态密度论文_王博翔,赵长颖

导读:本文包含了态密度论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译,主要关键词:密度,能带,杂质,磁性,电流,偶极子,轨道。

态密度论文文献综述

王博翔,赵长颖[1](2019)在《相干散射机制对微纳无序介质中光子局域态密度的影响研究》一文中研究指出微纳无序介质中复杂的热辐射电磁波的多重散射现象,对光子局域态密度有着较大的影响,目前对该机制的研究尚较为欠缺。本文从数值计算和理论分析两方面入手,深入探究了微纳无序介质中的相干散射机制对其中光子局域态密度的影响。本文随机生成了硬球堆积结构,将散射体对电磁波的响应简化为偶极子,建立了耦合偶极子模型,对考虑多体散射的光子局域态密度进行严格求解。同时,本文基于准晶体近似,推导了考虑相干散射的光子局域态密度的理论计算公式,并与独立散射、Maxwell-Garnett等效介质理论进行了对比,结果表明,准晶体近似较为准确地考虑了随机介质中粒子排布的位置关联效应,从而对相干散射影响机制的估计更为准确。(本文来源于《工程热物理学报》期刊2019年03期)

肖和平,王瑞瑞[2](2019)在《表面处理降低GaAs界面态密度的研究》一文中研究指出GaAs材料经机械研磨后,表层形成粗糙界面,用酸碱法表面处理GaAs,使Ga-O、As-O键断裂并修复粗糙界面,处理效果通过电导法测量界面态密度与XPS分析界面化合物价态来表征。结果表明酸碱处理均可降低界面态密度与表面Ga、As氧化物,且酸处理的效果优于碱处理,Ga-O化合物去除率高于As-O化合物去除率,界面态密度的降低可能主要与Ga化合物的减少相关。(本文来源于《电子器件》期刊2019年01期)

王伟华,侯新蕊[3](2018)在《硼烯纳米带能带结构和态密度的第一性原理研究》一文中研究指出基于密度泛函理论,采用第一性原理的方法计算H修饰边缘不同宽度硼稀纳米带的电荷密度、电子能带结构、总态密度和分波态密度。结果表明,硼烯纳米带的宽度大小影响着材料的导电性能,宽度5的硼烯纳米带是间接带隙简并半导体,带隙值为0. 674 e V,而宽度7的硼烯纳米带却具有金属材料的性质。分波态密度表明,宽度5的硼烯纳米带的费米能级附近主要是由B-2s、2p电子态贡献,H-1s主要贡献于下价带且具有局域性,消除了材料边缘的不稳定性。宽度7的B-2p和H-1s电子态贡献的导带和价带处于主导地位,费米能级附近B-2p和H-1s电子态的杂化效应影响材料的整体发光性能。(本文来源于《发光学报》期刊2018年12期)

卢绿荣,陈建华,李玉琼[4](2018)在《硫化矿浮选捕收剂分子结构与性能的电子态密度研究》一文中研究指出采用电子态密度研究了黄药、黑药和硫氨酯等硫化矿浮选捕收剂的电子结构与性能的关系。结果表明:电子态密度的离域性和轨道杂化作用较好地反映浮选药剂捕收性和选择性的强弱;黄药分子中双键硫原子的态密度最活跃,而黄药离子中单键硫原子的态密度最活跃;直链黄药(C_2~C_5)的态密度随烃基碳链的增长逐渐增强;丙基黄药和丁基黄药异构体的态密度强于相应的正构体的态密度,而正戊基黄药的态密度稍强于异戊基黄药的态密度;黑药中3418A的电子态密度相对最大,表现出更强的电子活性;不同结构的硫氨酯其氮原子的态密度变化比硫原子的大,这有利于改善硫氨酯捕收剂的螯合能力。(本文来源于《中国有色金属学报》期刊2018年07期)

王芳芳,曾传滨,李晓静,高林春,罗家俊[5](2018)在《DCIV技术提取辐照前后PDSOI器件背栅界面态密度》一文中研究指出直流电流电压(DCIV)技术受应用于智能剥离技术制造的PDSOI中硅/二氧化硅界面质量的研究.本文通过将样品进行钴60伽马射线辐照,用以监测PDSOI器件背沟道界面在总剂量辐照前后的变化情况.本文给出了完整的测试原理、实验流程和结果分析,不仅提取了辐照前后PDSOI器件的背界面陷阱密度以及它所在的等效能级,而且得到了界面陷阱能级密度在硅禁带中随能级变化的U型分布图(以禁带中央附近为主),为后续PDSOI器件的抗辐照加固提供了参考.(本文来源于《微电子学与计算机》期刊2018年07期)

