集成电路ESD防护关键技术探讨

集成电路ESD防护关键技术探讨

论文摘要

随着经济快速发展,人们消费水平不断提升,对集成电路要求逐渐增高。在生产芯片的过程中,应用先进的生产工艺不断改良和完善,对提升芯片质量和性能有重要的意义。在生产的过程中,完善的工艺也带来消极影响,主要是集成电路导致芯片静电放电承载力降低。针对这种情况,加强管理芯片静电放电的防护技术是亟需开展的工作。从集成电路ESD现象成因出发,对集成电路ESD防护关键技术进行深入探究。

论文目录

  • 0 引言
  • 1 ESD现象成因
  • 2 ESD防护器件
  •   2.1 电阻设备
  •   2.2 二极管
  •   2.3 NPN晶体管
  • 3 ESD防护分析
  •   3.1 SCR防护技术
  •   3.2 版图设计
  •   3.3 全芯片设计
  • 4 ESD失效机理和失效模式
  •   4.1 实效模式
  •   4.2 失效机理
  • 5 结束语
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 罗昱文,张静雅

    关键词: 集成电路,关键技术,防护

    来源: 设备管理与维修 2019年22期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅱ辑,信息科技

    专业: 无线电电子学

    单位: 重庆文理学院,皖西学院

    分类号: TN405

    DOI: 10.16621/j.cnki.issn1001-0599.2019.11D.78

    页码: 140-141

    总页数: 2

    文件大小: 78K

    下载量: 157

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