对界面位错的形成、位错的反应、位错网络的演化等现象的分析发现,在温度场影响下,位错网络将由弛豫初期的十四面体演化成最终的正六面体.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
位错网络论文参考文献
[1].全四龙.超薄薄膜-基底表面体系中界面位错网络的晶体相场模拟[D].中国科学技术大学.2019
[2].朱弢,王崇愚,干勇.镍基单晶高温合金相界面错配位错网络的演化[J].物理学报.2009
[3].容铁生.位错网络中反相畴界能与超位错分解[J].电子显微学报.1997
[4].刘庆,孟庆昌,崔约贤,刘志儒.08F钢亚晶界位错网络的弱束暗场显示[C].第五次全国电子显微学会议论文摘要集.1988
[5].刘庆,孟庆昌,崔约贤,刘志儒.08F钢亚晶界位错网络的弱束暗场显示[J].电子显微学报.1988
[6].关若男,李日升,何怡贞.用电子显微镜直接观察石墨薄膜中的位错网络和水纹图[J].物理学报.1965
[7].张修睦,林保军,郭可信.铝镁合金中位错网络与位错子反应的电显微镜透射观察[J].物理学报.1965
论文知识图