刘江山[6](2018)在《铁基超导体中磁性杂质诱导的局域态密度的理论研究》一文中研究指出超导电性是具有巨大应用前景和重要科学意义研究课题。铁基超导体的发现是在超导领域中的重要进展。研究表明,铁基超导体是一类全新高温超导材料,其超导电性源于Fe-Fe平面内的库伯对。铁基超导体存在层状结构,并且是具有空穴型和电子型的多带超导体。这些性质有助于铁基高温超导机制的研究。本论文基于两轨道四能带紧束缚模型,我们引入了超导平均场哈密顿量和杂质项哈密顿量,利用傅里叶变换、正则变换和Bogoliubov变换将系统总哈密顿量对角化,并运用格林函数方法,得到杂质点及其附近电子局域态密度公式。杂质研究是超导领域的重要课题之一。单个磁性杂质在铁基超导体会诱导出隙内束缚态。根据两轨道四能带紧束缚模型,我们详细研究了单个磁性杂质在铁基超导体中对局域态密度的影响,并得到杂质共振峰的位置、高度与混合势(磁性势和非磁性)的关系。在杂质点附近,在一定的磁性势下存在零能共振峰,随着磁性势的变化,零能共振峰发生劈裂。杂质相干峰出现在正负能侧,并受到一定程度的抑制。本文发现在非磁性势Vs一定,磁性势Vm Vm(28)时,各点的局域态密度曲线图像基本相同。随着杂质势变化,一定范围内,共振峰对称地分布在正负能侧。我们也注意到局域态密度主要显示较强的磁性或非磁性杂质势的特征。在铁基超导体中,不同于非磁性杂质,磁性杂质在任何序参量下均产生两个(多个)杂质共振峰,与自旋上、下相联系。随着强度变化,共振峰在正负能侧交错移动,呈周期性变化。(本文来源于《四川师范大学》期刊2018-06-05)

宋晨财[7](2018)在《基于石墨烯的超材料局域态密度研究》一文中研究指出近年来,石墨烯能够支持表面等离激元以及石墨烯性质的高度可调,常常被研究者们用于对光频从红外到太赫兹波的自发辐射率调控上。此外,双曲超材料同时支持s偏振和p偏振,具有较强的可调性;而且其色散关系等频面为双曲型,具有较高的近场辐射带宽。使得双曲超材料通常用于分析局域态密度的物理机制。本文利用有效介质理论和传输矩阵方法对基于石墨烯多层结构和碳化硅纳米线阵列的局域态密度进行了详细的分析和数值计算。首先,利用涨落耗散理论、有效介质理论和传输矩阵法理论分析了半无限大平行板的局域态密度原理。此外,还分析了石墨烯、碳化硅、超材料等不同材料的光学模型及参数。其次,分析了两种不同石墨烯覆盖超材料结构,在不同石墨烯化学势时的光学性质。为后续研究基于石墨烯超材料的局域态密度特性提供了理论基础。最后,利用有效介质理论和传输矩阵方法,理论计算了两种基于石墨烯超材料结构,在不同填充因子、不同真空距离以及不同石墨烯化学势时的局域态密度。通过对不同参数数值的理论分析,得出调控局域态密度的最优结构和最优参数。为进一步的自发辐射率调控研究工作起到一定的指导作用。(本文来源于《南昌大学》期刊2018-06-04)

