导读:本文包含了场发射阴极论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:阴极,真空计,碳纳米管,氧化锌,石墨,长法,针状。
场发射阴极论文文献综述
谷雨,张玉旗,庞世发,陈明良[1]（2019）在《SiC纳米材料的形貌调控及其场发射阴极性能》一文中研究指出SiC一维纳米材料,具有良好的电子迁移率、稳定性和可制备性,是下一代重要的场发射阴极材料。通过对近年来SiC一维材料制备的研究,发现SiC的主要结构是纳米线/纳米棒、纳米管和纳米阵列,同时提高SiC场发射性能主要通过叁种方式:降低微结构顶端的直径、增加发射点的密度、加入元素进行掺杂。(本文来源于《化工设计通讯》期刊2019年06期）
娄硕,陈欣雨,张堃,宋也男,孙卓[2]（2019）在《全碳材料点状场发射阴极制备及其石墨烯填充场发射增强性能研究》一文中研究指出目的设计一种利用常见的铅笔芯和碳纳米管复合的全碳材料点状场发射器件,通过石墨烯填充,增强场发射性能。方法导电玻璃作为阳极,铅笔芯与碳纳米管复合构成发射子,锡底座固定铅笔芯,并利用导电胶与导电玻璃粘接组成阴极。通过比较纯碳纳米管与不同浓度石墨烯的场发射性能,找到效果最好的填充石墨烯浓度。结合扫描电镜表征结果,对石墨烯填充增强场发射性能的原因进行解释。结果实现了全碳材料点状场发射器件的制备及场发射性能的优化,发现7%的石墨烯浆料制备的器件场发射性能最好,得到的点状场发射阴极的阈值电场为1.05 V/μm,场发射增强因子高达13509,最大电流0.75 mA。结论点状场发射器件拥有更好的聚焦性、更低的开启场强以及更大的场发射电流密度,在制作X射线源和微波器件方面具有较高的应用价值。(本文来源于《表面技术》期刊2019年06期）
林金堂[3]（2019）在《四针状氧化锌/还原氧化石墨烯复合阴极的场发射性能研究》一文中研究指出通过丝网印刷将四针状纳米氧化锌(tetrapod-liked zinc oxide nanoneedles,T-ZnO)转移到电极表面,采用旋涂的方法在T-ZnO阵列上方形成连续的、悬浮结构的还原石墨烯(reduced graphene oxide, rGO)层薄膜,制备出以T-ZnO为支撑层的T-ZnO/rGO复合薄膜冷阴极。实验表明:相对于T-ZnO阴极,T-ZnO/rGO薄膜阴极发射电流密度提高、开启场强与阈值场强降低,其开启场强为2.5 V/μm (电流密度10μA/cm~2),阈值电场为3.8 V/μm (电流密度为1 mA/cm~2),具有良好的场发射性能。(本文来源于《光电子技术》期刊2019年01期）
何剑锋[4]（2019）在《真空自监控型碳纳米管场发射阴极电子源技术研究》一文中研究指出碳纳米管由于其优越的电学、力学和化学等性能,而被视为一种优质的场发射电子源材料。二十多年来,以碳纳米管作为场发射电子源的真空器件受到广泛的关注与研究,其中在真空微波管、平面显示器、X射线管等器件中展示了独特的优势。本工作主要研究基于碳纳米管场发射电子源器件的真空自监控性能。首先利用热CVD法结合阳极化技术在金属基底上直接生长碳纳米管,利用扫描电子显微镜(SEM)对碳纳米管进行结构表征,结果显示碳纳米管整体均匀、晶体性好,同时杂质含量极少;并对其场发射性能进行测试研究,在长时间工作状态下电流稳定性优异。以碳纳米管阴极与聚焦结构相结合设计电离真空计,其结构简单尺寸小,可集成于其它真空器件中,有利于实现器件的实时压强监控和小型化。本工作主要包括下面几个部分:(1)以直径1 mm不锈钢棒顶端生长的碳纳米管作为电子发射源,与聚焦结构相结合设计了两种电离真空计结构,对其透过率以及在氮气气氛下的真空测试线性进行了研究。结果显示,电子透过率可达到80%,而两种结构在10~(-9)-10~(-6)Torr范围内归一化电流与压强间均表现出良好的线性关系。(2)详细探究了真空计结构、各电极电位、环境气体成分对灵敏度的影响。实验还对工作中不同电流下碳纳米管的放气成分进行分析,表明碳纳米管的放气成分主要是氢气,同时也有少量氮气和二氧化碳。(3)以合金片为基底生长出两种不同发射面积的碳纳米管阴极,并设计了场发射和真空计结构。对电子透过率进行了研究,结果表明透过率的大小与阴极发射面积有关,阴极发射面积大相应透过率就大。在氮气气氛下进行了真空测量性能研究,在10~(-9)-10~(-5)Torr范围内归一化电流与压强间呈线性关系。此外,灵敏度与阴极电子源发射面积有关,阴极发射面积越大灵敏度越大。(本文来源于《温州大学》期刊2019-03-01）
