（天津环鑫科技发展有限公司天津市300384）
摘要：针对GPP小芯片玻璃沿厚度高，后道封装时很容易压在玻璃沿上导致芯片裂片，改善玻璃高度，匹配后道封装模具作业；大大提高了封装良率。
关键词：GPP；小芯片；去边；去边酸；温度；玻璃沿高度；有效边长
引言
目前市场对1200VGPP芯片（主要是小尺寸芯片，芯片尺寸≤50mil）需求日益增大，市场供应的小尺寸芯片主要采用刀刮法、光阻玻璃法及电泳法制作。我司GPP芯片采用电泳法制作，玻璃钝化后玻璃沿有一定高度和宽度，如下图：
电泳法生产的GPP芯片稳定性及可靠性较高，但由于玻璃沿的存在导致客户使用存在以下问题：
1、封装厂长期使用刀刮法或光阻玻璃法生产的GPP芯片，若要切换到使用电泳法生产的GPP芯片，生产上很多工装需要更换，很多封装厂家考虑到生产成本很难变更，导致我司电泳法生产的GPP芯片市场推广较慢；
2、在封装厂焊接过程中，一旦出现焊接偏移会导致引线部分端面直接压在GPP芯片的钝化玻璃沿，在塑封后产生应力较大，导致硅或钝化玻璃层碎裂，从而导致芯片参数结果异常。对2014年客户反馈不良品进行分析约60%以上存在此种情况。
基于以上两个方面导致我司小尺寸GPP芯片市场认可度较低，急需改善这一现象。
三、现状调查
针对客户使用改善前后GPP芯片对比情况：
项目确立：
从以上对比数据可看出，改善后高温漏电有明显降低，满足客户需求；
四、确定目标
1.量化目标
2.长期目标
优化并完善现有工艺标准，做好现场可视化管理，检查监督工艺标准的执行；
五、问题分析及解决思路
1.问题分析
电泳法制作GPP芯片时需要在硅片表面生长一层约1μm的氧化层（主要是二氧化硅），沟槽腐蚀时由于混酸对硅和二氧化硅腐蚀速度不同（混酸对二氧化硅腐蚀速度较慢），腐蚀后沟槽上边缘二氧化硅呈锯齿状，需要在后续去边工序用HF将锯齿状的边缘腐蚀整齐。由于横向腐蚀后在硅片表面形成一定宽度的裸露硅，电泳后在裸露硅上会沉积上玻璃粉，经玻璃烧成后形成一层有一定宽度和高度的钝化保护环。
2.解决思路
采用调整去边液温度和去边时间，减少二氧化硅层横向腐蚀宽度，从而降低钝化后玻璃沿高度。
六、制定对策
七、对策实施
2.试验结论：
去边酸：BOE（10:1）；
温度：（38~41）℃；
时间：110S~120S
作业过程要求：手摇（1次/S）；
八、效果跟踪
1、GPP芯片玻璃沿高度：
原有沿产品玻璃沿高度（10~50）um，去边改善后主要控制在（0~20）um，玻璃沿高度有了明显的降低；
2、GPP芯片的有效边长：
有沿GPP芯片的有效边长为原边长的40%~50%左右，去边改善后有效边长为原边长的60%左右，有效边长有了10%~20%的增大；
有沿GPP芯片的有效面积占原面积的14%~32%左右，去边改善后有效面积占原面积的32~43%左右，有效面积有了10%~18%的增大；
九、作业标准化