卢绿荣[8](2018)在《浮选捕收剂分子态密度及其与金属离子螯合作用研究》一文中研究指出捕收剂是浮选分离各种矿物最重要的一类药剂,浮选技术的进步与发展,在很大程度上依赖于浮选捕收剂的发展与应用。本文采用密度泛函理论研究了常见硫化矿浮选捕收剂分子结构对电子态密度的影响,构建浮选捕收剂分子结构与电子性质的关系,并系统研究了 S.S型、O.O型、N.N型、S.N型、O.N型和S.O型等六种不同类型的捕收剂分别与铜、铅、锌、铁四种二价金属离子的作用,通过作用构型、螯合结构和电子态密度等角度进行研究,主要研究结果如下:(1)硫化矿浮选捕收剂分子结构和性能与态密度的关系。电子态密度有助于判断浮选药剂的电子活性和键合能力,为研究浮选药剂的捕收性和选择性提供了有效可行的依据。(2)S.S型螯合捕收剂与金属离子作用的特点。乙黄药与金属离子作用时,其活性基团中单键硫原子和双键硫原子处于共振态,具有相同的电化学活性;乙黑药与金属离子作用时,其活性基团中单键硫和双键硫出现了共振效应,使得乙黑药中磷原子与硫原子的双键消失;乙硫氮中的单键硫原子和双键硫原子与金属离子作用时发生了共振效应;铅离子与乙黄药、乙黑药、乙硫氮和巯基苯并噻唑的作用构型均为锥型,且铅离子在顶部。(3)O.O型螯合捕收剂与金属离子作用的特点。油酸与金属离子作用时,油酸分子中单键氧原子和双键氧原子均参与反应,且油酸与铜和铁作用较强;金属离子与水杨羟肟酸的羟基氧和羰基氧都发生了成键作用,且金属离子与羟基氧的作用更强;对甲苯胂酸与金属离子作用时,不仅两个羟基氧有成键活性,砷原子也会发生成键作用;铅离子与油酸作用构型仍为锥型,铅离子在顶部。(4)N.N型螯合捕收剂与金属离子作用的特点。伯胺只与铁离子发生成键作用,仲胺只与铜离子发生成键作用,叔胺与四种金属离子都不发生成键作用,说明叔胺中的氮原子已经不具有配位能力了。(5)S.N型螯合捕收剂与金属离子作用的特点。N,N乙撑硫脲与铜离子、锌离子和铁离子都不作用,只有铅离子与N,N乙撑硫脲中的硫原子产生了成键作用,且作用也非常弱,说明N,N乙撑硫脲几乎不能与金属离子成螯合物。(6)O.N型螯合捕收剂与金属离子作用的特点。8-羟基喹啉中羟基氧的键合能力比氮原子的更强。水杨醛肟中的氮原子以及与苯环相连的羟基氧都与金属离子发生了成键作用,金属铁离子与水杨醛肟的作用最强。铅离子与8-羟基喹啉和水杨醛肟作用后的构型均为锥型,且铅离子在顶部。(7)S.O型螯合捕收剂与金属离子作用的特点。硫代羧酸与铜离子作用最强,而硫代羧酸与铁离子不发生成键反应。硫代羧酸与铅离子的构型为锥型,铅离子在顶部。(本文来源于《广西大学》期刊2018-06-01)