李得天,成永军,张虎忠,孙雯君,王永军[5]（2018）在《碳纳米管场发射阴极制备及其应用研究》一文中研究指出碳纳米管(Carbon nanotube, CNT)薄膜可作为场发射阴极材料,具有常温下工作、物理化学性能稳定、响应时间快等一系列优点,在各类电真空器件中具有潜在的应用价值。本文重点综述了兰州空间技术物理研究所近年来开展的碳纳米管阴极制备及其应用研究进展,总结了CVD法直接生长法制备不同微观形貌的碳纳米管薄膜的实验方法,分析了不同碳纳米管阴极的场发射特性,介绍了其在超高真空测量和空间电推进中的应用现状及最新进展。(本文来源于《真空》期刊2018年05期）
周彬彬,张建,何剑锋,董长昆[6]（2018）在《基于CVD直接生长法的碳纳米管场发射阴极》一文中研究指出碳纳米管(CNT)场发射阴极具有启动快、分辨率高、寿命长、功耗小等优点,在多种真空电子设备与器件上,包括平板显示器、真空测量、微波管、X射线管等得到了应用。本文讨论了碳纳米管阴极的主要制备方法以及存在的问题,介绍了基于化学气相沉积法和阳极化工艺、在含催化金属基底直接制备碳纳米管冷阴极所具有强附着力特点,以及应用在X射线管等强流真空电子器件上的优势。文章介绍了在不锈钢基底直接生长CNT阴极的场发射性能,其开启电场为1.46 V/μm。与常规催化金属镀膜层上生长的CNT阴极相比,大电流发射与稳定性显着提高。金属基底阳极化工艺显着改善碳纳米管结构与场发射性能。直径2 cm的不锈钢基底上生长的CNT具有晶体性好、分布均匀等特点,场发射性能提高。在镍基底上生长的CNT阴极电流密度可以达到500 mA/cm~2以上。(本文来源于《真空》期刊2018年05期）
王小菊,邓江,祁康成,曹贵川,林祖伦[7]（2018）在《Spindt型复合尖锥场发射阵列阴极的制备与性能研究》一文中研究指出为了提高Spindt-FEA的场致发射性能,本文在传统的Mo尖锥发射体表面涂覆LaB_6薄膜,形成复合型Spindt-FEA。利用LaB6较低的逸出功、优良的化学稳定性和抗离子轰击能力,增大阴极的发射电流密度和工作稳定性。阴极的场致发射性能测试结果显示,当栅极电压为97V,占空比为30%时,阳极电流达到21mA,折合电流密度0.75A/cm~2。在该条件下,阴极连续工作10h,发射电流衰减小于1%。该阴极在场发射显示及场发射微波器件中将具有很大的应用前景。(本文来源于《中国电子学会真空电子学分会第二十一届学术年会论文集》期刊2018-08-23）
李兴辉,陈波,冯源,冯进军,张宇[8]（2018）在《磁聚焦场发射阴极行波管初步研究》一文中研究指出本文研制了一只基于碳纳米管场发射阴极的X波段磁聚焦行波管。该行波管整管工作在外加均匀磁场中,该外部磁场的存在,缓解了传统冷阴极行波管电子枪电子束聚焦的困难,可以极大简化电子枪的设计流程以及电子枪的结构。研制行波管在超导系统中进行了流通率测试,结果表明超过86%的电子流可以到达收集极。(本文来源于《中国电子学会真空电子学分会第二十一届学术年会论文集》期刊2018-08-23）
郑磊,祁康成,王小菊,雷李杨霞,杨石玉[9]（2018）在《电泳法制备石墨烯场发射阴极的性能研究》一文中研究指出电泳法制备的石墨烯阴极由于其独特的优势,目前已经成为石墨烯阴极的主要制备方法。因此,研究电泳电流以及电泳浓度对石墨烯阴极表面形貌和发射性能的影响具有十分重大的意义。通过扫描电镜、拉曼光谱和超高真空测试平台对其进行形貌和性能表征。结果表明,电泳浓度和电泳电流均对石墨烯阴极的表面形貌和发射性能有较大影响。在电泳电流为4 m A,电泳液中石墨烯的浓度为0.55 g/L时,其发射性能最佳,开启场强约为4.7 V/μm。(本文来源于《电子器件》期刊2018年04期）
杨延宁,王超,李小敏,张富春,杜永星[10]（2018）在《旋涂法制备纳米ZnO阴极涂层及场发射性能》一文中研究指出采用水热法制备了烟花状的纳米氧化锌,用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对样品的结构和形貌进行了表征与分析。然后通过旋涂技术将掺入不同质量的氧化锌沉积到镍衬底上,经过热处理后进行了形貌表征和场发射特性的测试。结果表明:制备的样品是六方纤锌矿结构的花状纳米晶,镍基片上沉积的纳米Zn O涂层具有突出的发射体尖端且分布较均匀;在一定范围内,电流密度随掺杂氧化锌粉末的增多而增大,开启场强逐渐下降。原因是随着Zn O的增加,有效地增强了涂层的电子输运能力,增加了有效发射体数目进而提高了场增强因子。最后,分析了涂层的场发射机制。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2018年07期）
场发射阴极论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
目的设计一种利用常见的铅笔芯和碳纳米管复合的全碳材料点状场发射器件,通过石墨烯填充,增强场发射性能。方法导电玻璃作为阳极,铅笔芯与碳纳米管复合构成发射子,锡底座固定铅笔芯,并利用导电胶与导电玻璃粘接组成阴极。通过比较纯碳纳米管与不同浓度石墨烯的场发射性能,找到效果最好的填充石墨烯浓度。结合扫描电镜表征结果,对石墨烯填充增强场发射性能的原因进行解释。结果实现了全碳材料点状场发射器件的制备及场发射性能的优化,发现7%的石墨烯浆料制备的器件场发射性能最好,得到的点状场发射阴极的阈值电场为1.05 V/μm,场发射增强因子高达13509,最大电流0.75 mA。结论点状场发射器件拥有更好的聚焦性、更低的开启场强以及更大的场发射电流密度,在制作X射线源和微波器件方面具有较高的应用价值。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
场发射阴极论文参考文献
[1].谷雨,张玉旗,庞世发,陈明良.SiC纳米材料的形貌调控及其场发射阴极性能[J].化工设计通讯.2019
[2].娄硕,陈欣雨,张堃,宋也男,孙卓.全碳材料点状场发射阴极制备及其石墨烯填充场发射增强性能研究[J].表面技术.2019
[3].林金堂.四针状氧化锌/还原氧化石墨烯复合阴极的场发射性能研究[J].光电子技术.2019
[4].何剑锋.真空自监控型碳纳米管场发射阴极电子源技术研究[D].温州大学.2019
[5].李得天,成永军,张虎忠,孙雯君,王永军.碳纳米管场发射阴极制备及其应用研究[J].真空.2018
[6].周彬彬,张建,何剑锋,董长昆.基于CVD直接生长法的碳纳米管场发射阴极[J].真空.2018
[7].王小菊,邓江,祁康成,曹贵川,林祖伦.Spindt型复合尖锥场发射阵列阴极的制备与性能研究[C].中国电子学会真空电子学分会第二十一届学术年会论文集.2018
[8].李兴辉,陈波,冯源,冯进军,张宇.磁聚焦场发射阴极行波管初步研究[C].中国电子学会真空电子学分会第二十一届学术年会论文集.2018
[9].郑磊,祁康成,王小菊,雷李杨霞,杨石玉.电泳法制备石墨烯场发射阴极的性能研究[J].电子器件.2018
[10].杨延宁,王超,李小敏,张富春,杜永星.旋涂法制备纳米ZnO阴极涂层及场发射性能[J].人工晶体学报.2018
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