王亚林[9](2018)在《聚合物空间电荷与陷阱能态密度联合测试技术的研究与应用》一文中研究指出聚合物材料由于具有诸多优良特性,因而在电力工程、能源工程和航空航天工程等领域有着广泛的应用。聚合物绝缘电缆作为超高压直流输电的主要组成部分,在运行过程中承受着一定强度的电场。直流电场下聚合物材料容易积累空间电荷,引发局部电场畸变,使热电子运动以及能量的储存与释放加强,进而加速绝缘老化,严重影响电缆寿命。聚合物在辐射环境下诸如航天器中也得到大量应用,然而高能粒子辐射、等离子体撞击和紫外线照射等因素极易导致聚合物材料表面和内部积累大量电荷,引起静电放电。造成空间电荷积累的主要原因是材料内部存在或深或浅的陷阱,空间电荷的行为与材料内部陷阱能态分布具有很强的关联性。对材料内的陷阱分布与空间电荷分布进行联合测量与研究有助于全面地了解材料中载流子的输运过程。然而鲜有研究者对同一试样中的空间电荷分布与陷阱能态密度进行联合测量,相关设备的缺失使得该项研究难以进行。为此,本文针对聚合物绝缘中的空间电荷行为与陷阱分布的关联性这一关键问题,将聚合物的空间电荷行为与微观陷阱能态密度相结合,研制了能够对同一试样的空间电荷与陷阱能态密度进行联合测试的仪器。并以交联聚乙烯(cross-linked polyethylene,XLPE)和纳米MgO/XLPE复合介质为研究对象,对两种材料的空间电荷与电导,空间电荷与热刺激电流进行联合测量。研究了空间电荷与电导的联系,以及空间电荷与陷阱能态密度的关系,比较了两种材料中的空间电荷行为,并对载流子的输运特性进行了分析。聚合物空间电荷与陷阱能态密度测试仪器的研制难点主要在于协调空间电荷测量与电流测量这两种测量方式之间的矛盾。为解决该矛盾,本文首先通过仿真和理论计算分析了空间电荷测量时产生的脉冲电场对电流测量的影响,发现脉冲电场引起的脉冲电流幅值较大,将极大地干扰对流过试样的电流的测量,甚至可能损毁电流测量仪器。因此,采用高压电极、空间电荷测量极、电流测量极和接地保护极构成的“四电极”结构,将空间电荷测量区域与电流测量区域分离开。另外,采用快速切换分时测量的策略,将空间电荷测量与电流测量分时进行。采用液氮与电加热器件相结合的控温方式,实现了对实验样品以0.5~10℃/min的速率线性升温。此外,又研制了基于Blumlein传输线的高重复频率纳秒脉冲电压源,使用高开关速度和重复频率的MOSFET器件,使得脉冲重复频率最高可达3 MHz,为空间电荷快速测量提供了激励源。通过对经典的单一陷阱能级的热刺激电流表达式进行分析后发现,不同类型的电荷来源引起的热刺激电流表达式相似。在此基础上,提出了基于非负线性最小二乘迭代算法的热刺激电流分析方法。该方法无需人为判断电流峰的位置和个数,自动对整条热刺激电流曲线进行分析,能够获得整个禁带范围内的陷阱能态密度谱,具有重复性好、能规避人为误差以及自动排除无效数据等优点,可以用于聚合物陷阱能态密度的分析。使用联合测试设备对XLPE和纳米MgO/XLPE复合介质在20到60℃下进行空间电荷与高场电导联合测量,发现纳米MgO/XLPE复合介质的空间电荷积累阈值电场大于XLPE的空间电荷积累阈值电场,表明一定粒径和浓度的纳米MgO的添加抑制了空间电荷的积累。在相同温度下,纳米MgO/XLPE复合介质的电流密度-电场关系曲线的转折电场高于XLPE的转折电场。通过对两种材料的电流密度-电压标度曲线进行拟合,发现纳米MgO颗粒的添加引入了新的陷阱能级,纳米MgO/XLPE复合介质内的陷阱在空间上分布较XLPE更为均匀。另外,又使用空间电荷和电流联合测量的结果,发现载流子关于局部电场的负微分迁移率是空间电荷包形成的主要原因。使用联合测试设备对XLPE和纳米MgO/XLPE复合介质进行了空间电荷与热刺激电流联合测量与分析。在极化阶段,XLPE试样的阳极附近积累了大量的正电荷并逐渐向试样内部迁移,而降温阶段空间电荷的迁移减缓。在热刺激阶段,当温度大约高于60℃时空间电荷开始剧烈减少。纳米MgO/XLPE复合介质在极化阶段和降温阶段均没有明显的空间电荷积累。使用基于非负线性最小二乘迭代算法的热刺激电流分析方法计算了两种材料的陷阱能态密度,发现XLPE在1.15 eV能级存在数量较多的深陷阱,而纳米MgO/XLPE复合介质在不同能级上的陷阱密度较为均匀。由空间电荷与陷阱能态密度的联合分析可知,XLPE积累的空间电荷主要分布在深陷阱内,而纳米MgO/XLPE复合介质由于添加了纳米MgO颗粒,引入了更多的陷阱能级,抑制了空间电荷的积累。(本文来源于《上海交通大学》期刊2018-05-01)

谢克学[10](2018)在《超结构表面态密度对近藤效应的影响》一文中研究指出近藤效应作为一个强关联体系在固体物理中有着很重要的位置。近藤效应来源于非磁性金属的传导电子被磁性杂质所散射。当系统的温度降到一个特征温度(近藤温度)以下时,杂质原子的费米能级处会出现一个共振峰(近藤共振)。而近藤共振的峰宽可以表征近藤效应的强弱且可以很方便被STM探测到。控制电子和磁性原子的相互作用对未来的纳米磁性器件或者量子信息存储有着重要的意义,所以,近藤效应的研究近些年吸引了很多人的注意。最近Li et al.的文章证明了通过量子围栏调控的表面态可以对近藤效应进行调制。单层的Ag生长在Cu(111)表面可以形成超结构。对于形成超结构的1ML-Ag/Cu(111)表面,电子态密度也会随着空间发生变化。所以在1ML-Ag/Cu(111)表面上我们期望也会出现近藤效应被调制的现象。之前的文献报道在1ML-Ag/Cu(111)表面研究Co原子的近藤效应,他们只给出单个的数据点但没有对在不同位置近藤效应进行讨论。在这篇论文中,我们研究了 Co原子在1ML-Ag/Cu(111)表面的不同位置的近藤效应。利用原子操纵,我们可以把单个Co原子放置在1ML-Ag/Cu(111)超结构表面的不同位置进而可以研究Co原子在不同位置的近藤效应。我们发现近藤共振的峰宽在1ML-Ag/Cu(111)表面的不同位置会有变化:在hcp/fcc边界(hcp/fcc boundary),Co原子的近藤峰宽几乎和态密度变化无关;但对于fcc区域,我们发现近藤效应的变化和局域态密度的变化有着很强的关联性,即近藤效应是随着位置变化的。为了去理解随着态密度变化而变化的近藤效应,我们进一步利用紧束缚近似去计算1ML-Ag/Cu(111)表面的局域态密度(LDOS)。通过对比实验和计算得出的局域态密度,我们发现1ML-Ag/Cu(111)表面态密度的空间变化的主要来自于表面态的贡献。在1ML-Ag/Cu(111)体系中不仅表面态电子,体态电子也同样贡献近藤效应,我们利用最近报道的近藤模型去拟合我们的数据。最后我们定量的给出体态和表面态的贡献大小,即磁性原子和体态电子的耦合系数(Jb)和磁性原子和表面态电子的耦合系数(Js)。这些结果表明了超结构对近藤效应的影响,也进一步证明了表面态对近藤效应的贡献。(本文来源于《南京大学》期刊2018-05-01)

态密度论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

GaAs材料经机械研磨后,表层形成粗糙界面,用酸碱法表面处理GaAs,使Ga-O、As-O键断裂并修复粗糙界面,处理效果通过电导法测量界面态密度与XPS分析界面化合物价态来表征。结果表明酸碱处理均可降低界面态密度与表面Ga、As氧化物,且酸处理的效果优于碱处理,Ga-O化合物去除率高于As-O化合物去除率,界面态密度的降低可能主要与Ga化合物的减少相关。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

态密度论文参考文献

[1].王博翔,赵长颖.相干散射机制对微纳无序介质中光子局域态密度的影响研究[J].工程热物理学报.2019

[2].肖和平,王瑞瑞.表面处理降低GaAs界面态密度的研究[J].电子器件.2019

[3].王伟华,侯新蕊.硼烯纳米带能带结构和态密度的第一性原理研究[J].发光学报.2018

[4].卢绿荣,陈建华,李玉琼.硫化矿浮选捕收剂分子结构与性能的电子态密度研究[J].中国有色金属学报.2018

[5].王芳芳,曾传滨,李晓静,高林春,罗家俊.DCIV技术提取辐照前后PDSOI器件背栅界面态密度[J].微电子学与计算机.2018

[6].刘江山.铁基超导体中磁性杂质诱导的局域态密度的理论研究[D].四川师范大学.2018

[7].宋晨财.基于石墨烯的超材料局域态密度研究[D].南昌大学.2018

[8].卢绿荣.浮选捕收剂分子态密度及其与金属离子螯合作用研究[D].广西大学.2018

[9].王亚林.聚合物空间电荷与陷阱能态密度联合测试技术的研究与应用[D].上海交通大学.2018

[10].谢克学.超结构表面态密度对近藤效应的影响[D].南京大学.2018

论文知识图

自旋电子器件的自旋向上输运谱随偏压...两个独立散斑的概率密度函数与ssI/I及...碳、T碳、C4、M碳、金刚石、c-BN...锐钛矿TiO2的分子轨道成键示意图[159...当量正态化条件利用建议的样本桥梁,...的P63/mmc分波态密度图(...

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